「source drain」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The OFET has single layers of organic molecules formed between a gate electrode and a source electrode, a drain electrode.例文帳に追加

ＯＦＥＴは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の間に形成された有機分子の単層も有する。 - 特許庁

The first and second electrodes 2 and 3 function as the extension of the source electrode 22 and the drain electrode 23.例文帳に追加

第１および第２の電極部２、３は、ソース電極２２およびドレイン電極２３の延長として機能する。 - 特許庁

A device includes a III-nitride transistor 200 having a source electrode 202, a gate electrode 208 and a drain electrode 204.例文帳に追加

ソース電極２０２、ゲート電極２０８およびドレイン電極２０４を有するIII族窒化物トランジスタ２００を含む。 - 特許庁

Between the source electrode and the drain electrode, a gate electrode is arranged on the upper side electron supply layer.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極との間の、上側電子供給層の上に、ゲート電極が配置されている。 - 特許庁

In addition, source and drain regions are formed in the silicon substrate on the outside of the conductive spacer and dummy spacer.例文帳に追加

導電性スペーサ及びダミースペーサの外側のシリコン基板内にはソース及びドレイン領域が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, an AuGe/Ni/Au metal film is formed and a source electrode 104 and a drain electrode 105 are formed.例文帳に追加

その後、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ金属を成膜してソース電極１０４およびドレイン電極１０５を形成する。 - 特許庁

A source drain electrode 34 is composed of a nitrogen containing layer and a thin film of pure Al or Al alloy.例文帳に追加

本発明のソース−ドレイン電極３４は、窒素含有層と純ＡｌまたはＡｌ合金の薄膜とからなる。 - 特許庁

An ammeter 12 measures a current between the source 3 and the drain 4 through the semiconductor thin wire 5.例文帳に追加

電流計１２は、半導体細線５を介してソース３およびドレイン４間に流れる電流を計測する。 - 特許庁

Additionally, a surface of the electron supply layer between the source electrode and the drain electrode is coated by a silicon film 11.例文帳に追加

さらに、ソース電極とドレイン電極との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。 - 特許庁

An input terminal IN is connected to a source of an N-type MOS transistor Q2, and the node GN is connected to its gate and its drain.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ２のソースに入力端子ＩＮを、ゲートとドレインにノードＧＮに接続する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating semiconductor device capable of restraining channeling which is tend to occur while forming a source-drain.例文帳に追加

ソース・ドレイン形成時に生じやすいチャネリングを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A drain of a first transistor M1 is connected to an input terminal 102, and its back gate is connected to its source.例文帳に追加

第１トランジスタＭ１のドレインは入力端子１０２と接続され、そのバックゲートはそのソースに接続される。 - 特許庁

The alignment accuracy of a mask is enhanced by using an oxide film formed on a source-drain region for aligning the mask of the FET.例文帳に追加

ＦＥＴのマスク合わせに、ソースドレイン領域上に設けた酸化膜を用い、マスク合わせ精度を向上する。 - 特許庁

To recover and effectively use a drain generated in a linen factory as a heat source for a continuous washer.例文帳に追加

リネン工場において発生するドレンを回収して、連続洗濯機用の熱源として有効に利用する。 - 特許庁

When this field effect transistor is used as a protective device, the drain is connected to a signal pad and a source is connected to a standard electric potential.例文帳に追加

保護デバイスとして使用されるとき、ドレインが信号パッドに結合され、ソースが基準電位に結合される。 - 特許庁

A gate region 17 is provided in a channel area 16 between a source region 14 and a drain region 15.例文帳に追加

ソース領域１４とドレイン領域１５との間のチャネル領域１６にはゲート領域１７が設けられている。 - 特許庁

The input terminal IN is connected to a source of a P-type MOS transistor Q3 and a node GP is connected to its gate and its drain.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタＱ３のソースに入力端子ＩＮを、ゲートとドレインにノードＧＰを接続する。 - 特許庁

The P-type wells 16 are located above the bottom N-type well 8, made to serve as source/drain regions, and designate a channel region.例文帳に追加

ｐウェル１６はボトムｎウェル８上にあり、ｐウェル１６がソース／ドレインとなりチャネル領域を規定する。 - 特許庁

Each of a dummy memory sequence is provided with a second conductive type source region and a second conductive type drain region.例文帳に追加

ダミーメモリ列の各々は、第２の導電型のソース領域及び第２の導電型のドレイン領域を備える。 - 特許庁

To provide a self-aligned silicide process applicable to contacting silicon, sidewall, source, and drain.例文帳に追加

シリコン・サイドウォール・ソースおよびドレイン・コンタクトに適用できる新規な自己整合された（サリサイド）方法を提供すること。 - 特許庁

The source/drain forming processing of a p channel MOS transistor is used to form a base contact region 92.例文帳に追加

ＰチャンネルＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン形成処理を流用してベースコンタクト領域９２を形成する。 - 特許庁

A drain D and a source S of the FET 3 are connected to a node ND1 and a node ND2 on a power-supply line B.例文帳に追加

ＦＥＴ３のドレインＤ及びソースＳは、電源ラインＢ上のノードＮＤ１及びＮＤ２に接続される。 - 特許庁

Further, the device has a drain electrode, a gate electrode, and a source electrode and an interconnection connected to these electrodes, and all or almost all the electrodes and the interconnection are formed of copper.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体デバイスであって、電極と配線の全部あるいは殆ど全部を銅にする。 - 特許庁

To provide a forming method of source/drain regions matching with characteristics of each PMOS region and NMOS region.例文帳に追加

ＰＭＯＳ領域およびＮＭＯＳ領域それぞれの特性に合うソース／ドレイン領域の形成方法の提供。 - 特許庁

An active stage including a transistor having a gate terminal, a source terminal, and a drain terminal is connected with a tank stage.例文帳に追加

ゲート・ターミナル、ソース・ターミナルおよびドレイン・ターミナルを有するトランジスタを含む能動段は、タンク段に接続している。 - 特許庁

A source terminal layer, a gate terminal layer and a drain terminal layer are arranged on principal planes of a semiconductor substrate which face each other.例文帳に追加

半導体基板の相対向する主面上に、ソース端子層、ゲート端子層、ドレイン端子層を配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing the occurrence of a dislocation and the rise of a diffusion resistance in an edge of source/drain regions of CMIS.例文帳に追加

ＣＭＩＳのソース・ドレイン領域端部における転位の発生および拡散抵抗の上昇を防止する。 - 特許庁

The turning on/off of the current between the source 1 and the drain 2 is made possible by adding 1/2 element electric charge to the gate.例文帳に追加

このときのソース１・ドレイン２間電流のオン・オフはゲートに1/2素電荷を加えたことにより可能である。 - 特許庁

A gate electrode is deposited and patterned on the silicon dioxide SiO_2 insulation film, and a source and a drain are formed.例文帳に追加

この二酸化ケイ素SiO_2絶縁膜の上に、ゲート電極をデポジションしてパターニングし、かつ、ソースドレイン形成をする。 - 特許庁

Also the first and second data electrodes 6, 7 are connected to each other via a source and a drain of a third TFT 8.例文帳に追加

また、第１および第２のデータ電極６，７は、第３のＴＦＴ８のソース−ドレインを介して接続される。 - 特許庁

Programming each cell is effected by voltage biasing a common control gate line and source/drain for a sensing transistor 12.例文帳に追加

セルのプログラミングは、共通の制御ゲートラインと、感知トランジスタのソース／ドレインとをバイアスする電圧により行われる。 - 特許庁

Source and drain regions 9 in the top surface of the semiconductor substrate 1 are electrically connected to copper interconnect lines 29.例文帳に追加

半導体基板１の上面内のソース・ドレイン領域９は銅配線２９に電気的に接続されている。 - 特許庁

The n-type source/drain region 4 is formed in such a manner as to pinch the n-channel region on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ソース／ドレイン領域４は、半導体基板１上にｎチャネル領域を挟むように形成されている。 - 特許庁

The current path that is almost linear from the drain terminal 30 to the source terminal 31 is formed by this configuration.例文帳に追加

この構成により、ドレイン端子30からソース端子31へかけて、ほぼ直線的な電流経路が形成される。 - 特許庁

A contact plug 16B is formed at the interlayer insulating film 15A on the source region or the drain region.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ｂが形成されている。 - 特許庁

The source of the first MIS transistor is electrically connected with the drain of the second MIS transistor via the connection.例文帳に追加

接続部を介して第１ＭＩＳトランジスタのソースと第２ＭＩＳトランジスタのドレインとが電気的に接続される。 - 特許庁

A drain of the (p) channel transistor 501 is connected to an internal boosting power source generator through an inverter 502.例文帳に追加

ｐチャンネルトランジスタ５０１のドレインは、インバーター５０２を介して内部昇圧電源ジェネレーターに接続される。 - 特許庁

This discloses a thin-film transistor, equipped with a sub gate and a Schottky source/drain, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明はサブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた薄膜トランジスタ並びにその製造方法を開示する。 - 特許庁

Each of the plurality of three-terminal switches 215 includes a source terminal 235, a drain terminal 240, and a gate terminal 245.例文帳に追加

複数の三端子スイッチ（２１５）の各々はソース端子（２３５）、ドレイン端子（２４０）及びゲート端子（２４５）を含む。 - 特許庁

In addition, low-concentration source and drain regions 28 and 30 are formed by injecting ions through the insulating layer 26.例文帳に追加

絶縁層２６を介してのイオン注入処理により低濃度ソース、ドレイン領域２８，３０を形成する。 - 特許庁

The gate and the source of the third active element connect to the second segment and the drain connects to the even number scanning line.例文帳に追加

ゲート及び他の第3能動素子のソースは第2セグメントと接続し、ドレーンは偶数走査線と接続する。 - 特許庁

A pair of source-drain region 18 is arranged on both sides of the electrode 14 via the film 12.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２を介して、ゲート電極１４の両側に、１対のソースドレイン領域１８を配置する。 - 特許庁

The circumference of the source and drain regions are surrounded with the complete isolation region 157b, excluding the gate electrode and its vicinity.例文帳に追加

ソース、ドレイン領域の周辺は、ゲート電極近傍を除いて、完全分離領域１５７ｂで囲まれる。 - 特許庁

A mask film 8 is removed and arsenic ions are implanted so as to form an n--type source/drain diffused layer 10.例文帳に追加

その後マスク膜８を除去して、砒素をイオン注入して、ｎ^-型ソース、ドレイン拡散層１０を形成する。 - 特許庁

The drain-sub capacitance line wiring 10a partially superimpose the source wirings 8 via the upper insulation film 6.例文帳に追加

ドレイン−補助容量線配線１０ａの一部が上部絶縁膜６を介してソース配線８に重なっている。 - 特許庁