| 意味 | 例文 |
source-levelの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1810件
In detecting defects in a TFT array on a TFT substrate by applying a voltage to the TFT array and detecting secondary electrons obtained by irradiation with an electron beam, the voltage pattern of applying the voltage to the source and/or the gate of the TFT is set to such characteristics parameters as increase a leak current due to an internal leak in the TFT depending on the voltage level and/or the timing of application.例文帳に追加
ＴＦＴ基板のＴＦＴアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してＴＦＴアレイの欠陥を検出するＴＦＴアレイの欠陥検出において、ＴＦＴのソースおよび／又はゲートへの電圧を印加する電圧パターンにおいて、電圧値および／又は印加時期によってＴＦＴの内部リークによるリーク電流を増加させる特性パラメータに設定する。 - 特許庁
The microphone device 1 discriminates a distance (d) from a signal level of a voice signal Smic outputted from a voice input unit 10, and corrects a frequency characteristic so as to cancel the influence of the proximity effect in a frequency characteristic correction unit 30 regarding to the influence of the proximity effect generated according to a distance (d) between the microphone of the voice input unit 10 and a voice generating source.例文帳に追加
本発明の実施形態に係るマイクロフォン装置１は、音声入力部１０のマイクロフォンと発音源との距離ｄに応じて発生する近接効果の影響について、周波数特性補正部３０において、音声入力部１０から出力される音声信号Ｓｍｉｃの信号レベルから距離ｄを判断して、近接効果の影響を打ち消すような周波数特性の補正することができる。 - 特許庁
Consequently, the ON control voltage between the gate and source of the MOS transistor T4 in a charge pump circuit 10 has a constant level of Vcc2+|Vo|=VBE+Vcc1 regardless of variation of the output voltage Vo.例文帳に追加
電圧調整回路４０に正電圧Ｖcc1を供給すると、第２電源ライン５の電位Ｖcc2は、出力電圧Ｖｏ≧−Ｖ_ＢＥのとき、正電圧Ｖcc1の電位レベル、Ｖｏ＜−Ｖ_ＢＥのとき、Ｖcc2＝Ｖcc1-(|Ｖｏ|-Ｖ_ＢＥ)で示される電位、Ｖｏ＝−Ｖcc1のとき、Ｖ_ＢＥの電位レベルと、出力電圧Ｖoの変化に追随し、チャージポンプ回路１０のＭＯＳトランジスタＴ４のゲート・ソース間のオン制御電圧はＶcc2+|Ｖｏ|＝Ｖ_ＢＥ+Ｖcc1と、出力電圧Ｖoの変化に関わらず一定となる。 - 特許庁
A magnetizer for ring-shaped permanent magnet for an ignition trigger pulse generator for internal combustion engine comprising: a pole part with U-shaped section having first and second poles which contacts half of the periphery of circular magnet, thereof lines up in the direction of a shaft, magnetizing coil deployed on the surface of said pole part, and, a power source to provide the polarity and a given level of electric current selected by said coil. 例文帳に追加
環状の磁石材料の外周の半分に当接する軸方向に整列した第１及び第２の極を有するコの字形断面の極部材と、該極部材の内外面に沿って配置された磁化用コイルと、該コイルに選択された極性及び一定値の電流を供給するための電源装置とからなる、内燃機関のための点灯トリガパルス磁束発生器を形成する環状永久磁石部材の磁化装置。 - 特許庁
When determining that conditions of shifting a DRAM 101 to a refresh mode are established, a power saving control circuit 213 of a DRAM controller 208 fixes the state of a signal output to each of data signal lines configuring a DRAM bus 115 to a Low level, and stops the supply of a reference voltage to each of the data signal lines configuring the DRAM bus 115 by a TV power source 106.例文帳に追加
ＤＲＡＭコントローラ２０８の省電力制御回路２１３は、ＤＲＡＭ１０１がリフレッシュモードに移行させるべき条件が成立したと判定した場合、ＤＲＡＭコントローラ２０８がＤＲＡＭバス１１５を構成する各データ信号線へ出力する信号の状態をＬｏｗレベルに固定するとともに、ＴＶ電源１０６によるＤＲＡＭバス１１５を構成する各データ信号線への基準電圧の供給を停止するように制御する構成を特徴とする。 - 特許庁
The source driver 4A is provided with branched reference voltage wirings 17a which are branched from respective intra-chip reference voltage wirings 17, reference voltage generating buffers 31, a control circuit 30 for controlling the buffers 31, a resister part for generating reference voltages 32 for subdividing the reference voltages into (n) steps, voltage level selecting circuits 34 selecting one voltage among subdivided voltages and output buffers 35.例文帳に追加
ソースドライバ４Ａ内には、各チップ内基準電圧配線１７から分岐する各分岐基準電圧配線１７ａと、基準電圧生成バッファ３１と、基準電圧生成バッファ３１を制御するための制御回路３０と、基準電圧をｎ段階に細分化するための基準電圧生成用抵抗部３２と、細分化された電圧のうちいずれか１つを選択する電圧レベル選択回路３４と、出力バッファ３５とを備えている。 - 特許庁
A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET.例文帳に追加
高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。 - 特許庁
The apparatus 1 for cleaning an ink tank used in the case of cleaning the tank 5 for storing ink to be adhereed to various type rolls of a printer comprises an ultrasonic wave generator 2 disposed near a liquid level of cleaning liquid 8 supplied into the tank 5, and an ultrasonic power source 4 connected to the generator 2 to generate ultrasonic power to be supplied to the generator 2.例文帳に追加
本発明によるインキタンク洗浄装置１は、印刷機の各種ロールに付着させるインキを貯蔵するインキタンク５を洗浄する際に用いられるインキタンク洗浄装置において、インキタンク５の内部に供給された洗浄液８の液面近傍に配される超音波発生器２と、超音波発生器２に接続され、超音波発生器２に供給するための超音波電力を発生する超音波電源４とを有する。 - 特許庁
Japan experienced a similar problem more than a decade ago, so the lessons it has learned should be used as a reference source, as I always say. The financial results of these LCFI (large and complex financial institutions) will in no way shake the foundation of Japan's financial system, yet we will deal with the subprime mortgage problem with an increased level of vigilance. 例文帳に追加
こういった問題は、いつも申し上げますように、日本においては10年以上前に経験済みのことですから、日本の教訓というものを是非参考にしていただきたいと思います。これらの大手LCFI（巨大複合金融機関）の決算によって我が国の金融システムの根幹にかかわるような影響があるわけでは毛頭ございませんが、更に警戒水準を高くして我が国の対応を行っていきたいと考えております。 - 金融庁
In this way, although the Chinese economy continues to be on a high growth track, in recent years the economy has been increasingly relying on fixed asset investments for its source of power in large part. Looking at the share of fixed asset investments as a proportion of nominal GDP, we see that they are continuing to grow rapidly, in contrast to the rate of household consumption which is stagnating, exceeding 40% of GDP for the first time in 2003. This is an extremely high level, even when comparing figures with the peak of Japan’s period of high growth in the past.例文帳に追加
このように、中国経済は高成長が続いているものの、近年の成長の原動力の多くを固定資産投資に依存している。固定資産投資の名目GDPに占める割合を見ると、家計消費の比率が低下しているのとは対照的に、2003年には４割を超える水準にまで急速に高まっており、これは過去の日本の高度成長期のピークと比較しても高い水準となっている。 - 経済産業省
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