「spin current」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The storage element stores information by inverting magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal occurring in association with a current flowing in a laminate direction.例文帳に追加

そして積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a spin valve sensor that can obtain a desirable ferroimagnetic coupled magnetic field (HF) by a current sputtering method.例文帳に追加

本発明の目的は、現行のスパッタ付着技法によって望ましい強磁性結合磁界（ＨＦ）を得ることができる、スピン・バルブ・センサの製作方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a current-perpendicular-to-the-plane type giant magnetoresistive effect sensor having low resistance and high sensitivity, which possesses synthetic spin-valve structure.例文帳に追加

シンセティックスピンバルブ構造を有する場合において低抵抗化かつ高感度化を実現することが可能な膜面直交電流型巨大磁気抵抗効果センサを提供する。 - 特許庁

The magnetic element 1 places a first ferromagnetic electrode 3 and a second ferromagnetic electrode 4 on a substrate 6 at intervals, and arranges those so as to contact an electrode 5 having a high spin hole effect to a magnetic element body 2 and the ferromagnetic electrode 3 to supply the current to the electrode 5 having the high spin effect, spin-injecting to magnetization-invert the first ferromagnetic electrode 3.例文帳に追加

磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

A magnetic field is generated by making current flow through the word lines 4a and 4b and the common bit line 3, and the spin arrangement of the respective MTJ elements 1 and 2 is varied by the composed magnetic field.例文帳に追加

この書き込みワード線４ａ，４ｂおよび共通ビット線３に電流を流して磁場を発生させ、その合成磁場によって各ＭＴＪ素子１，２のスピン配置を変化させる。 - 特許庁

When a current equal to or more than a value allowing the magnetization free layer to perform the spin torque oscillation flows from the first magnetization fixed layer to the magnetization free layer, the resistance of the laminated film changes according to the medium magnetic field.例文帳に追加

第１磁化固着層から磁化自由層へ、磁化自由層がスピントルク発振する値以上の電流が流されたときに、媒体磁界に応じて積層膜の抵抗が変化する。 - 特許庁

To provide a storage device which is capable of reducing a recording current by spin transfer through a process of forming a memory layer as a sufficiently thin continuous film by a stable technique in a manufacturing process.例文帳に追加

記憶層を製造上安定な手法で充分に薄い連続膜として形成して、スピントランスファによる記録電流を低減することを可能にする記憶素子を提供する。 - 特許庁

A spin torque transfer magnetic memory device has magnetic tunneling junction elements, entering the same resistance state when a write current is applied, disposed in series at both sides of the source and drain of a selection transistor.例文帳に追加

スピン注入磁気メモリ装置は、選択トランジスタのソース・ドレインの両側に、書き込み電流印加時に同じ抵抗状態をとる磁気トンネル接合素子が直列に配置されている。 - 特許庁

An output signal variation rate of spin accumulation effect in a plane is improved by arranging the second pair of ferromagnetic electrodes so as to cross a current flowing between the first pair of ferromagnetic electrodes.例文帳に追加

第一の強磁性電極対の間に流れる電流と交叉するように第二の強磁性電極対を配置することで、面内スピン蓄積効果の出力信号変化率が高まる。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor low-molecular weight molecule which enables stable, normal temperature spin coating step when applied to a device, and simultaneously meets a high charge mobility and a low leakage current.例文帳に追加

素子への適用の際に安定的な常温スピンコート工程が可能であるうえ、高い電荷移動度および低い漏れ電流を同時に満足する有機半導体低分子の提供。 - 特許庁

A DC current (DCT current) which generates a magnetic field in the direction opposite to the predetermined magnetizing direction of the pin layer adjacent to an antiferromagnetic layer, is supplied to the spin valve magnetoresistance effect element 23 (SV element) while supplying a nearly rectangular alternating current (ACT current) to a recording element 22 of the magnetic head 21 equipped with the recording element 22 and the SV element 23.例文帳に追加

記録素子２２とスピンバルブ磁気抵抗効果素子２３（ＳＶ素子）とを備える磁気ヘッド２１の記録素子２２に略矩形状の交番する電流（ＡＣＴ電流）を供給しつつ、ＳＶ素子２３に反強磁性層に隣接するピン層の所定の磁化方向に対して逆方向の磁界を発生させる直流電流（ＤＣＴ電流）を供給する。 - 特許庁

To provide a method for detecting an eddy current induced by the switched magnetic field gradient of a nuclear spin resonance device and including a cross term, so that at least the cross term of the eddy current can be determined within a selected layer in a short time.例文帳に追加

核スピン共鳴装置のスイッチングされる磁界勾配により惹起され、そして交差項を含んでいる渦電流を検出するための方法を、選択された層の中で短時間中に、少なくとも渦電流の交差項が決定できるように構成する。 - 特許庁

In the electromagnetic-field generating element, the magnetization of the spin-wave excitation layer is biased in a direction substantially perpendicular to its layer surface by a portion of the magnetic field generated from the first magnetic pole, and an electric current for exciting the spin-wave flows in the electromagnetic-field generating element in a direction from the second pole to the first pole.例文帳に追加

さらにこの電磁界生成素子においては、スピン波励起層の磁化が第１の磁極から発生する磁界の一部によって層面に実質的に垂直な方向にバイアスされ、スピン波を励起するための電流が電磁界生成素子内を第２の磁極から第１の磁極へ向かう方向に流れる。 - 特許庁

To provide a spin torque oscillating element capable of stably oscillating at low current density and having high intensity of an in-plane high frequency magnetic field, and to provide a magnetic recording head, a magnetic head assembly and a magnetic recording device.例文帳に追加

低電流密度で安定して発振が可能であり、かつ、面内高周波磁界の強度の高いスピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a spin torque oscillator capable of stably oscillating with a low current density and also having a high intensity of an in-plane high frequency magnetic field, and to provide a magnetic recording head, a magnetic head assembly, and a magnetic recorder.例文帳に追加

低電流密度で安定して発振が可能であり、かつ、面内高周波磁界の強度の高いスピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording element having a structure suited for spin injection, which can reduce density of current flowing in interconnection and a TMR (tunnel magneto resistive) element, as well as a method of writing into the magnetic recoding element.例文帳に追加

スピン注入に適した構造を有し、配線およびＴＭＲ素子に流れる電流密度を抑えることができる磁気記録素子およびこの磁気記録素子への書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide, for use in an electrically detected electron spin resonance process, a sample holder structure that enables current noise attributable to contact resistance or the like to be reduced and a manufacturing method for the same.例文帳に追加

本発明は、電気検出電子スピン共鳴法において、接触抵抗等に由来する電流ノイズを低減可能とする試料ホルダの構造、及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a structure of a sample holder for reducing a current noise derived from an electromagnetic induction, in an electrically-detecting electron spin resonance method, and to provide a manufacturing method for the sample holder.例文帳に追加

本発明は、電気検出電子スピン共鳴法において、電磁誘導等に由来する電流ノイズを低減可能とする試料ホルダの構造、及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

Faults or impurities existing at the region near the surface of a semiconductor can be evaluated with high sensitivity, by conducting current detection electron spin resonance measurement using this p-n junction diode for evaluation.例文帳に追加

この評価用ｐｎ接合ダイオ−ドを用いて電流検知電子スピン共鳴測定を行うことによって、半導体表面付近に存在する欠陥や不純物の高感度な評価が可能になる。 - 特許庁

This magnetic resonance imaging apparatus independently calculates deviations between the phase of a nuclear spin and the phase of the RF pulses due to the residual magnetic field and the eddy current from the phase of an excitation profile in a captured image or the receiving signal, respectively.例文帳に追加

撮影画像における励起プロファイル、または受信信号の位相から、残留磁場、渦電流による核スピンの位相とＲＦパルスの位相とのずれを、それぞれ独立に算出する。 - 特許庁

The magnetization reversal of the second ferromagnetic layer is executed by making a write current for supplying a spin polarized electron to the second ferromagnetic layer flow between the lower electrode 16 and the upper electrode 18 and using a magnetic field generated by the write current flowing to the lower electrode 16 and the upper electrode 18.例文帳に追加

第２強磁性層の磁化反転は、第２強磁性層にスピン偏極した電子を与える書き込み電流を下部電極16と上部電極18との間に流すと共に、下部電極16及び上部電極18に流れるその書き込み電流により発生する磁界を用いて実行する。 - 特許庁

To provide a resistance change memory device which uses a spin transfer effect which reduces the transition probability into a quasi-stable state, and achieves the stable flux reversal over a wide range of an injection current to write in data.例文帳に追加

準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する、スピントランスファ効果を利用してデータの書き込みを行う抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

A write-in of the information is carried out, by supplying the current to the magnetoresistive element 12 in a single direction and by setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a second direction according to a spin-transfer magnetization reversal.例文帳に追加

情報の書き込みは、磁気抵抗素子１２に単方向に電流を供給し、スピン注入磁化反転により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第２の方向に設定することで行われる。 - 特許庁

An output signal Y outputted to the output node O1 is verified at a state that input signals A, B are given and spin injection current is passed between the first and third power supply nodes N1 and N2.例文帳に追加

入力信号Ａ，Ｂを与え、かつ、第１及び第３の電源ノードＮ１，Ｎ２の間にスピン注入電流を流している状態で、出力ノードＯ１に出力される出力信号Ｙの検証を行う。 - 特許庁

To provide a star-shaped (oligothiophene-arylene) derivative which allows an ordinary temperature spin coating process and permits the manufacture of an organic thin film transistor simultaneously satisfying high charge mobility and a low leakage current.例文帳に追加

常温スピンコーティング工程が可能であるうえ、高い電荷移動度および低い漏洩電流を同時に満足する有機薄膜トランジスタを製造することが可能な星形（オリゴチオフェン−アリーレン）誘導体の提供する。 - 特許庁

A storage element 3 is configured to store information in a storage layer 16 by applying current in a lamination direction, injecting a spin-polarized electron, and changing the direction of magnetization M1 of the storage layer 16.例文帳に追加

積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１６の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１６に対して情報の記憶が行われる記憶素子３を構成する。 - 特許庁

An NMR apparatus having both a transmitter which generates spin excitation signals and a receiver which detects NMR signals analyzes an applied gradient signal and estimates a resulting oscillatory B0 eddy current Bee(t).例文帳に追加

スピン励起信号を発生する送信器（３６）とＮＭＲ信号を検出する受信器（３８）とを有するＮＭＲ装置において、印加された勾配信号を解析して、結果として生ずる振動性Ｂ０渦電流Ｂ_e （ｔ）を推定する。 - 特許庁

The storage element stores information by reversing magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal generated in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行う。 - 特許庁

Thus, in such spin valve head 36, the large resistance variation is realized in accordance with the inversion of the magnetizing direction established in a ferromagnetic layer 56 at the free side, similarly in the case the passing cross sectional surface of the current is reduced.例文帳に追加

その結果、こういったスピンバルブヘッド３６では、電流の通過断面が縮小される際と同様に、自由側強磁性層５６で確立される磁化方向の反転に応じて大きな抵抗変化量が実現されることができる。 - 特許庁

As a channel layer, which has a higher conductance than a free layer, is provided between the bottom spin-valve type magneto-resistive film and a conductive lead layer, a sense current distribution of less spread is formed from the free layer to the conductive read layer.例文帳に追加

ボトムスピンバルブ型磁気抵抗効果膜と導電リード層との間に、フリー層よりも高いコンダクタンスを有するチャンネル層を備えるようにしたので、広がりの少ないセンス電流分布をフリー層から導電リード層にかけて形成することができる。 - 特許庁

To obtain a large magnetoresistance effect based on a conductor with improved reproducibility by controlling the state of a current path including the conductor, when applying an intermediate layer having the conductor to a spin-valve GMR element in a CPP structure.例文帳に追加

ＣＰＰ構造のスピンバルブ型ＧＭＲ素子に導通部を有する中間層を適用する場合に、導通部を含む電流経路の状態を制御することによって、導通部に基づく大きな磁気抵抗効果を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁

To provide a spin valve type thin film element exhibiting excellent heat resistance and reliability and having a small asymmetry in which the direction of varying magnetization of a free magnetic layer can be controlled by providing a bias conductive layer and applying a current thereto.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a cheap current injection light-emitting element having high brightness, high stability, long life, and good color rendering property in spite of its very simple structure, which can be laminated with a simple method like a dip method or spin-coat method.例文帳に追加

極めて簡素な素子構成でありながら、高輝度、高安定性、長寿命、良演色性を併せ持ち、更に、スピンコートなどの簡易な方法で行うことができ、安価な電流注入型発光素子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a spin valve type thin film element having small asymmetry, superior heat-resistance, superior reliability, in which the thin film element has a bias conductive layer and is capable of controlling the direction of variable magnetization of a free magnetic layer, by applying current to the bias conductive layer.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁

To obtain a spin valve type thin-film magnetic element which has bias conductive layers, is capable of controlling the direction of the fluctuation magnetization of a free magnetic layer by impressing current to these bias conductive layers and has excellent heat resistance and reliability.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁

To separately measure a tunneling current derived from the uneven surface state of a sample and a tunneling current derived from a magnetized state at every magnetic domain of the sample in a spin polarization scanning tunneling microscope and to observe the surface uneven state of the sample and the magnetized state of each magnetic domain of the sample with high accuracy.例文帳に追加

スピン偏極走査型トンネル顕微鏡に関し、試料の各磁区ごとに試料表面の凹凸状態に起因するトンネル電流と磁化状態に起因するトンネル電流とを別々に測定できるようにし、試料表面の凹凸状態と試料の各磁区の磁化状態とを高精度に観測することができるようにする。 - 特許庁

To provide means for reducing current density required for spin injection magnetization reversal, to provide means for performing magnetic writing operation directly conducting a current to a memory cell without utilizing an external magnetic field, and further to provide a high density magnetic recording apparatus for enabling record reading operation in an equivalent device structure.例文帳に追加

スピン注入磁化反転に要する電流密度を低減化する手段を提供するとともに、高密度磁気記録装置の磁気的メモリーセルに対して、外部磁場を利用することなく、メモリーセルに直接電流を流すことにより磁気的書き込み操作を行う手段を提供し、かつ、同等の素子構造において記録読み取り操作を可能とする高密度磁気記録装置を提供すること。 - 特許庁

To form an insoluble organic polymer semiconductor thin film by applying an organic polymer semiconductor that has a side chain including a removable substituent through stable spin coating process at room temperature and then removing the substituent through heat or light, thereby providing an organic thin film transistor that has excellent charge mobility and low leakage current.例文帳に追加

新規な有機高分子半導体を用いて、安定的な常温スピンコート工程が可能であり、コート後、熱や光を介して置換基を除去することにより不溶性有機高分子半導体薄膜を形成し、電荷移動度に優れ、漏れ電流が低い有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

A chamfering part 110 for chamfering the space of respective corner parts 108 between the top plate 102 and respective two adjacent sidewalls 112 of the treatment chamber 60 guides an air current, which is blown above a cap 64 in the spin rotation, along the sidewall surfaces peripherally or downwardly.例文帳に追加

処理室６０の天板１０２と各隣接する２つの側璧１１２との間の各角隅部１０８の空間を面取りする面取り部１１０は、スピン回転時にカップ６４の上方に巻き上がった気流を側壁面に沿って周回方向ないし下方に案内する。 - 特許庁

To provide a spin injected inverted magnetization MTJ element which is less in failure in writing and has small threshold of write current density by improving transient characteristics during writing, and can be highly integrated, made fast, and reduced in power consumption, and to provide a magnetic memory device using the same.例文帳に追加

書き込み時の過渡特性を改善して、書き込みの失敗が少なく、書き込み電流密度のしきい値が小さく、高集積化、高速化、および低消費電力化が可能なスピン注入磁化反転型ＭＴＪ素子及びそれを用いた磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The magnetic domain wall movement type MRAM 1 has a magnetic domain wall movement layer 20 which is a ferromagnetic layer whose magnetic domain wall moves, wiring 60 where a current supplied to the magnetic domain wall movement layer 20 flows, and a spin absorption layer 70 interposed between the magnetic domain wall movement layer 20 and wiring 60.例文帳に追加

本発明に係る磁壁移動型のＭＲＡＭ１は、磁壁が移動する強磁性体層である磁壁移動層２０と、磁壁移動層２０に供給される電流が流れる配線６０と、磁壁移動層２０と配線６０との間に介在するスピン吸収層７０とを備える。 - 特許庁

To achieve the compatibility of the reduction of critical current density J_C, the improvement in output voltage, and the prevention of malfunction in order to obtain a large capacity (exceeding G bit) MRAM by spin-transfer torque writing method MRAM (STS-MRAM), being related to a magnetic storage device and its method of operation.例文帳に追加

磁気記憶装置及びその動作方法に関し、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）で大容量（Ｇｂｉｔ超）ＭＲＡＭを得る為、臨界電流密度Ｊ_C の低減、出力電圧の向上及び誤動作防止の両立を実現しようとする。 - 特許庁

In recording, current magnetization inverse is used by electric field radiation cathode array by a half metal material, in reproducing, spin arrangement information of metal nano-particles 16 is read out by propagation of a near field light generated through a near field light switching element 17 being nano-processed by a near field light conversion element 18.例文帳に追加

記録はハーフメタル材料による電界放射陰極アレイで電流磁化反転を用い、再生はナノ加工された近接場光交換素子１７を通して発生させた近接場光の伝播で金属ナノ粒子１６のスピン配列情報を近接場光変換素子１８で読み出す。 - 特許庁

This spin injection is executed in parallel to the memory cells to which the data "1" is written, the bit line write drive circuit is only required to constantly supply the data write current in one direction, and reduction for a layout space for the write drive circuit and high-speed writing can be realized.例文帳に追加

このスピン注入は、データ“１”を書込むメモリセルに対して並行して実行され、ビット線書込ドライブ回路は、常に一方方向にデータ書込電流を供給することが要求されるだけであり、書込ドライブ回路のレイアウト面積の低減および高速書込を実現することができる。 - 特許庁