「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The system for setting the reference cell threshold voltage of the memory device is provided.例文帳に追加

本発明によれば、メモリ装置の基準セル閾値電圧を設定するためのシステムが提供される。 - 特許庁

The first cell surface 3 is arranged in one plane or on an inner side with respect to the reference outer circumference surface 11z.例文帳に追加

第１セル面３は基準外周面11zに対して同一面内又は内側に配置される。 - 特許庁

The arithmetic operation auxiliary cell obtains, for example, an absolute difference value between the stored data and the reference data as an arithmetic operation result.例文帳に追加

数値演算結果として、例えば記憶データと参照データとの差分絶対値を得る。 - 特許庁

Thus, the cell is delayed, resulting that the flow rate is less than the prescribed reference flow rate.例文帳に追加

これによって、当該セルを遅延させ、結果的に所定基準流量以下になるようにする。 - 特許庁

The electrochemical cell 10 includes a plurality of electrodes 23, 26 and reference electrodes 30.例文帳に追加

本発明の電気化学セル１０は、複数の電極２３，２６と参照極３０とを有する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory cell, having a pinned reference layer which does not require pinned orientation of magnetization.例文帳に追加

ピン留めされた磁化の向きを必要としないリファレンス層を有する磁気メモリセルの提供。 - 特許庁

A pixel average value calculation part 120 calculates a pixel average value 102 of the reference cell 101b.例文帳に追加

画素平均値算出部１２０はレファレンスセル１０１ｂの画素平均値１０２を算出する。 - 特許庁

After that, each separator is laminated based on the reference plane, and the fuel cell stack is assembled.例文帳に追加

その後、基準面を基準に個々のセパレータを積層して、燃料電池スタックを組み立てる。 - 特許庁

By processing time order reference data cells, a stop start-time reference mark and a stop end-time reference mark for the data cell stream are determined.例文帳に追加

時間順参照データセルを処理して、データセルストリームについての停止開始時間順基準標識とそのデータセルストリームについての停止終了時間順基準標識を決定する。 - 特許庁

A second reference current setting circuit sets a current obtained by adding a second adjustment current to the reading current of the second reference cell as a second reference current.例文帳に追加

第２の参照電流設定回路は、第２の参照セルの読み出し電流に第２の調整電流を加算して得られた電流を第２の参照電流として設定する。 - 特許庁

A first reference current setting circuit sets a current obtained by adding a first adjustment current to the reading current of the first reference cell as a first reference current.例文帳に追加

第１の参照電流設定回路は、第１の参照セルの読み出し電流に第１の調整電流を加算して得られた電流を第１の参照電流として設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device having a reference memory cell that generates reference potential with less variation and does not need any refresh operation.例文帳に追加

ばらつきが少ない基準電位を生成し尚且つリフレッシュ動作を必要としない基準メモリセルを備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A reference node REF is connected to a reference cell RMC through a NMOS transistor QN2 for dummy clamp and a dummy column gate QN3.例文帳に追加

参照ノードＲＥＦは、ダミークランプ用ＮＭＯＳトランジスタＱＮ２及びダミーカラムゲートＱＮ３を介して参照セルＲＭＣに接続される。 - 特許庁

According to at least one embodiment, a method comprises measuring (401) drive current of a reference memory cell (110) of a circuit (101), and determining (402), based on the measured drive current of the reference memory cell, a drive current to be supplied to a calibration memory cell (120) of the circuit to mimic a defective memory cell.例文帳に追加

少なくとも１つの実施形態によれば、方法は、回路(101)の基準メモリセル(110)の駆動電流を測定(401)し、基準メモリセルの測定された駆動電流に基づいて、欠陥メモリセルを模倣するために回路の較正メモリセル(120)に供給されるべき駆動電流を決定する(402)ことを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory, having a function with which read-out speed can be increased by equalizing input impedance of a main cell side seen from IV conversion circuits 2, 3 with input impedance of a reference cell side, in a semiconductor memory having plural cell arrays and one reference cell array.例文帳に追加

複数のセルアレイと１つのリファレンスセルアレイとを有する半導体記憶装置において、ＩＶ変換回路２、３から見えるメインセル側の入力インピーダンスとリファレンスセル側の入力インピーダンスを同一にして読み出しスピードの高速化を図る機能を有する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When program operation for the memory cell MC is performed, program for a program object cell PMC and refresh for a refresh object cell RMC are performed using a threshold of the second reference cell RC2 corresponding to a program state of the memory cell MC to verify.例文帳に追加

メモリセルＭＣへのプログラム動作時には、プログラム対象セルＰＭＣに対するプログラムと共に、リフレッシュ対象セルＲＭＣに対するリフレッシュを、メモリセルＭＣのプログラム状態に対応する第２リファレンスセルＲＣ２の閾値をベリファイに用いて行う。 - 特許庁

The cell controller C/C1 turns on the cell voltage detection switches SWa1 to SWa8 and turns off the cell reference voltage source switch SWc and the capacity regulating circuit switches SWb1 to SWb8, at the detection of the cell voltage.例文帳に追加

セルコントローラＣ／Ｃ１は、セル電圧検出時にセル電圧検出スイッチＳＷａ１〜ＳＷａ８をオン、セル基準電圧源スイッチＳＷｃおよび容量調整回路スイッチＳＷｂ１〜ＳＷｂ８をオフする。 - 特許庁

When the cell voltage is detected, the cell controller C/C1 turns on the cell voltage detection switches SWa1 to SWa8 and turns off the cell reference voltage source switch SWc as well as the volume adjustment circuit switches SWb1 to SWb8.例文帳に追加

セルコントローラＣ／Ｃ１は、セル電圧検出時にセル電圧検出スイッチＳＷａ１〜ＳＷａ８をオン、セル基準電圧源スイッチＳＷｃおよび容量調整回路スイッチＳＷｂ１〜ＳＷｂ８をオフする。 - 特許庁

A method for reading in an MRAM device includes partially switching magnetic moments in a reference memory cell to generate a reference current; measuring a read current through a memory cell to be read; and comparing the read current with the reference current.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置の読取方法は、基準電流を発生するために基準メモリセルの磁気モーメントを部分的に切換え、読取られるメモリセルを通る読取電流を測定し、読取った電流を基準電流と比較するステップを含んでいる。 - 特許庁

A DRAM 1, which is the semiconductor storage device where data is read by comparing the potential of a memory cell with the reference potential of a reference cell, is provided with capacitors 22 and 32 and capacitors 82 and 92.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、キャパシタ２２，３２、およびキャパシタ８２，９２を備えている。 - 特許庁

To provide a device for self-reference for a ferroelectric memory cell which does not depend on the secular change of a memory cell and in which a hysteresis region is utilized as much as possible to obtain reference voltage.例文帳に追加

メモリセルの経年変化に依存せずかつ参照電圧を得るためにヒステリシス領域ができるだけ利用される、強誘電体メモリセルの自己参照のための装置を提供することである。 - 特許庁

In the same way as word lines RWL0, RWL1 for reference cell used at read-out of a memory cell, for example, two lines are provided, reference cells RC0, RC1 having the same threshold value are connected respectively to each word line.例文帳に追加

メモリセル読み出し時に使用するリファレンスセル用ワード線ＲＷＬ０，ＲＷＬ１のように例えば２本用意し、各々のワード線には同じ閾値のリファレンスセルＲＣ０，ＲＣ１をそれぞれ接続する。 - 特許庁

A third read state is obtained by the selected cell with the reference cell biased to a third value that is less than the first value (80).例文帳に追加

第１の値より小さな第３の値にバイアスされた基準セルにより選択セルを読み出して第３の読み出し状態を取得する（８０）。 - 特許庁

In addition, charge is accumulated in a charge accumulation area of the other reference cell so as to be equivalent to a memory cell characteristic with the maximum current.例文帳に追加

また、他方のリファレンスセルの電荷蓄積領域に、最も電流が多いメモリセル特性と等価な状態となるように電荷が蓄積される。 - 特許庁

A second read state is obtained by the selected cell with the reference cell biased to a second value that is greater than the first value (70).例文帳に追加

第１の値より大きな第２の値にバイアスされた基準セルにより選択セルを読み出して第２の読み出し状態を取得する（７０）。 - 特許庁

When a first switching element is turned on, a potential of a connection part of the ferroelectric capacitor cell and the reference capacitor cell unit is added to the bit line 121.例文帳に追加

第１のスイッチング素子がオンすると、強誘電体キャパシタセルと基準キャパシタセルユニットの接続部の電位がビット線１２１に加算される。 - 特許庁

In the step 240, the additional voltage is added to the reference target cell stack voltage, and a target cell stack voltage being a target control voltage is obtained.例文帳に追加

ステップ２４０では、基準目標セルスタック電圧に加算電圧を加え、目標とする制御電圧である目標セルスタック電圧を求める。 - 特許庁

When second switching elements 151, 152, 153, 154 are tuned on, the ferroelectric capacitor cell and a reference capacitor cell unit 171 are connected in series.例文帳に追加

第２のスイッチング素子１５１，１５２，１５３，１５４がオンすると、強誘電体キャパシタセルと基準キャパシタセルユニット１７１が直列接続される。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory MRAM capable of accurately determining data stored in a magnetic memory cell without using any reference cell.例文帳に追加

基準セルを使用せず、マグネチックメモリセルに貯蔵されたデータを正確に判別することができるマグネチックランダムアクセスメモリＭＲＡＭが提供される。 - 特許庁

To solve the problem in a conventional semiconductor memory device that wrong decision happens by permitting voltage of a memory cell and voltage of a reference cell to be reversed.例文帳に追加

従来の半導体記憶装置においては、メモリセルの電圧とリファレンスセルの電圧とが逆転することにより、誤判定が生じる。 - 特許庁

As 1/2 of quantity of own polarization electric charges (2Pr) is made the reference in occurrence of a reference potential by a charge current detector 111 and its amplifier 112, a reference cell is not required, read-out can be performed stably without being affected by dispersion of reference cells, dispersion of reference potentials, and deterioration of reference cells.例文帳に追加

チャージ電流検出器１１１とその増幅器１１２によって、リファレンス電位の発生を自らの分極電荷量（２Ｐｒ）の１／２を基準とするため、リファレンスセルが不要であり、リファレンスセルのばらつき、リファレンス電位のばらつき、リファレンスセルの劣化に依存することなく、安定して読出しを行うことができる。 - 特許庁

The method includes determining the resistive state of the memory cell to be read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell to be read with a reference current that can be dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも１つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

The method includes determining the resistive state of the memory cell being read by comparing a current dependent on the resistive state of the memory cell being read with the reference current dependent on a resistive state of at least one reference resistive memory cell.例文帳に追加

読み出されるメモリセルの抵抗状態に依存する電流と、少なくとも１つの基準抵抗メモリセルの抵抗状態に依存し得る基準電流とを比較することによって、上記読み出されるメモリセルの抵抗状態を判別する。 - 特許庁

A sense amplifier circuit 8a is operative to detect and compare a value of a current flowing through the selected memory cell MC and a value of a current flowing through the selected reference cell RC, and thereby read data of the memory cell.例文帳に追加

センスアンプ回路８ａは、選択されたメモリセルＭＣを流れる電流値と選択された参照セルＲＣを流れる電流値とを比較検出してメモリセルのデータを読み出す。 - 特許庁

Auxiliary power wiring area TA2a to TA2c are formed in a unit cell 2 with a reference of grids which are provided in the X direction from the side of the cell at every basic cell width BCW.例文帳に追加

ユニットセル２には、補助電源配線用領域ＴＡ２ａないしＴＡ２ｃが、セル辺からＸ方向へ基本セル幅ＢＣＷごとに存在するグリッドを基準として形成される。 - 特許庁

A flow cell of a differential refractometer comprises a partition wall 2a inclined with respect to the optical axis of a measuring beam, a reference cell 3a partitioned by the partition wall 2a, and a sample cell 3b.例文帳に追加

示差屈折率計のフローセルは、測定光の光軸に対して傾斜した隔壁２ａと、隔壁２ａによって仕切られた参照セル３ａ及び試料セル３ｂを備えている。 - 特許庁

On the other hand, the reference solar cell Rb corresponding to the i layers i1 and i2 of another sub-cell of the multi-junction solar cell has layers l1 and l2 converted into conductive layers i1 and i2 by doping.例文帳に追加

他方、多接合太陽電池のもう１つのサブセルのｉ層ｉ１、ｉ２に対応する基準セルＲｂは、ドープして導電層ｉ１、ｉ２に変換された層ｌ１、ｌ２を有する。 - 特許庁

Further, when the cell voltage V is lower than the reference voltage V1 (Yes at S30), connection between the fuel cell and its load is released, and the operation of the fuel cell is stopped (S40).例文帳に追加

一方、セル電圧Ｖが基準電圧Ｖ１より低い場合には（Ｓ３０のＹｅｓ）、燃料電池と負荷との接続が遮断され、燃料電池の運転が停止される（Ｓ４０）。 - 特許庁

A high voltage comparison cell and a low voltage comparison cell are coupled to each of two sense amplifiers for supplying two discrete reference voltages for comparison with a memory cell voltage.例文帳に追加

高電圧比較セルおよび低電圧比較セルが、メモリセル電圧と比較するための２つの別個の基準電圧を供給する２つのセンス増幅器のそれぞれに結合されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of reducing the total number of magnetic memory elements equipped to a reference memory cell for generating a reference current.例文帳に追加

基準電流を生成するための基準メモリセルに備えられる磁気メモリ素子の総数を減らすことができる半導体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array in which memory cells are arranged in a matrix and a reference resistance circuit that generates a reference resistance value.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイと、参照抵抗値を生成する参照抵抗回路とを備えている。 - 特許庁

The reference current can be set an optimum value for each memory cell of which gate width is different by setting a plurality of reference current for each wiring width of word lines.例文帳に追加

ワード線の配線幅毎に複数の基準電流を設定することで、ゲート幅の異なるメモリセル毎に、基準電流を最適な値に設定できる。 - 特許庁

For this conversion, the left upper point 301a of the image screen is used as a reference point, and the left, upper point of the cell N1 (row N column 1) of the slip format screen is allocated as a reference point 301b.例文帳に追加

この変換は、イメージ画面左上の301aを基準点とし、伝票形式画面のセルN1(N列1行）の左上を基準点301bとして割り当てる。 - 特許庁

The read reference current generation circuit 120 generates a monitor voltage Vmon that varies according to variation of the read reference current Iref and a threshold voltage of the memory cell Mcell.例文帳に追加

リードリファレンス電流生成回路120は、リードリファレンス電流IrefおよびメモリセルMcellの閾値電圧のばらつきに応じて変化するモニタ電圧Vmonを生成する。 - 特許庁

Sample light passes through a sample cell 3 and a sample light slit 4a while reference light passes through a reference light slit 4b, and both lights are incident on a multi-wavelength spectroscope.例文帳に追加

サンプル光はサンプルセル３、サンプル光用スリット４ａを通り、またリファレンス光はリファレンス光用スリット４ｂを通り、多波長分光器に入射する。 - 特許庁