「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, after a p--type source/drain diffused layer is also formed on the side of a p-channel MISFET, a gate side wall insulation film is formed and n+-type and p+-type source/drain diffused layers are formed.例文帳に追加

以下、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴ側にもｐ^-型ソース、ドレイン拡散層を形成した後、ゲート側壁絶縁膜を形成し、ｎ^+型及びｐ^+型のソース、ドレイン拡散層を形成する。 - 特許庁

In a transistor TR for a switching, first source/drain regions 11 are connected to the storage node electrode layers 4, and a second source/drain region 12 is connected to a bit line 23.例文帳に追加

スイッチング用のトランジスタＴＲは、その第１のソース・ドレイン領域１１がストレージノード電極層４に接続され、第２のソース・ドレイン領域１２がビット線２３に接続されている。 - 特許庁

A source and a drain region are formed in the same way with respect to partial transistors B1 and B2 and respective source regions 55A and 55B are connected.例文帳に追加

部分トランジスタＢ１、Ｂ２についても同様にソースとドレインを形成し、各々のソース領域５５Ａ、５５Ｂを接続する。 - 特許庁

Of the transistor T3, a drain is connected to a power source line PSL and a source is connected to an anode of an organic EL element 11.例文帳に追加

トランジスタＴ３において、ドレインが電源線ＰＳＬに接続され、ソースが有機ＥＬ素子１１のアノードに接続されている。 - 特許庁

The FET 2 is a p-channel MOSFET, and its source and drain are respectively connected in series with the power source 1 and the load.例文帳に追加

ＦＥＴ２はＰチャネルのＭＯＳ型ＦＥＴであり、そのソースが電源２に、ドレインが負荷に直列に接続されている。 - 特許庁

An external power source voltage Vcc is applied to the source terminal of the PMOS transistor Q2 and the drain terminal of the transistor is connected to the output node OUT.例文帳に追加

PMOSトランジスタＱ２のソース端子には外部電源電圧Ｖccが印加され、ドレイン端子は出力ノードOUTに接続されている。 - 特許庁

The bidirectional zener diode formed in the p^--type region 2b is connected between a source and a drain and between a source and a gate.例文帳に追加

また、ｐ^-型領域２ｂに形成された双方向ツェナーダイオードは、ソース−ドレイン間およびソース−ゲート間に接続されている。 - 特許庁

This sensor includes a pickup region positioned on one of first and second source/drain regions on either side of a source follower gate.例文帳に追加

このセンサは、ソースフォロワーゲート両側の第１または第２ソース／ドレイン領域の一側に配置されたピックアップ領域を含む。 - 特許庁

To constitute a bidirectional level shift circuit of an I^2C bus by using an MOS transistor having a low breakdown voltage between a source-gate and a source-drain.例文帳に追加

Ｉ^２Ｃバスの双方向レベルシフト回路をソース・ゲート／ソース・ドレイン間の耐圧が低いＭＯＳトランジスタを用いた構成とする。 - 特許庁

In the process, a first temporary gate sidewall spacer defines a rising source/drain formation area, a second temporary spacer defines a source/drain injection and source/drain silicification area, and the temporary gate is protected from being silicified by the hard mask.例文帳に追加

その処理において、第１の一時ゲート側壁スペーサは隆起したソースおよびドレインの形成用の領域を定義し、第２の一時スペーサはソースおよびドレインの注入用ならびにソースおよびドレインの珪化用の領域を定義し、一時ゲートはハードマスクによって珪化から保護される。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a dummy pattern 13, which is provided in 1st source drain blocks 23 and 26 having gate patterns 10 and 11 and close to 2nd source drain blocks 24 and 27 adjacent to the 1st source drain blocks 23 and 26, and the dummy pattern 13 has a length L, with which no punch-through is generated.例文帳に追加

ゲートパターン１０、１１を有する第１ソースドレインブロック２３、２６内であって、第１ソースドレインブロック２３、２６に隣接する第２ソースドレインブロック２４、２７に近接して設けられたダミーパターン１３を備え、ダミーパターン１３は、パンチスルーが発生しない長さＬを有する。 - 特許庁

The compound semiconductor device 1 includes a compound semiconductor layer 10 (a second compound semiconductor layer 12) to which a source region 21 and a drain region 25 are formed; and a source electrode 22 and a drain electrode 26 formed respectively corresponding to the source region 21 and the drain region 25.例文帳に追加

化合物半導体装置１は、ソース領域２１およびドレイン領域２５が形成される化合物半導体層１０（第２化合物半導体層１２）と、ソース領域２１およびドレイン領域２５にそれぞれ対応して形成されたソース電極２２およびドレイン電極２６とを備える。 - 特許庁

Thus, it is realized to form the deep source/drain regions prior to the shallow source/drain regions, and to control an overlap of the impurities ion-implanted into the shallow source/drain regions created through the gate pattern line width gradually reducing with the second spacer for offsetting.例文帳に追加

これにより、深いソース/ドレーン領域を浅いソース/ドレーン領域より先に形成することと同時に前記オフセット用第２スペーサにより次第に縮まるゲートパターン線幅により発生する浅いソース/ドレーン領域にイオン注入される不純物の重畳を抑制できる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a MOS transistor having a first source/drain electrode and a second source/drain electrode; a GND wire connected to the first source/drain electrode through a contact plug; a phase change material area; and an upper electrode on the phase change material area.例文帳に追加

半導体装置は、第１ソース／ドレイン電極及び第２ソース／ドレイン電極を有するＭＯＳトランジスタと、コンタクトプラグを介して第１ソース／ドレイン電極に接続されたＧＮＤ配線と、相変化材料領域と、相変化材料領域上に設けられた上部電極と、を有する。 - 特許庁

A source electrode 8, a drain electrode 9, a source pad 8', and a drain pad 9' in a nitride semiconductor heterojunction type field effect transistor are formed by sequentially laminating Ti, Al, Mo and Au and parts of the source pad 8' and the drain pad 9' are opened by etching to form an Al exposed part.例文帳に追加

窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極８,ドレイン電極９,ソースパッド８'およびドレインパッド９'をＴi,Ａl,ＭoおよびＡuを順次積層して形成し、ソースパッド８'およびドレインパッド９'の一部をエッチングによって開口して、Ａl露出部を形成している。 - 特許庁

A drain cell 12 is formed shorter than a source cell 11, and an edge 12a in the drain cell 12 is arranged inside the formation region of an LDMOS 20 as compared with an edge 11a in the source cell 11, so that no opposing drain region exists at the edge 11a of the source cell 11.例文帳に追加

ドレインセル１２はソースセル１１より短く形成され、ドレインセル１２の端部１２ａは、ソースセル１１の端部１１ａよりＬＤＭＯＳ２０の形成領域の内側に配置されているため、ソースセル１１の端部１１ａにおいて、対向するドレイン領域が存在しない。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, the surfaces of source and drain electrode layers are subjected to sputtering treatment with plasma and an oxide semiconductor layer containing In, Ga, and Zn is formed successively over the source and drain electrode layers without exposure of the source and drain electrode layers 117a, 117b to air.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層の表面をプラズマでスパッタリング処理し、当該ソース電極層及びドレイン電極層を大気にさらすことなく、当該ソース電極層及びドレイン電極層上に連続してＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

To reduce connection resistance between a source/drain region and an electrode by forming a high concentration contact region in the source/drain region by the minimum number of masks for realizing a manufacturing method capable of restoring the deterioration of the crystalline of the source/drain region, after impurity introduction also by low-temperature heat treatment.例文帳に追加

最小限のマスク数でソース・ドレイン領域に高濃度コンタクト領域を形成し、不純物導入後のソース・ドレイン領域の結晶性の劣化を低温熱処理でも回復可能なの製造方法を実現し、ソース・ドレイン領域と電極との接続抵抗を小さくする。 - 特許庁

This thin film transistor includes, on a substrate, a gate electrode layer, a semiconductor layer, a gate insulating layer formed between the gate electrode layer and the semiconductor layer, a source region and a drain region in contact with the semiconductor layer, a source electrode in contact with the source region, and a drain electrode in contact with the drain region.例文帳に追加

基板上に、ゲート電極層と、半導体層と、ゲート電極層及び半導体層の間に設けられるゲート絶縁層と、半導体層に接するソース領域及びドレイン領域と、ソース領域に接するソース電極と、ドレイン領域に接するドレイン電極とを有する。 - 特許庁

In the case where the source and drain regions 23 are expanded by removing a dummy side wall 22 after the side wall 22 and source and drain regions 23 are formed, the side wall 22 is removed after protective oxide films 38 are formed on the main surfaces of the gate electrode 21 and source and drain regions 23.例文帳に追加

一旦ダミーサイドウォール２２を形成し、ソースドレイン領域２３を形成した後、ダミーサイドウォール２２を除去してソースドレイン領域２３を拡張する場合に、ゲート電極２１やソースドレイン領域２３の主面に保護酸化膜３８を形成してからダミーサイドウォール２２を除去する。 - 特許庁

A group III nitride hetero junction semiconductor element for use in a power circuit like a boost conversion circuit is provided with ohmic junction source-drain electrodes, and Schottky junction electrodes integrated into power switches near gates between the above source-drain electrodes or near the above source-drain electrodes themselves.例文帳に追加

ブースト変換回路などの電源回路で用いられるＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合半導体素子は、オーミック接合ソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極間のゲート電極および、前記ソース・ドレイン電極の近傍に電源スイッチと一体化されたショットキ接合電極を備える。 - 特許庁

The drain electrode 127 and the source electrode 128 of the TLPM 100, the drain electrode 227 and the source electrode 228 of the NMOS 200 and the drain electrode 327 and the source electrode 328 of the PMOS 300 are formed by patterning the same metal wiring layer.例文帳に追加

また、ＴＬＰＭ１００のドレイン電極１２７およびソース電極１２８、ＮＭＯＳ２００のドレイン電極２２７およびソース電極２２８、ならびにＰＭＯＳ３００のドレイン電極３２７およびソース電極３２８を同一のメタル配線層のパターニングにより形成する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer is locally formed between an n-type source/drain diffusion layers of an NMOS transistor having a conventional type drain structure.例文帳に追加

コンベンショナル型のドレイン構造を持つＮＭＯＳトランジスタのＮ型ソース・ドレイン拡散層の間に局所的にＰ型拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for improving breakdown voltage between source and drain or between gate and drain, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ソース・ドレイン間耐圧またはゲート・ドレイン間耐圧を向上させることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The source of the MOS transistor M2 is connected to ground, the gate and the drain are connected together, and a current I2 is supplied to the drain.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ２は、ソースが接地されるとともに、ゲートとドレインが接続され、そのドレインに電流Ｉ２が供給されるようになっている。 - 特許庁

The first pMOS 130 with a gate G and a drain D connected thereto functions as a rectifying device for allowing a current to flow to the drain D from a source S.例文帳に追加

ゲートＧとドレインＤが接続している第１ｐＭＯＳ１３０は、ソースＳからドレインＤへ電流を通す整流素子として機能する。 - 特許庁

In the clamp output section 20, a source of a PMOS 22 is connected to a drain of a PMOS 21, and the drain is connected to an output terminal Tout.例文帳に追加

クランプ出力部２０において、ＰＭＯＳ２２のソースはＰＭＯＳ２１のドレインと接続され、そのドレインは出力端子Ｔoutと接続される。 - 特許庁

To provide a movable gate type field effect transistor, capable of increasing the magnitude of drain current by adopting a source-drain structure which increases a channel width.例文帳に追加

チャネル幅を大きくするソース・ドレイン構造を採用し、ドレイン電流の大きさを増加させる可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The current source CS1 is connected to a gate terminal of the transistor M4, a drain terminal of a transistor M3, a drain terminal of a transistor M1, and a resistor R1.例文帳に追加

電流源ＣＳ１は、トランジスタＭ４のゲート端子、トランジスタＭ３のドレイン端子、トランジスタＭ１のドレイン端子、抵抗Ｒ１に接続される。 - 特許庁

The PMOS transistors are respectively provided with a source to be connected to the pair of bit lines and a drain to be connected to the drain of the NMOS transistor.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタは、一対のビット線に接続されるソースと、ＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続されるドレインとをそれぞれ備えている。 - 特許庁

Diffusion regions 8, 10 and 12 constituting respectively the drain of the read transistor and the drain and source of the amplifying transistor have the second conductivity type.例文帳に追加

読み出しトランジスタのドレイン、増幅トランジスタのドレイン及びソースの各々を構成する拡散領域８、１０、１２は、第２導電型を有する。 - 特許庁

A drain and a back gate of the first MOS transistor are connected to each other, and a source thereof is connected to a drain of the bidirectional conduction type field effect transistor.例文帳に追加

そして、１つめのＭＯＳトランジスタのドレインとバックゲートを接続し、ソースを双方向導通型電界効果トランジスタのドレインに接続する。 - 特許庁

The source of the transistor M1 is connected to the source of the transistor M3, the source of the transistor M2 is connected to the source of the transistor M4, the drain of the transistor M1 is connected to the gate of the transistor M3, and the drain of the transistor M2 is connected to the gate of the transistor M4.例文帳に追加

トランジスタＭ１のソースはトランジスタＭ３のソースに接続され、トランジスタＭ２のソースはトランジスタＭ４のソースに接続され、トランジスタＭ１のドレインはトランジスタＭ３のゲートに接続され、トランジスタＭ２のドレインはトランジスタＭ４のゲートに接続されている。 - 特許庁

Each phase change element is coupled to one side of the source-drain path of a transistor.例文帳に追加

上記各相変化素子は、それぞれ、トランジスタのソースードレイン経路の一側面に結合されている。 - 特許庁

An impurity element is introduced through the openings to form drain-source regions of the transistors.例文帳に追加

開口部を介して不純物元素を導入し、各トランジスタのドレイン・ソース領域を形成する。 - 特許庁

The second transistor includes a second gate, a second source connected to the first gate, and a second drain.例文帳に追加

第２トランジスタは、第２ゲートと、第１ゲートと接続された第２ソースと、第２ドレインと、を有する。 - 特許庁

In a silicon substrate 1, extension regions 5 and high-concentration source-drain regions 8 are provided.例文帳に追加

シリコン基板１内には、エクステンション領域５と、高濃度ソース・ドレイン領域８とが設けられている。 - 特許庁

The brush 12b is connected to a drain of a driving element 24 whose source is grounded.例文帳に追加

ブラシ１２ｂは、駆動素子２４のドレインに接続され、駆動素子２４のソースは接地されている。 - 特許庁

To sustain good gate withstand voltage characteristics while reducing the contact resistance between the source and the drain.例文帳に追加

良好なゲート耐圧特性を維持し、かつソースおよびドレインのコンタクト抵抗を小さくする。 - 特許庁

A multiple field plate transistor comprises: an active region; a source 18; a drain 20; and a gate 22.例文帳に追加

多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース１８、ドレイン２０、およびゲート２２を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which grows a silicon layer in a source/drain area.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域にシリコン層を成長する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a switching power supply apparatus for lowering a peak current drain at the input power source.例文帳に追加

入力電源におけるピーク電流ドレインを低下させ得るスイッチング電源装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the thrusting of a metal silicide film in a source/drain layer and the occurrence of a leakage current.例文帳に追加

ソース／ドレイン層での金属シリサイド膜の突き抜けやリーク電流の発生を抑えること。 - 特許庁

In this manner, the bottoms of the source of drain diffusion regions and body regions are also connected.例文帳に追加

このようにして、ソースまたはドレインの拡散領域の底面ならびにボディ領域も結合できる。 - 特許庁

The SG-PMOS 150a has a drain and a source disposed in an n-type well 110.例文帳に追加

ＳＧ−ＰＭＯＳ１５０ａは、ｎ型ウェル１１０中に設けられたドレイン及びソースを有する。 - 特許庁