「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The drain D2 and the source S2 of the 2nd FET Q20 are connected to the gate G1 and the source S1 of the 1st FET Q10.例文帳に追加

第２のＦＥＴＱ２０は、ドレインＤ２及びソースＳ２が第１のＦＥＴＱ１０のゲートＧ１及びソースＳ１に接続されている。 - 特許庁

Instead, a source-gate voltage of the pMOS transistor 10 is kept constant to limit a source-drain current within a constant current.例文帳に追加

代わりに、ｐMOSトランジスタ１０のソース・ゲート間電圧を一定に維持してソース・ドレイン間を流れる電流を一定電流以下に制限する。 - 特許庁

An N- type thin-film source region 11 which is thinner than the source region 5 is so provided as to adjoin the source region 5 by an adjoining part R between the source region 5 and the drain region 6, so that, as shown with an allow Q2, a current path is formed from the drain region 6 to the source region 5 through the thin-film source region 11.例文帳に追加

そして、厚さがソース領域５より薄く、Ｎ^-型の薄膜ソース領域１１が、ソース領域５とドレイン領域６の間にソース領域５に隣接部Ｒで隣接するよう設けられ、矢印Ｑ２で示すようにドレイン領域６から薄膜ソース領域１１を介してソース領域５へ電流経路が形成される。 - 特許庁

A MOS transistor T5 is provided in which a drain is connected to a gate and a drain of a MOS transistor T2 and a direct current voltage VRS is applied to its source.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＴ２のゲート及びドレインにドレインが接続されるとともにソースに直流電圧ＶRSが印加されたＭＯＳトランジスタＴ５を設ける。 - 特許庁

To provide a heat source device for accurately detecting the closed conditions, occurring in heat exchangers, of drain discharging means for discharging drain.例文帳に追加

熱交換器において発生するドレンを排出するドレン排出手段の閉塞状況を的確に検知可能な熱源装置の提供を目的とする。 - 特許庁

A device simulator 22 executes device simulation to calculate gate-drain capacitance (C-V characteristic 5) when source-drain voltage is not 0 V.例文帳に追加

デバイスシミュレータ２２は、デバイスシミュレーションを実行してソース・ドレイン間電圧が０Ｖでない場合におけるゲート・ドレイン間容量（Ｃ−Ｖ特性５）を算出する。 - 特許庁

To provide an evaluation circuit for a semiconductor device capable of measuring precisely a drain current and a gate source/drain capacity sum, in the same measuring object.例文帳に追加

同一の測定対象に対し、ドレイン電流とゲート・ソース／ドレイン容量和とを精度良く測定することができる半導体デバイスの評価回路を得る。 - 特許庁

The source of the MOS transistor M1 is connected to ground, the gate and the drain are connected together, and a current I1 is supplied to the drain.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１は、ソースが接地されるとともに、ゲートとドレインが接続され、そのドレインに電流Ｉ１が供給されるようになっている。 - 特許庁

The N+-type first drain layer 11 and the second drain layer 3 are integrated to become a deeper n+-type layer than an n+-type source layer 10, and its volume is increased.例文帳に追加

Ｎ＋型の第１ドレイン層１１と第２ドレイン層３は、一体されてＮ＋型ソース層１０より深いＮ＋層となり、その体積が増加する。 - 特許庁

Then the characteristics about the values obtained by dividing the drain voltage Vds by the currents Ids, namely, a drain-source resistances Rtot and the voltages VGs are obtained from measured data (S2).例文帳に追加

そのデータから電圧Ｖｄｓを電流Ｉｄｓで除した値、即ちドレイン−ソース間抵抗Ｒｔｏｔと電圧Ｖｇｓとの特性を得る。 - 特許庁

To provide a field effect transistor permitting the exchange of a source electrode and a drain electrode, and enabling electric field relaxation at a drain end.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極の入れ替えが可能であり、かつ、ドレイン端での電界緩和を実現することができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Thus, it is possible to inject hot electron HE due to secondary ionization collision generated at the source/drain area 24 side serving as the drain to the flowing gate 29.例文帳に追加

これにより、ドレインとなるソース・ドレイン領域２４側で発生し２次電離衝突に起因したホットエレクトロンＨＥをフローティングゲート２９に注入させる。 - 特許庁

To provide a vertical MOSFET, wherein a drain to source capacitance and a drain to gate capacitance are reduced with any affect on either breakdown voltage or on-resistance restrained to the minimum.例文帳に追加

耐圧及びオン抵抗への影響を抑えて、ドレイン・ソース間の容量及びドレイン・ゲート間の容量を低減した縦型ＭＯＳＦＥＴ実現する。 - 特許庁

A fixed drain current flows to the light shielding phototransistor T0 by the constant current source 2, and the drain voltage of the light shielding phototransistor T0 is floated.例文帳に追加

定電流源２によって一定のドレイン電流が遮光フォトトランジスタＴ０に流れ、遮光フォトトランジスタＴ０のドレイン電圧が浮動状態になる。 - 特許庁

A drain electrode 104 and a source electrode 105 which constitute a drain line 104 and a TFT, have a laminated structure of a metal layer and a semiconductor layer 103.例文帳に追加

ドレイン線１０４、ＴＦＴを構成するドレイン電極１０４、ソース電極１０５は、金属と半導体層１０３の積層構造となっている。 - 特許庁

In the protective element 90, a first drain electrode 14, a source electrode 2, a second drain electrode 6, a gate electrode 4, and an element separation trench 18 are formed.例文帳に追加

保護素子９０には、第１ドレイン電極１４とソース電極２と第２ドレイン電極６とゲート電極４と素子分離トレンチ１８が形成されている。 - 特許庁

A drain of the fourth MOSFET N104 is connected to a point A1 in the current route Ch3, a gate is connected to the own drain, and a source is connected to an output terminal OUT1.例文帳に追加

第四MOSFET N104は、ドレインが電流経路Ch3における点A1に接続され、ゲートが自己のドレインに接続され、ソースが出力端子OUT1に接続されている。 - 特許庁

The water feed/drain device 42 for the foot bath unit 4 comprises a main hot water feed pipe for feeding hot water from a water supply source, and a main water drain pipe for discharging the water.例文帳に追加

フットバス装置４の給排水装置４２は、給排水源から給湯を受け他へ排水する主給湯管と主排水管とを備える。 - 特許庁

To provide a drain oil collecting device for forcibly sucking drain oil flowing out of a bearing portion and recycling the drain oil collected into a hydraulic source.例文帳に追加

軸受部から流れ出したドレン油を強制的に吸引するとともに、そのドレン油を油圧源に回収して再利用することができるドレン油回収装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Each E-pHEMT has a source electrode, drain electrode, and a gate electrode, and a recess is formed between the gate electrode and the drain electrode by etching to give a relatively large gap between the gate electrode and the drain electrode.例文帳に追加

このＥ−ｐＨＥＭＴは、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を有し、ゲート電極とドレイン電極との間にはエッチングでリセス（凹部）が形成され、比較的大きな間隔が設けられる。 - 特許庁

As the shape and thickness of the source/ drain region can be set individually by the n type MOS transistor and the p type MOS transistor, the resistance of the source/drain region can be lowered, and moreover the parasitic capacity can be reduced.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳトランジスタとｐ型ＭＯＳトランジスタでソース／ドレイン領域の形状や厚さを個別に設定できるため、ソース／ドレイン領域を低抵抗化できるとともに、寄生容量も低減できる。 - 特許庁

Then the relay portion 23 is arranged in a gap 24 provided by a source-side recessed portion 21a and a drain-side recessed portion 22a provided in the first source wiring 21 and first drain wiring 22 respectively.例文帳に追加

そして、第１ソース配線２１および第１ドレイン配線２２にそれぞれ設けられたソース側凹部２１ａおよびドレイン側凹部２２ａによって設けられた間隙２４にこの中継部２３を配置する。 - 特許庁

An N-type source region 12s, an N-type drain region 12d, a source side LDD region 7s and a drain side LDD region 7d are provided in the surface of a P-type well 2 and a gate electrode 5 is provided on the surface of a well 2.例文帳に追加

Ｐ型ウエル２の表面に、Ｎ型ソース領域１２ｓ、Ｎ型ドレイン領域１２ｄと、ソース側ＬＤＤ領域７ｓ、ドレイン側ＬＤＤ領域７ｄと、ゲート電極５を備える。 - 特許庁

To improve the current driving performance of a thin-film transistor by improving contact performance between source-drain electrodes and an oxide semiconductor thin-film layer, and to suppress generation of current rate limiting by suppressing resistance in a film thickness direction of the oxide semiconductor thin-film layer from the source-drain electrodes to a channel in a top gate type structure.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極と酸化物半導体薄膜層のコンタクト性を向上させ、薄膜トランジスタの電流駆動能力を向上させることを解決課題とする。 - 特許庁

A device for detecting an analyte in a sample is equipped with an active layer comprising at least a dielectric material, a source electrode, a drain electrode and a semiconducting substrate operated as a current pathway between source and drain.例文帳に追加

少なくとも誘電体材料を備えた活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソースとドレインの間で電流の通過路として動作する半導体基板とを備えた装置を提供する。 - 特許庁

A source electrode 6 and a drain electrode 7 are led out from a source/drain region 5 on an active layer 4 to the outside of the active layer 4, and have parts which are in contact with a side wall of the active layer 4.例文帳に追加

ソース電極６およびドレイン電極７は、活性層４上のソース・ドレイン領域５から活性層４の外部に導出されており、活性層４の側壁と接触する部分を有している。 - 特許庁

The vertical pillar transistors are formed on a substrate, and each include: a body having a lower part and an upper part; source/drain nodes disposed in the upper part of the body; and drain/source nodes disposed in the lower part of the body.例文帳に追加

垂直ピラートランジスタは、基板上に形成され、下部と上部を有する本体、本体の上部に配置されるソース／ドレインノード、そして、本体の下部に配置されるドレイン／ソースノードを含む。 - 特許庁

To provide a bootstrap circuit capable of preventing an excessive voltage from being applied between a gate electrode and a source/drain electrode of a field-effect transistor or between a back gate and a source/drain electrode.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート電極とソース／ドレイン電極との間あるいはバックゲートとソース／ドレイン電極との間に過度な電圧が印加されることを防止できるブートストラップ回路を提供する。 - 特許庁

The source of the FT_11 and the gate of the FT_12 are connected to an input terminal IN and the drain of the FT_11 to the drain of the FT_12 and the source of the FT_12 and the substrate 10 to a ground Vss.例文帳に追加

ＦＴ_１１のソース及びＦＴ_１２のゲートを入力端子ＩＮに、ＦＴ_１１のドレインをＦＴ_１２のドレインに、ＦＴ_１２のソース及び基板１０を接地点Ｖ_ＳＳにそれぞれ接続する。 - 特許庁

A stripping layer 3 is formed on a first support substrate 1, source/drain electrodes 5 are subjected to pattern formation on the surface of the stripping layer 3, and a gate insulating film 7 is formed while covering the source/drain electrodes 5.例文帳に追加

第１支持基板１上に剥離層３を形成し、次いで剥離層３の表面上にソース／ドレイン電極５をパターン形成した後、これを覆う状態でゲート絶縁膜７を形成する。 - 特許庁

The pixel electrode 3 is connected to a source/drain electrode of a a first thin film transistor 6, and gate electrode of the first thin film transistor 6 is connected to the source/drain electrode of a second thin film transistor 5.例文帳に追加

画素電極３は、第１の薄膜トランジスタ６のソース／ドレイン電極と接続し、第１の薄膜トランジスタ６のゲート電極は第２の薄膜トランジスタ５のソース／ドレイン電極と接続する。 - 特許庁

Further, after a source/drain layer is film-formed, the remaining parts of the source/drain layer and the etching stopper are etched by a chemical vapor-phase etching.例文帳に追加

そしてさらに、ソース・ドレイン層１６を成膜した後、化学気相エッチングによりソース・ドレイン層１６及びエッチングストッパー１４の残部をエッチングするように、液晶ディスプレイパネルの製造方法を構成した。 - 特許庁

The first and second source/drain regions of the second conduction type are formed in a second layer near the top surface of the second layer, and the second layer is separated in a cross direction from the first source/drain region.例文帳に追加

第２の導電型の第１および第２のソース／ドレイン領域は第２の層の上面の近傍の第２の層に形成され、第２の層は第１のソース／ドレイン領域から横方向に離間する。 - 特許庁

A first source/drain region and a second source/drain region are formed close to the upper surface in the semiconductor layer, and are arranged to be separated to each other.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン領域および第２のソース／ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域は互いに離隔されている。 - 特許庁

The monitor unit includes an N-type MOSFET for leak current cancellation which adds a source-drain current to the drain of the monitor N-type MOSFET when a gate and a source of the N-type MOSFET for leak current cancellation have substantially equal potential.例文帳に追加

モニタ部は、リーク電流キャンセル用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを有し、そのゲートとソースが略同電位である際のソース−ドレイン間の電流をモニタ用Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインに加算する。 - 特許庁

Furthermore, a source electrode 21 is connected to the source layer 17 and the contact layer 19, a drain electrode 22 is connected to the drain layer 18, and a gate electrode 23 is formed on the STI13 along the side surface 13a.例文帳に追加

更に、ソース電極２１をソース層１７及びコンタクト層１９に接続し、ドレイン電極２２をドレイン層１８に接続し、ＳＴＩ１３上に側面１３ａに沿ってゲート電極２３を設ける。 - 特許庁

The second thin film transistor has a gate electrically connected to an output node of a next contiguous circuit stage, and a drain and a source connected to the drain and the source of the first transistor respectively.例文帳に追加

第２薄膜トランジスタは、隣接する次の回路段の出力端に電気的に接続されたゲートと、それぞれ第１トランジスタのドレインとソースに電気的に接続されたドレインとソースを有する。 - 特許庁

Concretely, a gate electrode G, a drain electrode D and a source electrode S of the FET 20 are connected to the control terminal 3, the drain-side input/output terminal 4 and the source-side input/output terminal 5, respectively.例文帳に追加

具体的には、ＦＥＴ２０のゲート電極Ｇ，ドレイン電極Ｄ及びソース電極Ｓを制御端子３，ドレイン側入出力端子４及びソース側入出力端子５にそれぞれ接続させた。 - 特許庁

Furthermore, a transistor for controlling the trench capacitor C is disposed on the island-like semiconductor structure and that transistor is provided with a first source/drain 123, a second source/drain 124 and a gate electrode G.例文帳に追加

この他、このトレンチキャパシタＣを制御するトランジスタが島状半導体構造上に設置されており、このトランジスタには第一ソース／ドレイン１２３、第二ソース／ドレイン１２４とゲート電極Ｇとが備わっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which does not implant SiGe in a source/drain region of an nMOSFET, but implants SiGe reproducibly in only a source/drain region of a pMOSFET.例文帳に追加

ｎＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にはＳｉＧｅを埋め込まず、ｐＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域にのみＳｉＧｅを再現性よく埋め込むことが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

Amendment for changing "an impurity dispersion area that constitutes a source and a drain" to "an impurity area that constitutes a source and a drain" in claims of the invention relating to a semiconductor device made up of a double-hetero compound. 例文帳に追加

ダブルへテロ型化合物半導体装置に関する発明の請求項の「ソース、ドレインを構成する不純物拡散領域」という記載を「ソース、ドレインを構成する不純物領域」とする補正 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

Each first impurity diffusion region 20 (20A and 20B) of low concentration and of the same conductive layer as the source 26 and the drain 28 is provided on the lower side of a gate so as to adjoin the source 26 and the drain 28.例文帳に追加

またソース２６とドレイン２８と同一の導電層で且つ低濃度である第１不純物拡散領域２０をソース２６とドレイン２８にそれぞれ隣接するようゲート下方側に設ける。 - 特許庁

The gate lead G1, the source lead S1 and the drain lead D2 are arranged from the left to the right in order on the first surface of the seal; and the drain lead D1, the source lead S2 and the gate lead G2 are arranged from the left to the right in order on the second surface.例文帳に追加

封止体の第１の面には左から右にゲートリードＧ１，ソースリードＳ１，ドレインリードＤ２と並び、第２の面には左から右にドレインリードＤ１，ソースリードＳ２，ゲートリードＧ２と並ぶ。 - 特許庁

A first source area 408 and a first drain area 409 are formed in the first side, and a second source area 302 and a second drain area 303 are formed in the second side.例文帳に追加

第１のソース領域４０８および第１のドレイン領域４０９は、第１のサイドに形成され、第２のソース領域３０２および第２のドレイン領域３０３は、第２のサイドに形成される。 - 特許庁