「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, a resistor 116 is connected to a reference cell 108 in parallel.例文帳に追加

さらに、基準セル１０８には抵抗１１６が並列接続される。 - 特許庁

The magnetic memory cell includes a reference layer (320) having a preset magnetization.例文帳に追加

磁気メモリセルは、予め設定された磁化を有する基準層(320)を含む。 - 特許庁

Bit lines of respective reference cell RC0, RC1 are common.例文帳に追加

それぞれの各リファレンスセルＲＣ０，ＲＣ１のビット線は共通とする。 - 特許庁

The memory part 9 is provided with a main cell array 7 having a plurality of nonvolatile memory cells 29, a nonvolatile first reference cell 3 being reference, and a first sense amplifier 5 reading out data of the memory cell 29 based on an output of the main memory cell 29 and an output of the first reference cell 3.例文帳に追加

記憶部９は、複数の不揮発性メモリセル２９を有するメインセルアレイ７と、基準となる不揮発性第１リファレンスセル３と、メモリセル２９の出力と第１リファレンスセル３の出力とに基づいてメモリセル２９のデータを読み出す第１センスアンプ５とを備える。 - 特許庁

The electrochemical cell has a positive electrode, a negative negative, and at least two reference electrodes in one cell.例文帳に追加

電気化学セルは、１つのセル中に正極、負極、及び少なくとも２つの参照極を有する。 - 特許庁

The spare memory part 19 is provided with a spare cell array 17 provided as a spare of the memory cell array 7 having a plurality of nonvolatile spare cells 39, a nonvolatile second reference cell 13 being reference, and a second sense amplifier 15 reading out data of the spare cell 39 based on an output of the spare cell 39 and an output of the second reference cell 13.例文帳に追加

予備記憶部１９は、メインセルアレイ７の予備として設けられ複数の不揮発性スペアセル３９を有するスペアセルアレイ１７と、基準となる不揮発性第２リファレンスセル１３と、スペアセル３９の出力と第２リファレンスセル１３の出力とに基づいてスペアセル３９のデータを読み出す第２センスアンプ１５とを備える。 - 特許庁

The high similarity cell having similarity higher than a reference value is detected out of the similarity in each calculated cell.例文帳に追加

算出したセル毎の類似度の中で、基準値より高い類似度の高類似度セルを検出する。 - 特許庁

Therefore, the written state of each memory cell 10 is exactly reflected on each reference cell 10a, 10b.例文帳に追加

よって、各基準セル１０ａ，１０ｂには各メモリセル１０の書き込み状態が正確に反映される。 - 特許庁

By connecting the first memory cell of the first cell array 10-1 and the first reference cell of the fourth cell array 10-4 to the sense amplifier SA, data of the first memory cell are read.例文帳に追加

第１のセルアレイ１０−１の第１のメモリセルと第４のセルアレイ１０−４の第１の参照セルとがセンスアンプＳＡに接続されることで第１のメモリセルのデータが読み出される。 - 特許庁

According to a certain embodiment, each flash sector of the memory cell has a reference cell for reading a sector cell, and a series of reference cells are present as master references for all memory chips.例文帳に追加

ある実施例において、メモリセルの各フラッシュセクタはセクタのセルを読み出すための参照セルをもち、一連の参照セルもまたマスタ参照として作用する全メモリチップ用に存在する。 - 特許庁

A DRAM 1 is a semiconductor memory device in which read-out of data is performed by comparison of a potential of a memory cell and a reference potential of a reference cell, and the device is provided with capacitors 22, 32 and capacitors 82, 92, and a potential line 18 supplying the reference potential to the reference cell.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１は、メモリセルの電位とリファレンスセルの参照電位との比較によりデータの読出しが行われる半導体記憶装置であって、キャパシタ２２、３２、およびキャパシタ８２、９２、リファレンスセルに参照電位を供給する電位線１８を備えている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with: a first reference cell 28 used for programming or reading data in a nonvolatile memory cell; and an adjust circuit 30 for adjusting a first reference level when the first reference level of the first reference cell 28 is changed.例文帳に追加

本発明は、不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第１レファレンスセル２８と、第１レファレンスセル２８の第１レファレンスレベルが変化した場合、第１レファレンスレベルを調整する調整回路３０と、を具備する半導体装置である。 - 特許庁

To provide a method, a reference solar cell, and a reference module for accurately determining a parameter of a multi-junction solar cell and a photovoltaic module including a multi-junction solar cell, and in particular, performance of a multi-junction solar cell.例文帳に追加

多接合太陽電池及び多接合太陽電池を含む光起電モジュールのパラメータ、特に多接合太陽電池の性能を正確に決定するための方法並びに基準セル及び基準モジュールを提供する。 - 特許庁

After the second write operation, the difference between the read reference current and the memory cell current for the memory cell can be expanded because threshold voltages for the memory cell is distributed to one side of the first or the second reference memory cell as a border.例文帳に追加

第２書き込み動作後、メモリセルの閾値電圧は、第１または第２リファレンスメモリセルを境界として一方側に分布するため、読み出しリファレンス電流とメモリセルのメモリセル電流との差を大きくできる。 - 特許庁

In order to determine a parameter of the multi-junction solar cell, a parameter of the reference solar cell Rb and the multi-junction solar cell is measured by using a photovoltaic simulator calibrated in accordance with the reference solar cell on the same conditions.例文帳に追加

多接合太陽電池のパラメータを決定するため、基準セルＲｂ及び多接合太陽電池のパラメータを同一の条件において基準セルに合わせて較正した太陽光シミュレータで計測する。 - 特許庁

A memory comprises an array 100, constituted of memory cells and a reference cell array 200 constituted of reference cells of plural units.例文帳に追加

メモリは、メモリセルで構成されたアレイと、複数のユニットの基準セルで構成された基準セルアレイとを含む。 - 特許庁

The reference plate extends from the shell and functions as a repeatable reference point for properly positioning the optical flow cell.例文帳に追加

基準プレートはシェルから延び、反復可能な基準点として光学フローセルを適正に位置決めする役目をする。 - 特許庁

To shorten a test time for setting a threshold voltage of a reference memory cell.例文帳に追加

リファレンスメモリセルの閾値電圧を設定するための試験時間を短縮する。 - 特許庁

Each of the bit lines is connected to a separate reference cell and a separate transistor.例文帳に追加

各ビット線は別個の基準セル及び別個のトランジスタへ結合している。 - 特許庁

The state detection section 4 detects the state of the reference memory cell 3a.例文帳に追加

状態検出部４は、参照メモリセル３ａの状態を検出する。 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND PROGRAM METHOD AND VERIFICATION METHOD FOR REFERENCE CELL THEREFOR例文帳に追加

磁気メモリ装置、このためのリファレンスセルのプログラム方法及び検証方法 - 特許庁

During the step in which memory cells are read and refreshed, the main reference cell and a subreference cell connected to the reference bit line and the bit lines are activated.例文帳に追加

メモリセルを読み出してリフレッシュする段階において、基準ビット線およびビット線に接続された主基準セルおよび副基準セルが活動化される。 - 特許庁

A mobile station, by taking advantage of the fact that the pattern of a cell-specific reference signal is known, can eliminate interferences by a cell-specific reference signal with high accuracy.例文帳に追加

移動局は、セル固有参照信号のパターンが既知であることを利用してセル固有参照信号による干渉を高精度に除去することができる。 - 特許庁

A magnetic random access memory 10 comprises a memory cell MC, and a reference cell RC which is referred to at the time of reading out data in order to generate a reference level.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ１０は、メモリセルＭＣと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルＲＣとを備える。 - 特許庁

A reference cell is programmed by prescribed quantity, its programming state is detected relating to the prescribed cell (e.g. memory cell or gold bit cell) on the same die, programming process us continued until the reference cell fails in read operation being previously selected.例文帳に追加

基準セルは、所定量プログラムされ、そのプログラム状態は、同じダイ上の所定のセル（例えば、メモリセルまたは黄金ビットセル）に関して検出され、基準セルが予め選択された読出し動作に失敗するまでプログラミングプロセスが継続する。 - 特許庁

To solve a problem that when a property of a reference side in differential type read determination operation is achieved by a memory cell (reference cell) in a memory apparatus of a virtual ground system, a leak current through a cell being adjacent to the reference cell is dispersed by the process, thereby, stable read becomes hard.例文帳に追加

仮想接地方式のメモリ装置で、差動型の読出し判定動作における基準側の特性をメモリセル（レファレンスセル）で実現する場合、レファレンスセルに隣接するセルを介した漏れ電流がプロセスでばらつくことにより、安定読出しが困難となる。 - 特許庁

Three electrodes of an electrode 32 on the side of a reference gas in the oxygen monitor cell 3, an electrode 42 on the side of the reference gas in the sensor cell 4, and an electrode 202 on the side of the reference gas in the air-fuel ratio detecting cell 20 are commonly used.例文帳に追加

酸素モニタセル３における基準ガス側電極３２と，センサセル４における基準ガス側電極４２と，空燃比検出セル２０における基準ガス側電極２０２との３つの電極が共通化されている。 - 特許庁

Then, by comparing the current/voltage characteristics in the reference state of the reference cell with the measurement result of the current/voltage characteristics of the reference cell, deviation from the reference state of the measurement result based on the deviation of illumination light from the reference state is obtained (S4).例文帳に追加

次に、基準セルの基準状態における電流電圧特性と、基準セルの電流電圧特性の測定結果とを比較することによって、照射光の基準状態からのずれに基づく測定結果の基準状態からのずれを得る(S4)。 - 特許庁

Reference cell arrays RFX0-n provided with reference cells of two systems are provided, reference signals RF1, RF2 outputted from the selected reference cell array RFXi are amplified respectively by amplifiers AP1, AP2 and reference voltages VRF1, VRF2.例文帳に追加

２系統の基準セルを備えた基準セルアレイＲＦＸ０〜ｎを設け、選択された基準セルアレイＲＦＸｉから出力される基準信号ＲＦ１，ＲＦ２をそれぞれ増幅器ＡＰ１，ＡＰ２で増幅して基準電圧ＶＲＦ１，ＶＲＦ２を生成する。 - 特許庁

Then an upper limit of the time required for the movement from the cell A to the cell B is obtained from a reference time table.例文帳に追加

次にセルＡからセルＢへ移動した場合に要する時間の上限値を基準時間表から求める。 - 特許庁

A sense amplifier compares a current flowing in the memory cell with the reference voltage and detects data read out from the memory cell.例文帳に追加

センスアンプは、メモリセルに流れる電流と基準電圧を比較してメモリセルから読み出されたデータを検出する。 - 特許庁

The liquid crystal display cell 10 is provided with reference marks 11 to 14 for the cell indicating the position of its display area 16.例文帳に追加

液晶表示セル１０にその表示エリア１６の位置を示すセル用基準マーク１１〜１４を設ける。 - 特許庁

During the period of the memory read operation, the transistor, the reference cell and the addressed memory cell form a differential amplifier circuit.例文帳に追加

メモリ読取動作期間中、トランジスタと、基準セルと、アドレスされたメモリセルとが差動増幅器回路を形成する。 - 特許庁

The semiconductor storage device has a plurality of reference cells for giving a reference voltage and, since a selected reference cell switches every reading cycle, an electric field stress to the reference cell at the time of reading can be reduced.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、リファレンス電圧を与える参照セルを複数有し、読み出しサイクルごとに選択された参照セルが切り替わるので、読み出し時の参照セルへの電界ストレスを緩和することができる。 - 特許庁

When reading data, a specific cell of the reference cell arrays is always activated with respect to an address space having one memory cell as a unit.例文帳に追加

データ読み出し時、１つのメモリセルアレイを単位とするアドレス空間に対して、参照セルアレイのうち特定の参照セルが常時活性化される。 - 特許庁

In a preferable embodiment, a memory cell used in a reference cell programming process is a cell of a memory array having the highest intrinsic threshold value.例文帳に追加

１つの好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、最高固有閾値を有するメモリアレイのセルである。 - 特許庁

Each of a plurality of current duplication circuits corresponds to each bank, duplicates a reference current flowing through the reference cell array and generates reference voltage.例文帳に追加

複数個の電流複写回路はバンクの各々に対応し、基準セルアレイを通じて流れる基準電流を複写して基準電圧を各々発生する。 - 特許庁

A control section, when setting the threshold voltages of the reference cell transistors, sets the reference word line and the reference global bit lines to predetermined voltages.例文帳に追加

制御部は、リファレンスセルトランジスタの閾値電圧を設定するときに、リファレンスワード線およびリファレンスグローバルビット線をそれぞれ所定の電圧に設定する。 - 特許庁

A reference gas supplying part 2 is connected to a sensor cell 8 by a solenoid valve 6.例文帳に追加

電磁バルブ６により参照ガス供給部２とセンサセル８を接続する。 - 特許庁

To establish a reference signal for a memory cell of a MRAM array having high reliability.例文帳に追加

MRAMアレイのメモリセルのための信頼性の高い基準信号を確立すること。 - 特許庁

To propose sequence for automatically setting the data value for a reference cell.例文帳に追加

参照セルに対するデータ値の設定を自動的に行うシーケンスを提案する。 - 特許庁

RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING SELECTED REFERENCE MEMORY CELL, AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

選択された基準メモリセルを含む抵抗型メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

The reference current converges to the memory cell current 116 at accuracy of 10 nA.例文帳に追加

基準電流は１０ｎＡの精度でメモリセル電流１１６に収束する。 - 特許庁

To prevent a read error caused by variation of a property of a reference memory cell.例文帳に追加

基準メモリセルの性質の変化によって生じる読み出しエラーを防止する。 - 特許庁

This method has a step in which the reference cell (Cref) and a test cell (Cveri) are simultaneously selected during read, read signals are compared when a signal read by the reference cell is smaller than a signal read by the test cell, and refresh signals (Sr1, Sr2, Sr3) are outputted to the reference cell (Cref).例文帳に追加

本発明の方法は、読出し中に基準セル（Ｃｒｅｆ）と検査セル（Ｃｖｅｒｉ）とを同時に選択し、読取られた信号を比較し、基準セルで読取られた信号が検査セルで読取られる信号より小さい場合、リフレッシュ信号（Ｓｒ１，Ｓｒ２，Ｓｒ３）を基準セル（Ｃｒｅｆ）に出力するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁