「spin current」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A carbon nano-tube structure membrane is employed for an intermediate layer 4 for configuring a magnetic sensing membrane 1 of the magnetic sensor of a structure for supplying a current to the magnetic sensing membrane of a single spin bulb structure having a stacked structure comprising a pinned layer 3, the intermediate layer 4, and a free layer 5 at least in the direction including a perpendicular component.例文帳に追加

ピンド層３／中間層４／フリー層５からなる積層構造を有するシングルスピンバルブ構造の磁気感知膜面に少なくとも垂直成分を含んだ方向に電流を流す構造の磁気センサの磁気感知膜１を構成する中間層４として、カーボンナノチューブ構造膜を用いる。 - 特許庁

According to one exemplary embodiment of the present invention, electrons or ion dynamics are obtained by solving a set of equations for the motion of electrons by using spin-dependent quantum trajectories calculated from electron current with one equation for each electron in the atomic structure of a material of interest.例文帳に追加

本発明の一の例示的な態様では、電子の運動に対する１セットの方程式を、電子カレントから計算されるスピン依存量子軌道を用いて、関心のある材料の原子構造におけるそれぞれの電子に対して１つの方程式によって、解くことによって、電子あるいはイオンのダイナミクスが得られる。 - 特許庁

The magnetoresistance effect composite head comprises a magnetoresistance effect element 3 consisting of a spin valve element, an electrode part 5 adjacent to the element 3 and supplying a sensing current and 1st and 2nd magnetic shields 1 and 6 which hold the element 3 and the electrode part 5 between them with reading gaps 2a and 2b therebetween.例文帳に追加

磁気抵抗効果型複合ヘッドはスピンバルブ素子から成る磁気抵抗効果素子３と、これに隣接しかつセンス電流を供給する電極部５と、これらを読出しギャップ２ａ、２ｂを介して挟みこむように形成された第一の磁気シールド１と、第二の磁気シールド６とから構成されている。 - 特許庁

At least one selected from an antiferromagnetic layer constituting the spin valve film of a magnetoresistance effect type magnetic head, a magnetization fixed layer, a magnetization free layer, and a nonmagnetic layer is set such that a corrosive current density is 0.1 mA/cm^2 or less in a polarization curve (anode curve) using the NaCl solution of a concentration of 0.1 mol/L.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドのスピンバルブ膜を構成する反強磁性層、磁化固定層、磁化自由層、及び非磁性層の少なくともいずれかの単層膜が、濃度０．１ｍｏｌ／ＬのＮａＣｌ溶液を用いた分極曲線（アノード曲線）において、腐食電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ^2以下となるようにする。 - 特許庁

The storage element stores information by inverting magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal occurring in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer, and an anisotropy field of the memory layer in a hard axis direction is smaller than an anisotropy field in a vertical direction.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに記憶層の困難軸方向の異方性磁界が、垂直方向の異方性磁界よりも小さくなっている。 - 特許庁

The vertical magnetic recording and writing head includes: a write pole; an electrically conductive coil coupled to the write pole for generating magnetic flux in the write pole in the presence of electrical write current; and a spin torque oscillator (STO) that injects auxiliary magnetic flux to the write pole in a direction generally orthogonal to the write pole to facilitate magnetization switching of the write pole.例文帳に追加

書き込み極と、書き込み極に結合され、書き込み電流が存在する場合に書き込み極に磁束を生成する導電性コイルと、書き込み極にほぼ直交する方向において補助磁束を書き込み極に注入して、書き込み極の磁化切り替えに役立つスピントルク発振器（ＳＴＯ）とを有する垂直磁気記録書き込みヘッド。 - 特許庁

According to the typical configuration, at each completion of measurement, the strength of the given coil magnetic field H is returned to the initial value and the spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12 are magnetically saturated, so that an operating point of current control is always performed at a fixed route from among routes having linearity in a hysteresis curve.例文帳に追加

この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 - 特許庁

A spin injection magnetic random access memory has an antiferromagnetic coupling structure in which filter layers 22, 32 composed of ferromagnetic layers 23, 33, nonmagnetic layers 24, 34, and ferromagnetic layers 25, 35, a plurality of ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31 having mutually different switching current characteristics being stacked in series, and equalized in plane area of each ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31.例文帳に追加

フィルター層２２，３２が強磁性層２３，３３／非磁性層２４，３４／強磁性層２５，３５からなる反強磁性結合構造を有するとともに互いに異なったスイッチング電流特性を有する強磁性トンネル接合素子２１，３１を直列に複数個積層し、且つ、前記各強磁性トンネル接合素子２１，３１の平面面積を同じにする。 - 特許庁

An optical modulation element 1 includes a spin injection magnetization reversal element structure in which a magnetization fixed layer 11 having perpendicular magnetic anisotropy, an intermediate layer 12 and a magnetization free layer 13 having the perpendicular magnetic anisotropy are stacked in this order, and changes a magnetization direction of the magnetization free layer 13 by supplying an electric current through a pair of electrodes 2 and 3 connected in a vertical direction.例文帳に追加

光変調素子１は、垂直磁化異方性を有する磁化固定層１１、中間層１２、および垂直磁化異方性を有する磁化自由層１３、の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造を備え、上下に接続された一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより前記磁化自由層１３の磁化方向を変化させる。 - 特許庁

In the magnetoresistance effect element through which sense current flows in a direction perpendicular to film surface, if pin or free layer is laminated by two or more kinds of ferromagnetic layers, the practical magnetoresistance effect element having the suitable resistance value is capable of obtaining the high sensitivity, and having few the magnetic layers to be controlled can be provided while it effectively utilizes spin parasitic scattering effect.例文帳に追加

センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層やフリー層を２種類以上の強磁性層を積層した積層構成とすれば、スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁