「reference cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the first and the second memory sections can be rewritten, reference voltage and verification voltage can be set, after a semiconductor memory is manufactured, in accordance with characteristics of a memory cell modified by variation of a manufacturing process.例文帳に追加

第１および第２記憶部が書き換え可能であるため、製造プロセスの変動により変化するメモリセルの特性に応じて、半導体メモリの製造後に参照電圧および検証電圧を設定できる。 - 特許庁

In this non-volatile semiconductor memory, a constant current circuit C0 is arranged in parallel to a NMOS diode N5 converting the detected current of an array cell side into voltage, and a constant current circuit C1 is arranged in parallel to a NMOS diode N6 converting the detected current of a reference cell side into voltage.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置では、アレイセル側の検出電流を電圧に変換するＮＭＯＳダイオードＮ５と並列に定電流回路Ｃ０を配置し、リファレンスセル側の検出電流を電圧に変換するＮＭＯＳダイオードＮ６と並列に定電流回路Ｃ１を配置する。 - 特許庁

Gas containing an unknown concentration of the impurities is introduced into the same volume of cell 15, the light intensity of transmission light transmitted through the cell 15 is measured while kept at the same temperature and the same pressure, an absorbance, of the impurities obtained by this measurement, to the reference is found, and the absorbance is applied to the function to find the concentration of the impurities.例文帳に追加

濃度が未知の不純物を含むガスを同一体積のセル１５に導入して、同一温度、同一圧力に保って、セル１５を透過した光の光強度を測定し、この測定で得られた不純物の、前記リファレンスに対する吸光度を求め、この吸光度を前記関数に適用して、不純物の濃度を求める。 - 特許庁

A spectral optical system is configured such that spectral dispersion of a light passed through a slit 5 is conducted by a grating 9, and an slit image 16 is formed on an area including an incidence opening 11a of a sample cell 11 of a flow cell part 10 and an incidence opening 12a of a reference pit 12 in a direction perpendicular to the spectral dispersion direction.例文帳に追加

分光光学系は、スリット５を通した光をグレーティング９によりスペクトル分散し、フローセル部１０のサンプルセル１１の入射口１１ａとリファレンス用穴１２の入射口１２ａとを含む領域にスペクトル分散方向に対して垂直方向にスリット像１６を結ぶように構成される。 - 特許庁

Each memory cell block MC has a plurality of memory cells consisting of a selection transistor Q and a ferroelectric capacitor C, a reference data storing memory cell consisting of a selection transistor QREF and a ferroelectric capacitor CREF, a read-out transistor QR, bit lines BL, sub-bit lines SBL, and a reset line RST.例文帳に追加

各メモリセルブロックＭＣは、選択トランジスタＱと強誘電体キャパシタＣとからなる複数のメモリセルと、選択トランジスタＱＲＥＦと強誘電体キャパシタＣＲＥＦとからなるリファレンスデータ格納メモリセルと、読み出しトランジスタＱＲと、ビット線ＢＬと、サブビット線ＳＢＬと、リセット線ＲＳＴとを有している。 - 特許庁

As shown in Fig. 2 and 8, the distance between a reference point and an origin of RED as the left side of a CELL boundary of a WDRV for RED is made the origin of RED is, as this design is compared with the conventional design, made shorter by a+b when Tr interval is 2b and protruding width from the CELL boundary is (a).例文帳に追加

図２，図８より、ＲＥＤ用ＷＤＲＶのＣＥＬＬ境界の左側をＲＥＤ原点とした時の基準点からＲＥＤ原点の距離を従来案と発明案を比較すると、Ｔｒ間隔２ｂ，ＣＥＬＬ境界からの飛び出し幅ａとした時となりａ＋ｂの分だけ小さく構成できる。 - 特許庁

When the fuel cell automobile enters a closed place such as a tunnel, the fuel gas (hydrogen gas) purge control, which maintains the generation performance of the fuel cell, is controlled so that the hydrogen concentration in the closed space may become smaller than the reference value, in accordance with the form of the closed space and the driving condition of the vehicle, while detecting the form of the closed space.例文帳に追加

燃料電池自動車がトンネル等の閉所に進入したとき、該閉所空間の形態を検出しつつ該空間形態と車両運行状態に応じて、燃料電池の発電性能を維持するための燃料ガス（水素ガス）パージ制御を、該閉所空間内の水素ガス濃度が基準値以下となるように制御する。 - 特許庁

A selection means 2 selects a cell used as an object for adjustment and a margin adjustment value required for adjustment of a device contained in this cell based on margin information 3 which shows a margin of a path which passes a plurality of cells prepared between predetermined circuits, and an adjustment reference value which adjusts a margin given from outside to a predetermined margin.例文帳に追加

選択手段２は、所定の回路間に設けられた複数のセルを通過するパスのマージンを示すマージン情報３と、外部から与えられマージンを所定のマージンに調整する調整基準値とに基づいて、調整対象となるセルとこのセルに含まれるデバイスの調整に必要なマージン調整値とを選択する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a sense amplifier circuit 40 comprises: first and second preamplifier sections 110 and 120 which are connected to a memory cell MC0 and a reference cell MCR0 that have been selected when data are read out; and a main amplifier section 100 for amplifying a difference voltage between an output voltage of the first preamplifier section and an output voltage of the second preamplifier section.例文帳に追加

半導体装置において、センスアンプ回路４０は、データ読出時に、選択されたメモリセルＭＣ０および参照セルＭＣＲ０と接続される第１、第２のプリアンプ部１１０，１２０と、第１のプリアンプ部の出力電圧と第２のプリアンプ部の出力電圧との差電圧を増幅するメインアンプ部１００とを含む。 - 特許庁

In a current driving part 3, wiring (L2) for setting substrate potential is provided separately from wiring (L1) of power supply potential VDD, so that the substrate potential of a P-type MOS transistor in a driving cell can be in common, without reference to distance from a power supply pad P1 (the power supply potential VDD) to each driving cell.例文帳に追加

電流駆動部３において、電源パッドＰ１（電源電位ＶＤＤ）から各駆動セルまでの距離にかかわらず、駆動セル内のＰ型ＭＯＳトランジスタの基板電位が共通となるように、電源電位ＶＤＤの配線（Ｌ１）とは別に基板電位を設定するための配線（Ｌ２）を設ける。 - 特許庁

The two-dimensional code includes a reference cell 100 having a predetermined shape, a plurality of polygon cells 106 constituting a code data by two-dimensionally disposing each polygon cell, and a plurality of corner cells 104 disposed in such a way as to surround an area in which the plurality of polygon cells 106 are disposed two-dimensionally.例文帳に追加

本発明の２次元コードは、所定の形状を有する基準セル１００と、それぞれを２次元配置することでコードデータを構成する複数の多辺形セル１０６と、複数の多辺形セル１０６が２次元配置される領域を取り囲むように配置される複数のコーナーセル１０４とを備える。 - 特許庁

A light receiving signal processing circuit 6 uses a control signal CTL to vary surface luminance of an effective display area part 2 (screen display part) in accordance with output levels of a detection signal Sd of a detection cell 22 and a detection signal Sr of a reference cell 23, whereby it is discriminated that the object approaches or contacts the detection cell 22 being a photodetector part which detects approach or contact.例文帳に追加

検出セル２２の検出信号Ｓｄおよび基準セル２３の検出信号Ｓｒの出力レベルに応じて、受光信号処理回路６が制御信号ＣＴＬにより、有効表示領域部（画面表示部）２の表面輝度を変化させることで、近接あるいは接触を検出する光検出部としての検出セル２２に物体が近接あるいは接触したことを判別する。 - 特許庁

Then, when the portable terminal MS1 enters the cell again to scan the access point, the scanning intervals are set based on the reference value St of the scanning intervals held in the scanning management table to execute the scanning processing.例文帳に追加

そして、携帯端末ＭＳ１が上記セルに再度進入してアクセスポイントのスキャンを行う際に、上記スキャン管理テーブルに保持されたスキャン間隔の基準値Ｓｔをもとにスキャン間隔を設定してスキャン処理を実行する。 - 特許庁

In this case, the temperature of the cooling water at the cooling water exit is made a reference, and the temperature ΔT_out of the cooling water at the cooling water entrance can be determined so that the discharge water quantity from the fuel cell may be a prescribed quantity.例文帳に追加

この場合、冷却水出口における当該冷却水の温度を基準とし、燃料電池からの排水量が所定量となるように冷却水入口における当該冷却水の温度ΔＴ_outを決定することができる。 - 特許庁

Secondly, a pool is formed of the treating liquid in the cylinder 12 and, at the same time, an electrolytic cell is formed by dipping a reference electrode 26 in the pool of the treating liquid and exposing the internal surface of the cylinder 12 and electrode 6 in the pool.例文帳に追加

次に、ボンベ１２内に処理液１０のプールを形成すると共にプール内に参照電極２６を浸漬し、ボンベ１２の内面と参照電極２６とを処理液１０のプール内に曝すことにより電解セルを形成する。 - 特許庁

By such information, the present running condition of the system and the power used by the load can be informed and, making a reference to this information, setting operation of the modes of power generation of the fuel cell can be made to be carried out.例文帳に追加

こうした情報により現在のシステムの運転状態や負荷の使用電力を知らせることができると共にこの情報を参考にしながら燃料電池の発電モードの設定の操作を行なわせることができる。 - 特許庁

The calculation part 16 permits a changeover switch 15 to change over the input given to the detection circuit 12 from the input voltage Vpi side to the side of a reference voltage Vre based on the operation condition of a fuel cell stack 1.例文帳に追加

また、演算部１６は、燃料電池スタック１の運転状態に基づいて、検出回路１２に与えられる入力を入力電圧Ｖpi側から基準電圧Ｖref側に切り換えることを切換スイッチ１５に対して許可する。 - 特許庁

To secure a sufficient data holding time by shortening a period in which a bit line BL and a reference bit line ZBL are kept at a L level in a semiconductor memory provided with a memory cell storing data.例文帳に追加

本発明はデータを記憶するメモリセルを備える半導体記憶装置に関し、ビット線ＢＬやリファレンスビット線ＺＢＬがＬレベルに維持される期間を短縮することで十分なデータ保持時間を確保することを目的とする。 - 特許庁

Wirings M2b and M2f connected to a gate electrode of a slave switch circuit cell SW for a substrate bias circuit are electrically connected to wiring M1b for power potential Vdd and wiring M1a for reference potential Vss.例文帳に追加

基板バイアス回路用のスレーブスイッチ回路セルＳＷのゲート電極に接続される配線Ｍ２ｂ，Ｍ２ｆをそれぞれ電源電位Ｖｄｄ用の配線Ｍ１ｂ、基準電位Ｖｓｓ用の配線Ｍ１ａに電気的に接続する。 - 特許庁

An inverter control circuit 60 calculates a reference power Po*, by adding a full output power Po of the cell strings 35, 36, and 37 and a power correction value ΔPo, based on an output voltage VCH, and adjusts an output power.例文帳に追加

インバータ制御回路６０は、太陽電池ストリング３５、３６、３７の全出力電力Ｐo と出力電圧ＶCHに基づく電力補正値ΔＰo とを加算して基準電力Ｐo*を求め出力電力を調整する。 - 特許庁

Temporary master data obtained by picking up the image of a real printed wiring board are divided into pieces, a majority decision is made for cells positioned inside the same piece in the respective pieces, cell kinds turned to the majority are gathered and reference piece data are prepared.例文帳に追加

プリント配線板の実物を撮像して得た仮マスタデータをピースに分割し，各ピースにおける同一のピース内位置のセルについて多数決をとり，多数派となったセル種を集成して基準ピースデータを作成する。 - 特許庁

When the temperature of the cooling water passing through the fuel cell 1 exceeds a reference value, three-way valves 11a, 11b are controlled to open flow passage change-over pipes 13a, 13b for circulating the cooling water in a second cooling water flow passage.例文帳に追加

燃料電池１を通過した冷却水の温度が基準値を超えた場合に、三方弁１１ａ，１１ｂを制御して流路切替配管１３ａ，１３ｂを開き、冷却水を第２冷却水流路に循環させる。 - 特許庁

A memory cell is composed of a series connection body of a selection transistor and two memory transistor, while a defective state of this series connection body is simulated, and a defective model for generating a reference signal at the time of reading out data is provided.例文帳に追加

メモリセルを選択トランジスタと２個のメモリトランジスタとの直列接続体で構成すると共に、この直列接続体の不良状態を模擬し、データ読み出し時の参照信号を発生するための不良モデルを設ける。 - 特許庁

The section determination logic part divides temperatures into section by section with reference to temperatures at which output of the variable delay cell corresponds to output of the constant delay cells according to temperature changes and generates temperature codes corresponding to the temperatures section by section.例文帳に追加

区間判別ロジック部は、温度変化に応じた可変遅延セルの出力と一定遅延セルの出力それぞれが一致する温度を基準として区間別温度に分け、区間別温度に対応する温度コードを発生する。 - 特許庁

The optics and detectors are arranged such that any change in the position of a lens cell 510 within the lens assembly relative to the virtual reference axis 602 is sensed and corrected by using a feedback signal to a positioning motor 516.例文帳に追加

光学系および検出器は、仮想基準軸６０２に対するレンズ組立体内のレンズセル５１０の位置のどんな変化も検知され、位置決めモータ５１６にフィードバック信号を用いることにより補正されるように構成される。 - 特許庁

A sense amplifier SA10 compares a current flowing in the memory cell MC selected in accordance with voltage generated by the voltage generation circuit with a current outputted from a reference current generation circuit 21 in verifying the threshold voltage.例文帳に追加

センスアンプＳＡ１０は、閾値電圧のベリファイ時に、電圧生成回路により生成された電圧に応じて選択されたメモリセルＭＣに流れる電流と、基準電流生成回路２１から出力される電流とを比較する。 - 特許庁

When the signal current is monitored, this circuit can compare the signal current with an average reference current in order to decide whether the selected memory cell (175) is in a first resistance state or a second resistance state.例文帳に追加

信号電流がモニタされると、この回路は、選択されたメモリセル（１７５）が第１の抵抗状態と第２の抵抗状態のいずれにあるかを判定するために、信号電流と平均基準電流を比較することができる。 - 特許庁

The correction amount of the minimum generated output (minus value) is added to the minimum reference value of the generated output (plus value) by an adder 29 to determine the minimum generated output after correction, and it is used for the minimum generated output of a fuel cell.例文帳に追加

そして、加算器２９により、発電電力下限基準値（＋の値）に対して、下限発電電力補正量（−の値）を加算して補正後下限発電電力を求め、これを燃料電池の下限発電電力とする。 - 特許庁

The spread sheet interlocking part associates, to the reference information of each cell of the spread sheet, the company information associated to the spread sheet, thereafter interlocks the financial processing data, and outputs the spread sheet.例文帳に追加

前記表計算シート連動部は、前記表計算シートの各セルの参照情報に、前記表計算シートに関連づけられた会社情報を関連づけた上で、前記財務処理データを連動させて前記表計算シートを出力する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor storage device that improves the access time by making equal the change in the voltage level of a main bit line being connected to a sense amplifier to the same even if any cell is selected, and by increasing a margin for setting a reference voltage.例文帳に追加

センスアンプに接続される主ビット線の電圧レベルの変化をどのメモリセルを選択した場合にも同様とし、リファレンスの電圧設定のマージンを大きくすることで、アクセスタイムを向上させる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory configured to eliminate the failure accompanying writing by eliminating the need for writing information to a reference voltage generation circuit and to prevent a change in characteristics with lapse of time without losing the advantage that follows up the fluctuation in the memory cell characteristics by the variation in reference voltage in manufacturing.例文帳に追加

基準電圧発生回路に情報を書き込むことを不要にすることで書込に伴う不具合を解消するとともに、基準電圧が、製造上のばらつきによるメモリセル特性の変動に追従する利点を失うことなく、経時的な特性の変化を防止できるようにした不揮発性メモリを提供することを目的とする。 - 特許庁

An impression voltage to the each pump cell is raised up over a prescribed period after fuel supply is stopped, during stop of the fuel supply to an internal combustion engine, and a constant voltage is maintained therein to execute reference current quantity updating control, using as the reference current quantity a current quantity detected by the detecting means after the prescribed period.例文帳に追加

内燃機関への燃料供給が停止されている間には燃料供給が停止されてから所定期間に亘ってポンプセルへの印加電圧を上昇させて一定電圧に維持し、上記所定期間の経過後に検出手段によって検出された電流量を基準電流量とする基準電流量更新制御が実行される。 - 特許庁

On a test mode, each of the word lines WL0, WL1, ... is not selected, both of the dummy word lines DWL0, DWL1 are selected, data is read by mutual access to the reference cell 21 in a state in which one of reference voltages VREF0 and VREF1 is set to a level different from that during normal data reading.例文帳に追加

テストモードでは、ワード線ＷＬ０、ＷＬ１，…の各々は非選択とされる一方で、ダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１の両方が選択され、さらに、基準電圧ＶＲＥＦ０およびＶＲＥＦ１の一方を通常のデータ読出時とは異なるレベルに設定した状態でリファレンスセル２１同士へのアクセスによってデータを読出す。 - 特許庁

The data read circuit RDC has a current generator 191 to generate a reference current of 10% smaller based on the pass current which flows when reading the initial data, and a comparator 192 to compare the reference current generated by the current generator 191 and the pass current when writing the predetermined data in the memory cell.例文帳に追加

データ読出回路ＲＤＣにおいて、初期データ読出動作により流れる通過電流に基づいて生成される１０％小さいリファレンス電流を生成する電流生成部１９１と、電流生成部１９１により生成したリファレンス電流と、所定のデータをメモリセルに書込んだ場合の通過電流とを比較する比較部１９２とを設ける。 - 特許庁

A data holding characteristic is improved by providing a non- volatile memory group 40 for reference of which a characteristic is inferior to a non-volatile memory in a memory cell array, and rewriting data accumulated in a non-volatile memory by a control circuit 44 based on a referred result of the non-volatile memory group 40 for reference.例文帳に追加

メモリセルアレイ内の不揮発性メモリ（７）に比して特性の劣る参照用の不揮発性メモリ群（４０）を設けて、前記参照用の不揮発性メモリ群（４０）の参照結果に基づいて、制御回路（４４）により前記不揮発性メモリ（７）に蓄積されたデータを再書き込みすることで、データ保持特性の向上を図るものである。 - 特許庁

A dummy transistor dT11 is arranged near the transistor T11 for a gain connected to a memory cell to be accessed, a bit line BL made for reference by the dummy transistor dT11 is driven, and the influence of a variation in the threshold of the transistor for a gain is offset by using the potential or current of the bit line as a reference signal of a reading determination.例文帳に追加

アクセスされるメモリセルに接続されたゲイン用トランジスタＴ１１の近傍にダミートランジスタｄＴ１１を配置し、それによって参照用とされるビット線ＢＬを駆動して、そのビット線の電位または電流を読み出し判定の参照信号として使用することでゲイン用トランジスタの閾値ばらつきの影響を相殺する。 - 特許庁

The device 1 comprises a reference voltage source, a constant current circuit, a low-voltage detector for detecting a low voltage of the cell, an overvoltage detector for detecting overvoltage of the cell, a delay circuit for setting a delay time when overvoltaging is detected and when reset, and an oscillator for pulse charging up to a low-voltage recovery.例文帳に追加

二次電池充電器制御用半導体装置１は、基準電圧源、定電流回路、セルの低電圧を検出する低電圧検出回路、セルの過電圧を検出する過電圧検出回路、過電圧検出時および復帰時のディレイ時間を設定するディレイ回路、低電圧復帰電圧までパルス充電するための発振器から構成されている。 - 特許庁

When the data stored in the memory cell 212 is detected, the bit line pair connected to the sense amplifier 203 is precharged to a predetermined potential, and then one of the bit lines of the bit line pair is connected to the memory cell 212, and a potential of the other bit line is set to a reference potential by connection of the bit line to the potential generation part 25 to move charges.例文帳に追加

メモリセル２１２に記憶されるデータを検出するとき、センスアンプ２０３に接続されたビット線対は予め定めた電位にプリチャージされた後、ビット線対のいずれか一方のビット線がメモリセル２１２と接続される共に、他方のビット線の電位は、当該ビット線が電位生成部２５に接続されて電荷が移動しリファレンス電位となる。 - 特許庁

The radio control apparatus 30 determines a cell 20 whose communication quality is best in cells 20 provided by each base station 10 in which the channel is set at the portion to the mobile station 50 during soft handover, decides the transmission power value at the downlink channel in the base station 10 providing the cell 20 as the reference value for reporting to each base station 10.例文帳に追加

無線制御装置３０は、ソフトハンドオーバ中の移動局５０との間に回線が設定されている各基地局１０が提供するセル２０のうち、通信品質が最良のセル２０を判定し、このセル２０を提供する基地局１０における下り回線の送信電力値を基準値として決定して、各基地局１０へ通知する。 - 特許庁

The method comprises (a) a step for measuring the rate of VEGFR2 positive and CD34 positive cells and measuring the concentration of the VEGFR2, or measuring the ratio of VEGFR2 to VEGFR1 in a cell population, and (b) a step for selecting a cell population having a larger rate or a larger ratio measured above than the reference numbers.例文帳に追加

（ａ）ＶＥＧＦＲ２陽性およびＣＤ３４陽性である細胞の割合を測定し、ＶＥＧＦＲ２の濃度を測定し、または細胞集団におけるＶＥＧＦＲ１に対するＶＥＧＦＲ２の比を測定するステップと、（ｂ）前記測定された割合または前記測定された比がある基準値を上回る細胞集団を選択するステップとを含む。 - 特許庁

In this air/fuel ratio detector 1, the potential difference between the outside pump electrode of pump cell 14 not faced to a measuring gas chamber and the reference electrode of an oxygen concentration measuring cell 24 is acquired as the gas detection signal Vic through a first differential amplifying circuit 53 and the behavior of the signal Vic shows high response with respect to fluctuations in the air/fuel ratio.例文帳に追加

この装置１では、測定ガス室に面しないポンプセル１４の外側ポンプ電極と酸素濃度測定セル２４の基準電極との間の電位差を、第１差動増幅回路５３を介してガス検知信号Ｖｉｃとして取得しており、信号Ｖｉｃの挙動は排気ガスの空燃比変動に対し高応答性を示す。 - 特許庁

Furthermore, a node X of the 1st cell 14 is connected to the output terminal U and a transistor 8 has a control terminal connected to a node X of the 1st cell 14, a 1st conduction terminal connected to an output terminal U, and a 2nd conduction terminal coupled with a 2nd voltage reference GND through a capacitor Cc.例文帳に追加

更に、第１のセル１４のノードＸを出力端子Ｕに接続すると共に、第１のセル１４のノードＸに接続された制御端子と、出力端子Ｕに接続された第１の導電端子と、キャパシタＣｃを通して第２の電圧基準ＧＮＤに連結された第２の導電端子とを有するトランジスタ８を備える。 - 特許庁

When the conductivity of pure water detected by the conductivity sensor 2 is larger than a starting reference value before the fuel cell 1 starts power generation, the pure water is circulated between the area A and the area C by driving the pump 11 for the bypass to reduce the conductivity of the pure water in the fuel cell 1 with the ion filter 10.例文帳に追加

燃料電池１の発電の開始前に、導電率センサ２により検出された純水の導電率が起動時基準値を超えている場合には、バイパス用ポンプ１１を駆動して領域Ａと領域Ｃとの間で純水を循環させて、イオンフィルタ１０により燃料電池１内の純水の導電率を低下させる。 - 特許庁

The two-dimensional code reading apparatus further includes a setting means for setting the "contribution degree" of each color reference pattern used for determining the display color of each cell image for each cell image.例文帳に追加

更に、各セル画像の表示色を判別する際の各色参照パターンの各々の「寄与度合」を、各セル画像毎に設定する設定手段が設けられており、色判別手段は、複数の色参照パターンの各画像からそれぞれ得られる色情報と、各セル画像毎に設定される「寄与度合」とに基づいて、各セル画像の色判別に用いるセル別基準データを生成している。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.例文帳に追加

絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、半導体層内に形成された第１および第２のトランジスタTr1，Tr2が直列接続されたメモリセル１０が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線ＢＬに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁