「surface avalanche」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The generated light is injected onto the electrode surface protruding in the discharge space of the arc tube, and an electron is discharged from the electrode surface by a photoelectric effect, and thereby an electron avalanche is induced to start discharging.例文帳に追加

この発生した光を前記発光管の放電空間に突出した電極表面に入射させ、光電効果により前記電極表面から電子を放出さることにより、電子なだれを誘起して放電を開始する。 - 特許庁

The optical receiver 1 is provided with a PIN potodiode 13, which has an incident surface 13a for receiving signal light and transmits part of the signal light to the other surface 13z on the opposite side of the incident surface 13a, and an avalanche photodiode 11 which has an incident surface 11a for receiving the light transmitted through the photodiode 13.例文帳に追加

光受信器１は、信号光を受ける入射面１３ａを有し、信号光の一部を入射面１３ａの反対面１３ｚへ透過させるＰＩＮフォトダイオード１３と、ＰＩＮフォトダイオード１３を透過した光を受ける入射面１１ａを有するアバランシェフォトダイオード１１と、を備えている。 - 特許庁

This device is equipped with a surface light source 10 for performing light irradiation flatly onto an inspection object painted surface, an avalanche multiplication type imaging camera 21 as the image sensor entered by the regularly reflected light from the inspection object painted surface, and an image processing device 20 for inspecting existence of a defect on the painted surface by image processing for detecting a level change of the image signal.例文帳に追加

検査対象塗面を面状に光照射する面光源１０と、検査対象塗面での正反射光を入射させるイメージセンサとしてのアバランシェ増倍型撮像カメラ２１と、その画像信号のレベル変化を検出する画像処理により、塗面の欠陥の有無を検査する画像処理装置２０とを備える。 - 特許庁

A part of the outer periphery of the p-type silicon carbide region 4 which is parallel with the surface 14a(11-20) of the silicon carbide crystal where an avalanche breakdown is liable to occur is located on the short side of the p-type silicon carbide region 4.例文帳に追加

ｐ型炭化ケイ素領域４では、アバランシェ絶縁破壊が生じやすくなる炭化ケイ素結晶の（１１−２０）面１４ａと平行になるｐ型炭化ケイ素領域４の外周部の部分が短辺側に位置する。 - 特許庁

In the optical receiver 1, the avalanche photodiode 11 is disposed in between the PIN photodiode 13 and the principal surface 41a of a stem 41, and receives the light transmitted via the PIN photodiode 13 through an opening 50h provided in a mounting section 50b.例文帳に追加

光受信器１は、アバランシェフォトダイオード１１が、ＰＩＮフォトダイオード１３とステム４１の主面４１ａとの間に配置され、マウント部５０ｂに設けられた開口５０ｈを介してＰＩＮフォトダイオード１３を透過した光を受けることを特徴とする。 - 特許庁

Impact by avalanche of sand and stone is absorbed by shock absorbing tire structures 7 each comprising plural tire columns disposed flat in a river width direction on a surface of a dam body 2 of a sand control dam 1 on the upstream side in a width direction, and disposed in one or two or more layers in a river stream direction.例文帳に追加

砂防ダム１の堤体２の上流側の面に、タイヤ柱９が複数本、川幅方向に平面配置され、かつこの平面配置されたものが川の流れの方向に一又は二以上の層に配置されて成るタイヤ緩衝構造体７により、土石流による衝撃を緩衝する。 - 特許庁

Here are some examples: when the Japanese drum is struck successively with narrow drumsticks, it represents the sound of raindrops; when it is struck softly and weakly emitting low sound with drumsticks wrapped with a cloth, it represents the sound of the snow; when between those intervals it is struck horizontally with drumsticks picking up the tremble on the drum surface giving out cracking clamors, it represents the sound of thunder or avalanche. 例文帳に追加

例えば細めの撥で細かく叩くと雨の音、布を巻いた撥で弱く柔らかい音を低く響かせると雪の音、それらの合間に別の撥を水平に宛て、鼓面の震えを拾ってビリビリという音をたてると雷や雪崩の音を表現するといった具合である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A vertical MOSFET suppresses a parasitic bipolar transistor performance to improve the avalanche resistance by forming n-type regions 8 having an impurity concentration lower than an n-type substrate 1 or a p-type region 9 about the central part of a unit arrangement region having the apexes of FET cells 10 and diode cells 11 arranged on the surface of the n-type semiconductor substrate 1 with equal intervals.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型半導体基板１の表面上に等間隔に配置されたＦＥＴセル１０及びダイオードセル１１を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、Ｎ型基板１よりも不純物濃度の低いＮ型領域８を形成するか、もしくはＰ型領域９を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁