「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A cell controller C/C1 turns off cell switches SWa1 to SWa8 and a SWa41 at the malfunction diagnosis and turns on a reference voltage source switch SWc1 and capacity regulating circuit switches SWb1 to SWb8.例文帳に追加

セルコントローラＣ／Ｃ１は、故障診断時にセルスイッチＳＷａ１〜ＳＷａ８およびＳＷａ４１をオフ、基準電圧源スイッチＳＷｃ１、ならびに容量調整回路スイッチＳＷｂ１〜ＳＷｂ８をオンする。 - 特許庁

A frequency reuse pattern 510 is generated by applying frequency shifts to reference signals transmitted from cells that provide coverage for a Node B based on cell IDs or cell group IDs for the cells.例文帳に追加

セルのセル・グループＩＤまたはセルＩＤに基づいて、周波数シフトを、ノードＢのカバレッジを提供するセルから送信された基準信号へ適用することによって、周波数再使用パターン５１０が生成される。 - 特許庁

By the second reading operation, the residual polarized value of the ferroelectric capacitor of the reference memory cell reduced by the heat treatment or the like of the manufacturing process is returned to an original value before reading access to the real memory cell.例文帳に追加

第２読み出し動作によって、製造工程の熱処理等により減少するリファレンスメモリセルの強誘電体キャパシタの残留分極値を、リアルメモリセルの読み出しアクセス前に元の値に戻すことができる。 - 特許庁

Correction parameters for matching the relation of the exposure amount of a column cell to be corrected and the linewidth with the relation of the exposure amount of one reference column cell selected from respective column cells and the linewidth are determined (steps S43, S46).例文帳に追加

そして、各コラムセルのいずれか１から選ばれた基準コラムセルの露光量と線幅の関係に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める（ステップＳ４３、Ｓ４６）。 - 特許庁

A sense amplifier circuit compares the reference current to a drain current generated by a non-volatile memory bit cell as sweeping gate voltages are applied to the non-volatile memory bit cell until a transitioning gate voltage is identified.例文帳に追加

センスアンプ回路は、遷移ゲート電圧が識別されるまで不揮発性メモリビットセルに掃引ゲート電圧が印加されるとき、前記基準電流を前記不揮発性メモリビットセルによって生成されるドレイン電流と比較する。 - 特許庁

Voltage (VBOOST) transmitted to a selection word line is divided, and a reference cell (RCA-RCC) is set to a conduction state according to divided voltage.例文帳に追加

選択ワード線に伝達される電圧（ＶＢＯＯＳＴ）を分圧し、分圧電圧に従って参照セル（ＲＣＡ−ＲＣＣ）を導通状態に設定する。 - 特許庁

A plurality of cell groups 12_i have respectively the number ni of constituent cells the more, the nearer they are to a first input terminal 31_i into which a reference potential is read.例文帳に追加

複数のセル群１２_ｉそれぞれは、基準電位が読み込まれた第１入力端子３１_１から近いほど構成されるセル数ｎｉが多くされている。 - 特許庁

A memory cell array is provided with a pair of reference cells 10a, 10b for each same control word line CWL to which a plurality of memory cells 10 are connected.例文帳に追加

メモリセルアレイには、複数のメモリセル１０が接続される同一のコントロールワード線CWL 毎に一対の基準セル１０ａ，１０ｂがそれぞれ設けられている。 - 特許庁

As a result of this, when the reference voltage Vsa rises, the threshold voltage (Vsb-Vsa) is lowered, and the cell can be prevented from being brought into the overcharge state.例文帳に追加

これにより、基準電圧Ｖsaが上昇すると、しきい値電圧（Ｖsb−Ｖsa）は低下するので、セルが過充電状態となることを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device utilizing resistance change based on the magnetization direction of a magnetic layer which can reduce an area proportion of a reference cell.例文帳に追加

磁性層の磁化方向に基づく抵抗変化を利用した磁気メモリ装置に関し、リファレンスセルの面積割合を小さくできる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The controller 8 is provided with a polarizing circuit 31 to be selectively operated so that a second cell 12 of the sensor can be polarized, and oxygen can be generated in the reference chamber.例文帳に追加

コントローラ８は、センサの第２セル１２を分極して基準室内に酸素を生成するように選択的に作動させられる分極回路３１を備える。 - 特許庁

A real amplification transistor of the real memory cell has a gate, a source, and a drain connected to a connection node, a reference voltage line, and a real read line respectively.例文帳に追加

リアルメモリセルのリアル増幅トランジスタは、ゲート、ソースおよびドレインが、接続ノード、基準電圧線およびリアル読み出し線にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

Then, the deteriorated cell checker 170 applies statistical processing to the stored information which is thus read out to obtain the second stored information (reference value) Iref.例文帳に追加

そして、劣化セル検査部１７０が、それらの読み出された記憶情報に統計処理を施して第２の記憶情報（基準値）Ｉｒｅｆを得る。 - 特許庁

Thereby, a potential of a SAREF signal outputted from the reference cell 30 side can be increased or reduced according to program-verity and erase-verify operation.例文帳に追加

これにより、プログラム・ベリファイとイレーズ・ベリファイ動作に応じて、リファレンスセル３０側から出力されるＳＡＲＥＦ信号の電位を増減させることができる。 - 特許庁

The gates of a FET 42 and a FET 44 in the reference cell 40 are connected to the word line 22 for reading and the word line 24 for writing, respectively.例文帳に追加

リファレンスセル４０のＦＥＴ４２およびＦＥＴ４４のゲートは、それぞれ読出し用のワード線２２および書込み用のワード線２４に接続されている。 - 特許庁

The values of the writing current can be updated with the data from the reference memory cell 160 or the data from writing current values stored in a lookup table.例文帳に追加

書き込み電流の値は、基準メモリセル(160)からのデータ、または、ルックアップテーブルに格納されている書き込み電流値からのデータで更新することができる。 - 特許庁

A target oxidizer flow rate calculating means 24 calculates a target oxidizer flow rate in reference to the curved line from the state of the fuel cell.例文帳に追加

目標酸化剤流量算出手段２４は、燃料電池の状態から状態ストイキ比曲線を参照して目標酸化剤流量を算出する。 - 特許庁

A SSA 30 outputs data of a memory cell and a reference level of 0x/1x on a sub-bit line to main bit lines GBLN0, GBLT0.例文帳に追加

ＳＳＡ３０はメモリセルのデータ，副ビット線ＢＬＴｘ０上の０ｘ／１ｘのリファレンスレベルを主ビット線ＧＢＬＮ０，ＧＢＬＴ０に出力する。 - 特許庁

A picked-up image obtained by being picked up and the reference image are collated by pattern matching to detect a shift amount of the picked-up image corresponding to the correction application cell.例文帳に追加

撮像して得られた撮像画像と基準画像とをパターンマッチングで照合し、補正適用セルに対応する当該撮像画像のずれ量を検出する。 - 特許庁

The controller is coupled to the battery module so as to generate a reference signal based on the cell voltage supplied by each of the battery modules.例文帳に追加

制御装置は、電池モジュールの各々によって供給されるセル電圧に基づいて基準信号を生成するために、電池モジュールに結合されている。 - 特許庁

A memory device 100 has a read margin exceeding MR ratio of an MR element 104 and is equipped with a memory cell 102 having the MR element 104, a reference transistor 106 and an amplification transistor 108.例文帳に追加

メモリデバイス100は、ＭＲ素子104のＭＲ比を超える読み取りマージンを持ち、ＭＲ素子104と、基準トランジスタ106と、増幅トランジスタ108とを有するメモリセル102を備える。 - 特許庁

The word line voltage generating circuit 2 changes a word line voltage Vw1 output to the memory cell array 4 in accordance with fluctuations of the reference voltage Vref.例文帳に追加

ワード線電圧生成回路２は、メモリセルアレイ４へ出力されるワード線電圧Ｖｗｌを、リファレンス電圧Ｖｒｅｆの変動に応じて、変化させる。 - 特許庁

An operation panel 21 is operated while an operator observes a monitor screen, and a plurality of reference patterns 41, 42,..., 4n corresponding to a mark on a cell and TAB are successively instructed.例文帳に追加

オペレータは、モニタ画面を見ながら操作パネル21を操作し、セルおよびＴＡＢ上のマークに対応する複数の基準パターン41，42，…，4nを順次教示する。 - 特許庁

To improve a sensing margin in a dynamic type semiconductor memory device of a lower voltage side power supply voltage sensing and a voltage direct reference cell writing system.例文帳に追加

低圧側電源電圧センス及び電圧ダイレクト参照セル書き込み方式のダイナミック型半導体記憶装置におけるセンスマージンを向上させる。 - 特許庁

The reference voltage terminal of the A/D converter 12 directly receives the cell voltage VDD through a terminal (pad) 18 from a power supply voltage 20.例文帳に追加

また、Ａ／Ｄコンバータ１２の基準電圧端子には、電源電圧２０から端子（パッド）１８を介して直接、電池電圧ＶＤＤが入力される。 - 特許庁

To provide a memory apparatus which can suppress the decrease of readout margin due to fluctuation in reference potential while reducing the area of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイの面積を縮小しながら、リファレンス電位の変動に起因する読み出しマージンの減少を抑制することが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

When data of the reference cell 3 for read-verify is erased, as the non-volatile memory cannot accomplisch its role, consequently, alternation of data can be prevented.例文帳に追加

リード／ベリファイ用リファレンスセル３を消去するとその不揮発性メモリはメモリとしての役割を果たせなくなるため、結果としてデータの改竄を防ぐ。 - 特許庁

The amount of extraction and the amount of leakage are balanced, while being concentrated as a reference gas near a fourth electrode 10 of the cell 3 for measurement.例文帳に追加

この引抜かれる量とリークする量とが釣合って一定濃度の水素ガスが測定用セル３の第四電極１０近傍に基準ガスとして集る。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory in which area per single memory cell is reduced and the constitution of a reference voltage generating circuit is simplified.例文帳に追加

１メモリセル当たりの面積を小さくできる上に、基準電圧発生回路の構成の単純化が実現できる不揮発性記憶装置の提供。 - 特許庁

To reduce the effects of interferences by a cell-specific reference signal when multiple base station cooperative MIMO transmission is executed under a LTE standard RE arrangement.例文帳に追加

LTE標準のRE配置のもとで複数基地局協調MIMO送信を実施するときのセル固有参照信号による干渉の影響を軽減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which influence of a sneak current at reading can be excluded, and the area of a reference cell array can be reduced.例文帳に追加

読み出し時におけるまわりこみ電流の影響を排除できるとともに、リファレンスセルアレイの面積を削減できる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

In actual operation, when passing a cell to which the flag is not set for the robot reference point, a process of generating an alarm or stopping the robot is carried out.例文帳に追加

実稼動においてロボットの参照点がフラグが立っていないセルを通過しようとした場合、アラーム発生又はロボット停止の処置を行う。 - 特許庁

A gas absorption cell 28 and a detector 30, using a known spectral absorption line, give a calibration reference for the electric signal from the sweep optical output.例文帳に追加

ガス吸収セル２８及び検出器３０は、既知のスペクトル吸収線を用いて、掃引光出力から、電気信号用の校正基準を与える。 - 特許庁

A sense amplifier 7A compares a potential of a bit line BL to which a variable cell resistance Rcell is connected, with a reference potential VREF to read a logic of information.例文帳に追加

センスアンプ７Ａは、前記可変セル抵抗Ｒｃｅｌｌが接続されたビット線ＢＬの電位を参照電位ＶＲＥＦと比較し、情報の論理を読み出す。 - 特許庁

DEMODULATION METHOD, TRANSMISSION METHOD AND BASE STATION EMPLOYING CELL-SPECIFIC AND USER ENTITY-SPECIFIC REFERENCE SYMBOLS IN ORTHOGONAL FREQUENCY-DIVISION MULTIPLE ACCESS例文帳に追加

直交周波数分割多重アクセスにおけるセル固有の参照記号とユーザ装置固有の参照記号とを使用した復調方法、伝送方法、および基地局 - 特許庁

An ARVSS regulator 6 supplies a cell source power supply voltage ARVSS1, which is higher than a reference voltage VSS, to the SRAM module 12 of a region 2.例文帳に追加

また、ＡＲＶＳＳレギュレータ６は、基準電圧ＶＳＳよりも高いセルソース電源電圧ＡＲＶＳＳ１を領域２のＳＲＡＭモジュール１２に供給する。 - 特許庁

By the pressing operation of a touch panel 22a on an input screen, an optional reference testing force for calibrating the output of the load cell 18 is input.例文帳に追加

入力画面上でのタッチパネル２２ａの押圧操作により、ロードセル１８の出力をキャリブレーションするための任意の基準試験力を入力する。 - 特許庁

Detection units 20(1)-20(n) compare a reference voltage with cell voltages Vc(1)-Vc(n) of n battery cells CL(1)-CL(n) in series connection.例文帳に追加

検知ユニット２０（１）〜２０（ｎ）は、直列接続されたｎ個の電池セルＣＬ（１）〜ＣＬ（ｎ）のセル電圧Ｖｃ（１）〜Ｖｃ（ｎ）を判定電圧と比較する。 - 特許庁

The sensor cell 3 includes: a measurement electrode 31 facing a first solid electrolyte 51 and the to-be-measured gas chamber 11; and a reference electrode 32 paired with the measurement electrode 31.例文帳に追加

センサセル３は、第１固体電解質体５１と被測定ガス室１１に面する測定電極３１とこれと対をなす基準電極３２とを有する。 - 特許庁

The sample gas or the reference gas is provided from a gas introduction port 1a to a testpiece cell 1 via a three-way valve 7 and exhausted from a gas exhaust port 1b.例文帳に追加

三方弁７を介して試料ガス又は基準ガスがガス導入口１ａから試料セル１内に供給され、ガス排出口１ｂから排出される。 - 特許庁

The above comparison by the trimming sense amplifier 8 is made in a shorter time than the reading time of the threshold by the first reference cell RFCO.例文帳に追加

トリム用センスアンプ８による上記しきい値比較は、第１のリファレンスセルＲＦＣ０のしきい値読み出し動作に比べて、短い時間で行える。 - 特許庁

To flexibly realize the inter-cell reuse of the sequence of a reference signal based on the CAZAC sequence and to reduce the influence of characteristic degradation by mutual correlation.例文帳に追加

カザック系列に基づくリファレンスシグナルの系列のセル間リユースを柔軟に実現することができ、相互相関による特性劣化の影響を軽減する。 - 特許庁

A clock gating cell 9 outputs only the reference clock PS0 which has started up when the carry signal C-SEL is the H level as an operating clock BCLK.例文帳に追加

クロックゲーティングセル９は、キャリー信号Ｃ−ＳＥＬがＨレベルのときに立ち上がった基準クロックＰＳ０のみを、動作クロックＢＣＬＫとして出力する。 - 特許庁

A master base station and a slave base station have resource elements (RE) differing therebetween, in which elements cell-specific reference signals transmitted from the antennas of respective base stations are arranged.例文帳に追加

マスター基地局とスレーブ基地局とで、各基地局のアンテナから送信されるセル固有参照信号が配置されるリソースエレメント（RE）が異なっている。 - 特許庁

To provide an atomic oscillator that obtains a high-precision reference frequency with low energy consumption by efficiently and uniformly heating a gas cell.例文帳に追加

ガスセルを効率よく均一に加熱することにより低消費エネルギーで高精度な基準周波数を得ることが可能な原子発振器を提供する。 - 特許庁