「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The second transistor 5 has: a second gate electrode 22 formed on the semiconductor substrate 100 via a second gate insulating film 51; a second source-drain region 31; and the first common source-drain region 30.例文帳に追加

第２トランジスタ５は、半導体基板１００上に第２ゲート絶縁膜５１を介して形成された第２ゲート電極２２と第２ソース・ドレイン領域３１と第１共通ソース・ドレイン領域３０とを備える。 - 特許庁

The element active portion 101 includes: a source region 105 and a drain region 106 located opposite each other in a gate length direction; and a channel region 107 interposed between the source region 105 and the drain region 106.例文帳に追加

素子活性部１０１は、ゲート長方向において互いに対向するソース領域１０５およびドレイン領域１０６と、ソース領域１０５とドレイン領域１０６との間に介在するチャネル領域１０７とを含む。 - 特許庁

The minimum value of film thickness of the part formed on a second source-drain region 22B in the liner insulating film 25 is larger than the minimum value of film thickness of the part formed on a first source-drain region 22A.例文帳に追加

ライナ絶縁膜２５における第２のソースドレイン領域２２Ｂ上に形成された部分の膜厚の最小値は、第１のソースドレイン領域２２Ａ上に形成された部分の膜厚の最小値よりも大きい。 - 特許庁

The first transistor 2 has: a first gate electrode 21 formed on a semiconductor substrate 100 via a first gate insulating film 51; a first source-drain region 31; and a first common source-drain region 30.例文帳に追加

第１トランジスタ２は、半導体基板１００上に第１ゲート絶縁膜５１を介して形成された第１ゲート電極２１と第１ソース・ドレイン領域３１と第１共通ソース・ドレイン領域３０とを備える。 - 特許庁

Source/drain regions 4 and 4' are selectively formed in the surface of a body region 16 and extension regions 5 and 5' extending from the extremity of the source/drain regions 4 and 4' which are opposed to each other are respectively formed.例文帳に追加

すなわち、ボディー領域１６の表面内に選択的にソース・ドレイン領域４，４′が形成され、互いに対向するソース・ドレイン領域４，４′の先端部から延びてエクステンション領域５，５′がそれぞれ形成される。 - 特許庁

Then, a pattern forming process is carried out for the transparent conductive layer, a source and a drain are formed, an active layer is formed in such a manner that the source, the drain, and the dielectric layer are covered, and a self-alignment TFT structure is completed.例文帳に追加

次に、該透明導電層にパターン形成プロセスを実行して、ソースとドレインとを形成し、ソース、ドレイン、及び誘電体層を覆うようアクティブ層を形成して、自己整合ＴＦＴ構造体が完成する。 - 特許庁

As a result, the transistor Tr is turned on, and a current I flows in a drain of the transistor Tr, thereby, a source potential of the transistor Tr is raised by a resistance R3 connected to a source of the transistor Tr when a drain current flows.例文帳に追加

この結果、トランジスタＴｒがオンしてトランジスタＴｒのドレインに電流Ｉが流れ、ドレイン電流が流れるとトランジスタＴｒのソースに接続された抵抗Ｒ３によってソース電位が上昇する。 - 特許庁

To solve the problem that, when a silicide film is formed on a source-drain region, the silicide film penetrates through the source-drain region or an SOI layer disappears, because Si is consumed by a silicification reaction.例文帳に追加

従来のサリサイド法により、ソース・ドレイン領域上にシリサイド膜を形成すると、Ｓｉがシリサイド化反応によって消費されるため、シリサイド膜がソース・ドレイン領域を突き抜けたり、ＳＯＩ層が消失したりする。 - 特許庁

To provide a field effect transistor with source/drain region of lift structure, which prevents facets that are produced when the source/drain regions are formed through the selective growth of an epitaxial layer and its manufacturing method.例文帳に追加

選択的なエピタキシャル層の成長によりソース／ドレイン領域を形成するときに発生するファセットを防止する上昇された構造のソース／ドレインを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A field-effect transistor gate region comprising a channel and a gate electrode is formed on the first source/drain region, and then a second source/ drain region is formed on a channel having an appropriate conduction type.例文帳に追加

チャネルおよびゲート電極を備えた電界効果トランジスタ・ゲート領域が、第１のソース／ドレイン領域の上に形成され、次に第２のソース／ドレイン領域が、適切な導電型を有するチャネルの上に形成される。 - 特許庁

A source wiring 17S and a drain wiring 17D respectively connected to a source 13S and a drain 13D of the semiconductor layer 13 through the contact holes CH extend on the interlayer insulating film 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１６上には、コンタクトホールＣＨを通して半導体層１３のソース１３Ｓ及びドレイン１３Ｄとそれぞれ接続されたソース配線１７Ｓ及びドレイン配線１７Ｄが延在している。 - 特許庁

Second source-drain regions (21p, 21n) deeper than the first source-drain regions are formed, by implanting ions of the first conductivity impurity, in a self-aligned manner to the gate electrode with the sidewall film formed therein.例文帳に追加

側壁膜を形成したゲート電極に対し自己整合的に第１導電型不純物をイオン注入し、第１のソース・ドレイン領域より深い深さを有する第２のソース・ドレイン領域（２１ｐ、２１ｎ）を形成する。 - 特許庁

A capacitor CP10 and source/ drain regions 11 and 13 are connected electrically by contact plugs 101 each inserted into the capacitor CP10 to reach the source/the drain 11 and 13 regions.例文帳に追加

キャパシタＣＰ１０とソース・ドレイン領域１１および１３との電気的な接続は、何れもキャパシタＣＰ１０内に挿入され、ソース・ドレイン領域１１および１３に達するコンタクトプラグ１０１によってなされている。 - 特許庁

A fin layer 4 has the source region 21, the channel region 22, and the drain region 23 of a P type fin FET 20, and the drain region 24, the channel region 25, and the source region 26 of an N type fin FET 30.例文帳に追加

フィン層４には、Ｐ型フィンＦＥＴ２０のソース領域２１、チャネル領域２２、ドレイン領域２３と、Ｎ型フィンＦＥＴ３０のドレイン領域２４、チャネル領域２５、ソース領域２６とが形成される。 - 特許庁

With this constitution, the source potential and the drain potential of each liquid crystal elements can be changed independently of each other, and a potential difference to be given to the liquid crystal elements is determined by combination between the source potential and the drain potential.例文帳に追加

かかる構成によれば，各液晶素子のソース電位とドレイン電位を独立して変化させることができ，ソース電位とドレイン電位との組み合わせにより液晶素子に与えられる電位差が決定される。 - 特許庁

An element separation area 2 is not formed in the area where the element separation area 2 and a source area or drain area 3 as a buried bit line cross each other, and the source area or drain area 3 is formed.例文帳に追加

素子分離領域２と、埋め込みビットラインであるソース領域またはドレイン領域３とが交差する領域では、素子分離領域２が形成されず、ソース領域またはドレイン領域３が形成された構成とする。 - 特許庁

A drain high concentration region 10D, a drain low concentration region 11D, a channel region, a source low concentration region 11S and a source high concentration region 10S are defined as in this order, along the first direction inside the surface on a polycrystalline silicon film 3.例文帳に追加

多結晶シリコン膜に、その面内の第１の方向に沿ってドレイン高濃度領域、ドレイン低濃度領域、チャネル領域、ソース低濃度領域、及びソース高濃度領域がこの順番に画定されている。 - 特許庁

Furthermore, the source side of MOSgn3 is connected with a third signal voltage, the source side of the MOSgp2 is connected to the drain side of the MOSbp3, and the drain side of the MOSgp2 or MOSbn2 serves as the output node.例文帳に追加

さらに、ＭＯＳｇｎ３のソース側を第３の信号電圧に接続し、ＭＯＳｇｐ２のソース側をＭＯＳｂｐ３のドレイン側に接続し、ＭＯＳｇｐ２又はＭＯＳｂｎ２のドレイン側を出力節点とする。 - 特許庁

In at least one of silicon constituting the source-drain regions 122 and carbon contained in the source-drain regions 122, the abundance ratio of stable isotopes having mass numbers greater than the principal isotope is higher than the natural abundance ratio.例文帳に追加

ソースドレイン領域１２２を構成するシリコン及びソースドレイン領域１２２に含まれる炭素の少なくとも一方は、主同位体よりも質量数が大きい安定同位体の存在比が、天然存在比よりも高い。 - 特許庁

The MOS transistor comprises the source/drain region 12 formed on the element region on an Si substrate, and a gate electrode 14 containing a silicide and formed on a channel region between the source/drain region 12 via a gate oxide film 13.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１上の素子領域にはソース・ドレイン領域１２が形成され、ソース・ドレイン領域１２の間のチャネル領域上にゲート酸化膜１３を介してシリサイドを含むゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

A source electrode 12 and a drain electrode 13 are formed via a silicide film 10 on the source region 7 and the drain region 8, and an insulating film 6 formed by anode oxidization is formed so that the gate electrode 5 can be covered.例文帳に追加

ソース領域７、ドレイン領域８上にシリサイド膜１０を介してソース電極１２、ドレイン電極１３が設けられ、陽極酸化による絶縁膜６がゲート電極５を覆うように設けられている。 - 特許庁

The first clamping circuit CLAMP1 ensures a voltage between the gate and the source/drain of a PMOS transistor P1, that supplies a pumped voltage, so that a voltage between a drain/source of the transistor P1 does not exceed a predetermined voltage.例文帳に追加

第１クランプ回路ＣＬＡＭＰ１は、ポンプ電圧を供給するＰＭＯＳトランジスタＰ１のドレイン／ソースが所定電圧を超えないように、トランジスタＰ１のゲートとソース／ドレインとの間の電圧を確保する。 - 特許庁

The TFT 20 includes a source electrode 21, a drain electrode 22 and a gate electrode 23, and a shielding electrode 24 disposed at the opposite side to the gate electrode 23 with respect to the source electrode 21 and the drain electrode 22.例文帳に追加

ＴＦＴ２０は、ソース電極２１、ドレイン電極２２、及びゲート電極２３と、ソース電極２１及びドレイン電極２２に対しゲート電極２３と反対側に配置されたシールド電極２４とを備える。 - 特許庁

A source / drain region 54 is formed inside the top face of the semiconductor substrate 1 in the logic forming region, and a cobalt silicide film 59 is formed inside the top face in the source / drain region 54.例文帳に追加

また、ロジック形成領域における半導体基板１の上面内にはソース・ドレイン領域５４が形成されており、そのソース・ドレイン領域５４の上面内にはコバルトシリサイド膜５９が形成されている。 - 特許庁

An organic semiconductor layer 7 is held between the source or drain electrode 6 and a drain or source electrode 8, and an organic transistor channel is vertically formed on the interface of the organic semiconductor layer 7 with the gate insulation film 5.例文帳に追加

有機半導体層７は、ソース又はドレイン電極６とドレイン又はソース電極８との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層７とゲート絶縁膜５との界面に垂直方向に形成される。 - 特許庁

The second threshold voltage defined between the gate electrode and N-type source/drain region 5 is larger than the first threshold voltage defined between the gate electrode and the N-type source/drain region 4 in the MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴにおけるゲート電極とＮ型ソース・ドレイン領域５との間で規定される第２の閾値電圧は、ゲート電極とＮ型ソース・ドレイン領域４との間で規定される第１の閾値電圧よりも大きい。 - 特許庁

A source electrode 204, a drain electrode 206, and a gate electrode 208 are provided on a silicon substrate 202, and a carbon nanotube structure 131 is fixed so as to straddle over the source electrode 204 and the drain electrode 206.例文帳に追加

シリコン基板２０２上に、ソース電極２０４、ドレイン電極２０６およびゲート電極２０８を設け、ソース電極２０４とドレイン電極２０６にまたがるようにカーボンナノチューブ構造体１３１を固定する。 - 特許庁

A channel 18, a source 16 and a drain 17 are included in the oxide film, and the concentration of hydrogen or heavy hydrogen in the source section and the drain section is larger than that in the channel.例文帳に追加

または、酸化物膜の中に、チャンネル部位１８とソース部位１６とドレイン部位１７とを有し、ソース部位とドレイン部位との水素又は重水素の濃度がチャンネル部位の水素又は重水素の濃度よりも大きい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for which the potential difference between a drain electrode and a source electrode is enlarged, to discharge a surge current flowing in through the drain electrode effectively out of the source electrode and base electrodes.例文帳に追加

ドレイン電極とソース電極の間の電位差を拡大することにより、ドレイン電極から流入したサージ電流をより効率よくソース電極および基板電極から放出する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A source electrode 5 and a drain electrode 6 are formed at an interval on a substrate 1, and a semiconductor layer 4 is formed of an oxide semiconductor layer on those source electrode 5, drain electrode 6, and substrate 1.例文帳に追加

基板１上にソース電極５及びドレイン電極６を間隔をあけて形成し、次いでこれらソース電極５、ドレイン電極６及び基板１の上に、酸化物半導体層よりなる半導体層４を形成する。 - 特許庁

The source and drain electrodes and the impurity doped semiconductor layer are etched in a single processing step using a protective insulation layer 145 as a mask for the purpose of forming the source and the drain electrodes 143a and 143b.例文帳に追加

又、ソース、ドレイン電極１４３ａ，１４３ｂを形成するために、保護絶縁層１４５をマスクとして用いて、前記ソース、ドレイン電極及び不純物ドープ半導体層を単一の工程(ａ single step)でエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor device comprises the steps of implanting a dopant to a semiconductor substrate to form a source-drain diffusing layer, and diffusing the dopant within the source-drain diffusing layer with the heat treatment under the acidic gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板にドーパントを注入し、ソース・ドレイン拡散層を形成する工程と、酸化性ガス雰囲気中での熱処理によって、前記ソース・ドレイン拡散層内のドーパントを拡散させる工程とを順次に有する。 - 特許庁

As the discharge of the drain line DL is started prior to the discharge of the source line, the potential difference between the drain and the source of the memory cell 11 at the time of reset operation does not become large, and a current does not flow in this memory cell 11.例文帳に追加

ドレイン線ＤＬの放電がソース線よりも先に開始されるので、リセット動作時におけるメモリセル１１のドレイン−ソース間の電位差は大きくならず、このメモリセル１１に電流は流れない。 - 特許庁

That is, by changing the level of voltage applied to a first terminal and a second terminal (terminals serving as a source and a drain) every given period, the source and the drain are switched every given period.例文帳に追加

つまり、トランジスタの第１の端子と第２の端子（ソース又はドレインとなる端子）に加わる電圧の大小関係を任意の期間毎に入れ替えることにより、ソースとドレインを任意の期間毎に切り替える構成とする。 - 特許庁

A ferroelectric transistor has a ferroelectric film at a gate insulation film, one side of source/drain is connected to a plate line, the other side of source/drain and a well are connected to a connection node, and a gate is connected to a drive line.例文帳に追加

強誘電体トランジスタは、ゲート絶縁膜に強誘電体膜を有し、ソース／ドレインの一方がプレート線に接続され、ソース／ドレインの他方およびウエルが接続ノードに接続され、ゲートがドライブ線に接続されている。 - 特許庁

A pixel electrode 11 is connected to the source/drain 22a of a thin film transistor 12 through an electrically conductive light-shielding layer 25 and an electrically conductive film 34 so that the electrically conductive light-shielding layer 25 acts as a contact layer for the source/drain 22a.例文帳に追加

画素電極１１が導電性遮光層２５と導電膜３４とを介して薄膜トランジスタ１２のソース／ドレイン２２ａに接続しており、導電性遮光層２５がソース／ドレイン２２ａのコンタクト層を兼ねている。 - 特許庁

Gates of the transistors are formed in parallel to the source pads S and drain pads which are each alternately arrayed (so that the array direction of the source pads S and drain pads is parallel with the long-side direction of the gates).例文帳に追加

また、トランジスタのゲートは、それぞれ交互に配列されたソースパッドＳ、およびドレインパッドＤと平行するように（ソースパッドＳ、およびドレインパッドＤの配列方向とゲートの長辺方向とが平行となる）形成されている。 - 特許庁

In pMOSs 18 and 20, a source region 30 consists of a p+ source region 34 and an LDD region 36 consisting of p-, and a drain region 32 comprises a p+ drain region and an LDD region 40 consisting of p-.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１８、２０は、ソース領域３０がｐ^+ ソース領域３４とｐ^- からなるＬＤＤ領域３６とからなり、ドレイン領域３２がｐ^+ ドレイン領域とｐ^- からなるＬＤＤ領域４０とからなっている。 - 特許庁

As mentioned above, the source/drain regions 6 are turned silicide after the gate electrode 9 has been turned silicide, so that silicide hardly condenses in the source/drain regions 6 in a thermal treatment in which the gate electrode 9 is turned silicide.例文帳に追加

このように、ゲート電極５のシリサイド化の後にソース・ドレイン領域６をシリサイド化することによって、ゲート電極５のシリサイド化での熱処理によって、ソース・ドレイン領域６でシリサイドが凝集することがない。 - 特許庁

When a drain-source voltage VDS of the TR T4 is fluctuated, a drain-source current IDS of the TR T4 is slightly and linearly changed and the TR T4 acts like a resistor with a high resistance.例文帳に追加

トランジスタＴ４のドレイン−ソース間電圧Ｖ_DSに変動があった場合には、トランジスタＴ４のドレイン−ソース間電流Ｉ_DSが線形特性でわずかに変動し、トランジスタＴ４が大きな値の抵抗として機能する。 - 特許庁

Also, a source terminal of a switching TFT13 is connected to source wiring Si, and a drain terminal thereof is connected to a gate terminal of the driving TFT12.例文帳に追加

また、スイッチ用ＴＦＴ１３のソース端子がソース配線Ｓｊに接続され、ドレイン端子が駆動用ＴＦＴ１２のゲート端子に接続されている。 - 特許庁

The output ends of the above two systems are connected to each drain of the second conductivity-type of cross-coupled FETs, and the second power source is connected to each source.例文帳に追加

上記二系統の出力端をクロスカップルされた第２導電型ＦＥＴの各ドレインに接続し、各ソースには第２の電源を接続する。 - 特許庁

The NchTrN1 connects the source to one end of a direct current electric source 11 and one end of a load 12, and connects the drain to the gate of the PchTrP1.例文帳に追加

ＮｃｈＴｒＮ１は、ソースを直流電源１１の一端および負荷１２の一端に接続し、ドレインをＰｃｈＴｒＰ１のゲートに接続する。 - 特許庁

The source of the amplifier transistor AMP is connected to a vertical signal line Vsig, while a first voltage supply source DRN_AMP is connected to the drain.例文帳に追加

増幅トランジスタＡＭＰのソースは垂直信号線Ｖｓｉｇに接続され、ドレインには第１の電圧供給源ＤＲＮ＿ＡＭＰが接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of improving withstand voltage in a drain side and suppressing increase in capacitance between gate and source in the source side.例文帳に追加

ドレイン側では耐圧向上等のためのフィールドプレートを形成し、ソース側ではゲート−ソース間の容量の増加を防止する半導体装置を提供する。 - 特許庁