「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

A drain of the NMOS transistor QLi is connected to a discrimination result line CHKiL, and a source is grounded.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタＱＬｉのドレインは判定結果線ＣＨＫｉＬに接続され、ソースは接地される。 - 特許庁

A semiconductor device of the present invention includes a gate 2, an extension layer 4, source/drain layers 6, and a silicide layer 8.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート２と、エクステンション層４と、ソース・ドレイン層６と、シリサイド層８とを具備する。 - 特許庁

In addition, an inverter electrically connected to a source electrode or a drain electrode of the transistor is included.例文帳に追加

またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続されたインバータを有している。 - 特許庁

The source and drain regions comprise a material that induces physical stress upon the semiconductor channel region.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域は、半導体チャネル領域に物理的な応力を与える材料で構成される。 - 特許庁

In addition, a capacitor electrically connected to a source electrode or a drain electrode of the transistor is included.例文帳に追加

またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有している。 - 特許庁

A source electrode 108 and a drain electrode 109 are formed on the first insulation film 105.例文帳に追加

ソース電極１０８及びドレイン電極１０９は第１の絶縁膜１０５上に形成されている。 - 特許庁

A source electrode 109 and a drain electrode 110 are provided on the undoped AlGaN layer 104.例文帳に追加

アンドープＡｌＧａＮ層１０４の上にはソース電極１０９及びドレイン電極１１０が設けられる。 - 特許庁

An n^++ source region 3 and drain region 4 are provided with a p^+ gate region 2 in-between.例文帳に追加

ｎ^＋＋型のソース領域３及びドレイン領域４が、ｐ^＋型のゲート領域２を挟んで設けられる。 - 特許庁

Electrodes 17a, 18a, and 19a contain a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode respectively.例文帳に追加

電極１７ａ、１８ａ、１９ａは、それぞれ、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を含む。 - 特許庁

After the silicide region 11 is formed in the source-drain region 8, the second sidewall 10 is removed.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域８にシリサイド領域１１が形成された後、第２のサイドウォール１０が除去される。 - 特許庁

CMOS STRUCTURE WITH NON-EPITAXIAL RAISED SOURCE/DRAIN AND SELF-ALIGNED GATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

非エピタキシャル隆起型ソース／ドレインおよび自己整合型ゲートを有するＣＭＯＳ構造と製造方法 - 特許庁

Each MOSFET comprises source and drain regions located in a semiconductor substrate.例文帳に追加

具体的には、それぞれのＭＯＳＦＥＴは、半導体基板内に位置するソースおよびドレイン領域を有する。 - 特許庁

To form a conductive plug having a desired contact size on the source/drain region of a transistor for memory.例文帳に追加

メモリ用トランジスタのソース・ドレイン領域上に、所望のコンタクトサイズを有する導電性プラグを形成する。 - 特許庁

A silicide film is arranged on the surface of the source/drain region and is extended to the element isolation insulating film.例文帳に追加

シリサイド膜は、ソース／ドレイン領域の表面上に配設され、素子分離絶縁膜上まで延在する。 - 特許庁

The second tunneling field effect transistor includes a second drain, and shares the first source 122a.例文帳に追加

上記第２トンネル電界効果トランジスタは、第２ドレインを含み、上記第１ソース１２２ａを共有している。 - 特許庁

The stress applying film 7 is formed over a source/drain region 5 of an nMOS transistor Tr.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタＴｒのソース／ドレイン領域５を覆うように応力付与膜７が形成されている。 - 特許庁

An IGZO semiconductor layer is provided on the source electrode layer and the drain electrode layer, and a source region and a drain region having lower oxygen concentration than the IGZO semiconductor layer is intentionally provided between the source electrode and drain electrode, and a gate insulating layer to form an ohmic contact.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

The source/drain region 14 is formed at a recess section 10a formed outside the sidewall 19.例文帳に追加

ソースドレイン領域１４は、サイドウォール１９の外側方に形成されたリセス部１０ａに形成されている。 - 特許庁

A middle-of-line (MOL) dielectric layer may be formed directly on the source and drain pads.例文帳に追加

ソース及びドレイン・パッドの上に、中間工程（ＭＯＬ）誘電体層を直接形成することができる。 - 特許庁

To reduce a size of a power MOS transistor and to prevent drop of breakdown voltage between a source and a drain.例文帳に追加

パワーＭＯＳトランジスタのサイズの縮小を図り、ソース・ドレイン間絶縁破壊電圧の低下を防止する。 - 特許庁

In respective groups G_N, all input terminals IN are connected to a common drain source line DSL.例文帳に追加

各グループＧ_Nにおいて、全ての入力端子ＩＮが共通のドレインソース線ＤＳＬに接続されている。 - 特許庁

Then, ohmic contacts are formed by depositing contact metal 290 in the source and drain regions.例文帳に追加

次いで、ソース及びドレイン領域に接点金属２９０を堆積することにより、オーミック接点を形成する。 - 特許庁

To measure a leak current between a drain and source (DS) of a transistor in a gradation voltage selection circuit.例文帳に追加

階調電圧選択回路におけるトランジスタのＤＳ（ドレイン−ソース）間のリーク電流を測定する。 - 特許庁

A lightly doped source/drain region is formed on the substrate surface between the second insulating film and the gate structure.例文帳に追加

第２絶縁膜とゲート構造物間の基板表面に低濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

An organic thin film transistor generally comprises, on a substrate 20, a gate electrode 30, a source electrode 50, a drain electrode 60, an electrically insulating gate dielectric layer 40 which separates the gate electrode from the source and drain electrodes, and a semiconducting layer 70 which is in contact with the gate dielectric layer and bridges the source and drain electrodes.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタは一般に、基板２０上に、ゲート電極３０、ソース電極５０およびドレイン電極６０、ゲート電極をソースおよびドレイン電極と分離する電気絶縁ゲート誘電体層４０、およびゲート誘電体層と接触し、ソースおよびドレイン電極を架橋する半導体層７０を含む。 - 特許庁

A drain region 3, a source region 4 and a gate electrode 5 are arranged in the inactive region 6.例文帳に追加

非活性領域６には、ドレイン領域３、ソース領域４及びゲート電極５が配置されていない。 - 特許庁

A thin film transistor comprises a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25 and a channel region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル領域２６を含む。 - 特許庁

An input terminal and an output terminal are connected to the drain and the source of a MOSFET 12.例文帳に追加

入力端子、出力端子は、それぞれＭＯＳＦＥＴ１２のドレイン、ソースに接続する構成をとる。 - 特許庁

These wirings are respectively connected with a gate electrode, a source electrode and a drain electrode of the semiconductor device.例文帳に追加

これらの配線は、半導体装置のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極とそれぞれ接続する。 - 特許庁

Accordingly, a junction leakage current between the source-drain 5 and the silicon board 1 can be reduced.例文帳に追加

これにより、ソース・ドレイン５とシリコン基板１との間の接合リーク電流を減少させることができる。 - 特許庁

A second transistor has the drain connected to the RF output, and the source connected to the ground.例文帳に追加

第２のトランジスタはＲＦ出力に接続されたドレインと接地に接続されたソースを有している。 - 特許庁

In the semiconductor part 3 of a Fin shape, a source region is formed in one side and a drain region is formed in the other side.例文帳に追加

Ｆｉｎ状の半導体部３は、一方にソース領域、他方にドレイン領域が形成される。 - 特許庁

In a cell transistor TC, a source drain region BL is formed at a part lower than a part of the channel region.例文帳に追加

セルトランジスタＴＣは、ソース・ドレイン領域ＢＬがチャネル領域の一部よりも下方に形成される。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 14 is disposed between a source region and the drain region of an MOS transistor 1.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層１４は、ＭＯＳトランジスタ１のソース−ドレイン領域間に配置される。 - 特許庁

Next, a source selection gate signal SSG and a drain selection gate signal DSG is made intermediate voltage Vleg (<(Vds+Vth)).例文帳に追加

次に、ソース選択ゲート信号SSGおよびドレイン選択ゲート信号DSGを中間電圧Ｖleg(＜(Ｖds＋Ｖth))にする。 - 特許庁

Impurity region is formed by source or drain on a semiconductor substrate 100 close to a gate 501.例文帳に追加

ゲート５０１に近接する半導体基板１００にソースまたはドレインで不純物領域を形成する。 - 特許庁

Word lines WL1, WL2, ... oppose a region between the drain region 6 and the source region 7.例文帳に追加

ワードラインＷＬ１，ＷＬ２，・・・は、ドレイン領域６とソース領域７との間の領域に対向している。 - 特許庁

In this semiconductor device, a drain region is formed to surround a source region.例文帳に追加

半導体装置は、その内部に設けられたドレイン領域がソース領域を取り囲むように形成される。 - 特許庁

A gate electrode (40F) is arranged on the electron supply layer, between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極との間の電子供給層の上に、ゲート電極(40F)が配置されている。 - 特許庁

A drain electrode 12, source electrodes 20 and 22, and gate electrodes 24 and 26 are formed in the chip 14.例文帳に追加

チップ１４には、ドレイン電極１２と、ソース電極２０、２２と、ゲート電極２４、２６が形成されている。 - 特許庁

To suppress generation of parasitic capacitance by accurately aligning source and drain electrodes to gate electrodes.例文帳に追加

ゲート電極に対して、ソース・ドレイン電極を正確に位置合わせし、寄生容量の発生を抑制する。 - 特許庁

A zener diode ZD2 is connected in parallel between the drain and the source of the MOS transistor N2.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＮ２のドレインとソースとの間には、ツェナーダイオードＺＤ２が並列接続されている。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR HAVING HIGH ADHESIVE STRENGTH BETWEEN BARRIER FILM AND DRAIN ELECTRODE AND SOURCE ELECTRODE FILMS例文帳に追加

バリア膜とドレイン電極膜およびソース電極膜が高い密着強度を有する薄膜トランジスター - 特許庁

Source/drain regions 8 are formed on both sides of the gate electrode 4 of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極４の両側における半導体基板１には、ソース・ドレイン領域８が形成されている。 - 特許庁

A source electrode 2, a drain electrode 3, and a gate electrode 4 are formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ソース電極２、ドレイン電極３、及び、ゲート電極４は、半導体基板１上に形成されている。 - 特許庁