「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The first element has a gate electrode 3, and a first source electrode 5b and a first drain electrode 5a.例文帳に追加

第１の素子は、ゲート電極（３）と、第１のソース電極（５ｂ）及び第１のドレイン電極（５ａ）とを有する。 - 特許庁

Droplets to be the source electrode and the drain electrodes are jetted on the formation region based on droplet jetting data.例文帳に追加

この形成領域に、ソース電極およびドレイン電極となる液滴を、打滴データに基づいて打滴する。 - 特許庁

Low energy doping is performed on the source/drain region and the gate electrode 302 after an extension is formed.例文帳に追加

エクステンション形成が行われた後、ソース／ドレイン領域とゲート電極３０２に低エネルギーのドーピングを行う。 - 特許庁

To solve a matter that a parasitic resistance occurs because a limited interval exists between the gate electrode and each source/drain electrode.例文帳に追加

ゲート電極と各ソース／ドレイン電極間に有限の間隔が存在するため、寄生抵抗が発生する。 - 特許庁

Ion pouring is effected by employing the gate electrode as a mask to form a source region 16 and a drain region 17.例文帳に追加

ゲート電極をマスクとしてイオン注入を行いソース領域１６とドレーン領域１７を形成する。 - 特許庁

In the source and drain regions of the semiconductor layer 102, n-type SiC semiconductor regions 103 are formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２のソースおよびドレイン領域にn型SiC半導体領域１０３が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING EXTREMELY SHALLOW SOURCE/DRAIN EXPANSION PART BY DOPING GATE AND SEMICONDUCTOR RESULTING THEREFROM例文帳に追加

ゲ—トにド—ピングを施し、非常に浅いソ—ス／ドレイン拡張部を作成する方法および結果として得られる半導体 - 特許庁

An ion is implanted to the exposed substrate to form a common source region 120 and a drain region 122.例文帳に追加

露出された基板にイオン注入して共通ソース領域１２０及びドレイン領域１２２を形成する。 - 特許庁

The source region 23 and the drain region 26 are formed to positions deeper than the second body contact area 24.例文帳に追加

ソース領域２３とドレイン領域２６は、第２ボディコンタクト領域２４よりも深い位置にまで形成されている。 - 特許庁

Source and drain regions 33B and 37B are formed in the semiconductor pads, thus obtaining a semiconductor nanowire transistor.例文帳に追加

半導体パッド内にソース及びドレイン領域３３Ｂ，３７Ｂが形成され、半導体ナノワイヤ・トランジスタが得られる。 - 特許庁

Moreover, first and second source-drain diffusion layers are formed adjacently to the first and the second gate structures on the surface of the substrate.例文帳に追加

第１、第２ゲート構造に隣接して基板表面に、第１、第２ソース・ドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

After a gate electrode is formed, a semiconductor film has once selectively been formed in a source region and a drain region.例文帳に追加

ゲート電極形成後、一旦選択的に半導体膜をソース領域及びドレイン領域に形成する。 - 特許庁

Activation for the source/drain regions can be made at a low temperature and in a short time by operation of the catalyst elements.例文帳に追加

この触媒元素の作用により、ソース／ドレイン領域の活性化が低温度で、短時間で行うことができる。 - 特許庁

A TFT 11 having a source electrode 9b and a drain electrode 10 for switching a pixel is formed.例文帳に追加

画素へのスイッチングのためにソース電極９ｂ及びドレイン電極１０を備えるＴＦＴ１１を形成する。 - 特許庁

This MOSFET is provided with a drain electrode 22, a source electrode 38, a gate electrode 36, and a semiconductor area.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ドレイン電極２２と、ソース電極３８と、ゲート電極３６と、半導体領域を備えている。 - 特許庁

A source/drain region 17 includes a low density impurity region 171 and a high density impurity region 172.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域１７は、低濃度の不純物領域１７１及び高濃度の不純物領域１７２を含む。 - 特許庁

A channel region 2, a source region 3, and a drain region 4 are formed on a polycrystalline semiconductor layer 1.例文帳に追加

多結晶の半導体層１に、チャネル領域２、ソース領域３、および、ドレイン領域４が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a source-drain area 30 is formed in the active area 31 on both sides of the gate electrode 22.例文帳に追加

さらに、ゲート電極２２の両側部における活性領域３１にソース・ドレイン領域３０を形成する。 - 特許庁

The first and second gate electrodes share the same source/drain region to form first and second transistors.例文帳に追加

第１と第２ゲート電極は、同一のソース／ドレイン領域を共有し、第１と第２トランジスタが形成される。 - 特許庁

A gate electrode 124 is covered with a gate insulating film 140 on which a source electrode 193 and a drain electrode 195 are formed.例文帳に追加

ゲート電極（124）がゲート絶縁膜（140）で覆われ、その上にソース電極（193）とドレイン電極（195）とが形成されている。 - 特許庁

On the electron supply layer, a source electrode (30F) and a drain electrode (31F) are arranged away from each other.例文帳に追加

電子供給層の上に、ソース電極(30F)及びドレイン電極(31F)が、相互に間隔を隔てて配置されている。 - 特許庁

To provide a field effect transistor (FET) including a source side semiconductor, a drain side semiconductor, and a gate.例文帳に追加

ソース側半導体、ドレイン側半導体、およびゲートを含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供すること。 - 特許庁

A PN diode 22 is connected between a source electrode 30 and a drain electrode 29 of a GaN-HFET 21.例文帳に追加

ＧaＮ‐ＨＦＥＴ２１のソース電極３０とドレイン電極２９との間にＰＮダイオード２２を接続する。 - 特許庁

IMPROVED NONVOLATILE REWRITABLE INTERCONNECT CELL HAVING WRITABLE EMBEDDED SOURCE/DRAIN IN SENSE TRANSISTOR例文帳に追加

センストランジスタ中の書き込み可能埋込ソ—ス／ドレインを有する改善された不揮発性再書き込み可能インタ—コネクトセル - 特許庁

A drain region and a source region are formed at positions sandwiching the gate electrode therebetween on the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面のゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

As a result, as the film substrate 41 is contracted, the source and drain electrodes 42 are contracted.例文帳に追加

すると、フィルム基板４１の収縮とともにそれに付着して形成されたソース・ドレイン電極４２も収縮する。 - 特許庁

The silicon substrate 100 is provided with a source 160 and a drain 170 in both sides of the gate oxide film 120.例文帳に追加

シリコン基板１００には、ゲート酸化膜１２０の両側にソース１６０とドレイン１７０が設けられている。 - 特許庁

The two source-drain electrodes are sandwiched by the insulating substrate and the gate insulating film even in an inverse stagger structure.例文帳に追加

逆スタガー型構造においてもソース／ドレイン電極を絶縁性基板とゲート絶縁膜とで挟む構成とする。 - 特許庁

An organic transistor element 100 is provided by arranging a source electrode 12A and a drain electrode 12B on a substrate 10.例文帳に追加

有機トランジスタ素子１００は、基板１０上に、ソース電極１２Ａ及びドレイン電極１２Ｂが配設されている。 - 特許庁

A stress-inducing dielectric layer is located over the slanted sidewall surfaces of the recesses at the source and drain regions.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域の陥凹部の傾斜側壁表面の上には応力誘導誘電体層が位置する。 - 特許庁

A pair of source/drain regions 4, having a second conductivity type, are formed on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第２導電型を有する１対のソース／ドレイン領域４が半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

The stereoscopic structure has a channel region 13Qa between a source electrode 13Sa and a drain electrode 13Da.例文帳に追加

立体構造はソース電極１３Ｓａとドレイン電極１３Ｄａとの間にチャネル領域１３Ｑａを有する。 - 特許庁

A pair of source/drain regions S/D are provided on the surface of the semiconductor substrate across the channel region.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄが、チャネル領域を挟むように半導体基板の表面に設けられる。 - 特許庁

On the substrate, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a gate dielectric layer are formed, in advance.例文帳に追加

この基板上にはゲート電極、ソース電極及びドレイン電極並びにゲート誘電体層を形成しておく。 - 特許庁

A voltage comparator circuit compares the drain-source voltages of the two MOSFETs to detect the current.例文帳に追加

前記２つのＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間電圧を電圧比較回路で比較して電流検出を行なう。 - 特許庁

The semiconductor relay Tr is provided with a source terminal TS between a gate terminal TG and the drain terminal TD.例文帳に追加

また、半導体リレーＴｒは、ゲート端子ＴＧとドレイン端子ＴＤとの間にソース端子ＴＳを備える。 - 特許庁

Current that is controlled by the gate electrode 19 flows to a source electrode 25 and a drain electrode 27.例文帳に追加

ソース電極２５およびドレイン電極２７には、該ゲート電極１９によって制御される電流が流れる。 - 特許庁

The source electrode S and the drain electrode D are formed, separated by a predetermined distance above the active layer A.例文帳に追加

ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、活性層Ａの上部に所定距離だけ離隔して形成される。 - 特許庁

The TFT array substrate further has a pixel electrode 18 electrically connected to the source electrode 9 and the drain electrode 11.例文帳に追加

さらに、ソース電極９及びドレイン電極１１に電気的に接続された画素電極１８を有する。 - 特許庁

The semiconducting layer 12 formed of a semiconductor composition extends between the source electrode 20 and drain electrode 22.例文帳に追加

半導体組成物から形成される半導体層１２は、ソース電極２０とドレイン電極２２との間に延びる。 - 特許庁

Impurities for source and drain are injected to the surface layer part of the semiconductor substrate (b) using the gate pattern as a mask.例文帳に追加

（ｂ）ゲートパターンをマスクとして、半導体基板の表層部に、ソース及びドレイン用の不純物を注入する。 - 特許庁

Each electrode is joined to a lead frame 30 interposed between the source electrode (S) and the drain electrode (D).例文帳に追加

ソース電極（Ｓ）とドレイン電極（Ｄ）との間に介在させたリードフレーム３０に各電極を接合させる。 - 特許庁

To reduce the junction capacitance parasitic on a source region and a drain region, and reduce the capacitance parasitic on a wiring.例文帳に追加

ソース領域、ドレイン領域に寄生する接合容量を低減し、配線に寄生する容量を低減する。 - 特許庁

A contact part is set in a self-aligning manner on a source/drain region using an approximately triangular insulator 22.例文帳に追加

概略三角形状の絶縁物２２によって、ソース／ドレイン領域へのコンタクト部を自己整合的に決める。 - 特許庁

A heat treatment at high temperatures is carried out for activating impurity in the source/drain region.例文帳に追加

この後、深いソース／ドレイン領域１１ｐ，１１ｎ中の不純物を活性化するための高温熱処理を行う。 - 特許庁