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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > surface oxideに関連した英語例文

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surface oxideの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 8398



例文

The silicon oxide particle is surface-treated by an organosilicon compound.例文帳に追加

上記酸化ケイ素粒子は、有機ケイ素化合物により表面処理されている。 - 特許庁

The hot forging mold preferably has an oxide film formed on its surface.例文帳に追加

そして、熱間鍛造金型の表面には酸化膜が形成されているとよい。 - 特許庁

To remove an oxide film on an upper surface of a molten solder injected from a nozzle.例文帳に追加

ノズルから噴流する溶融はんだの上面の酸化物膜を除去する。 - 特許庁

The particles of the inorganic oxide are subjected to a surface treatment using a silane coupling agent.例文帳に追加

前記無機酸化物粒子がシランカップリング剤により表面処理されている。 - 特許庁

例文

The zinc oxide nanocrystal has a surface modified with 2-bromo-2 methyl propionyl group.例文帳に追加

表面を2−ブロモ−2メチルプロピオニル基で修飾した酸化亜鉛ナノクリスタル。 - 特許庁


例文

A dielectric layer composed of niobium oxide is formed on the surface of the anode.例文帳に追加

この陽極の表面に酸化ニオブからなる誘電体層が形成される。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 is formed on the top surface of the charge transfer electrode 40.例文帳に追加

電荷転送電極40の上面は、酸化シリコン膜5が形成される。 - 特許庁

Accordingly, a germanium oxide film 4 is formed on one main surface of the substrate 1.例文帳に追加

これによって、酸化ゲルマニウム膜4が基板1の一主面に形成される。 - 特許庁

A tunnel oxide film 5 is formed on a surface of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体基板2の表面上には、トンネル酸化膜5が形成されている。 - 特許庁

例文

TREATMENT OF METAL OXIDE SURFACE WITH ULTRAVIOLET RAY AND ULTRAVIOLET RAY IRRADIATOR例文帳に追加

金属酸化物表面の紫外線処理方法および紫外線照射装置 - 特許庁

例文

Then, a silicon oxide film 17 is formed on the whole upper surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

その後、シリコン基板1の上側全面にシリコン酸化膜17を形成する。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR POSITIVE ELECTRODE LAYER PHASE STRUCTURE OXIDE FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY例文帳に追加

リチウム二次電池の正極用層相構造酸化物の表面処理方法 - 特許庁

To form a liquid-repellent layer having high scuffing resistance on a surface of a non-oxide material.例文帳に追加

酸化物でない素材の表面に耐擦性の高い撥液層を形成する。 - 特許庁

A collar oxide film 9 is formed on the surface of a side wall in an upper part of the trench 5.例文帳に追加

トレンチ5の上部側壁の表面にカラー酸化膜9を形成する。 - 特許庁

Preferably, the mixing ratio (titanium oxide A:titanium oxide B) of the titanium oxide (titanium oxide A) with an average particle size of ≥0.2 μm and the titanium oxide (titanium oxide B) with an average particle size of ≤0.05 μm is from 1:5 to 1:1, calculated in terms of a specific surface area, and the extender is calcium carbonate.例文帳に追加

平均粒子径が0.2μm以上の酸化チタン(酸化チタンA)と、平均粒子径が0.05μm以下の酸化チタン(酸化チタンB)との混合比率が、比表面積換算で、酸化チタンA:酸化チタンB=1:5〜1:1である態様、体質顔料が炭酸カルシウムである態様が好ましい。 - 特許庁

The inorganic oxide coated metal powder has an inorganic oxide layer on the surface of particles of metal powder and the inorganic oxide layer is constituted of silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, etc., and in which the diameter of crystallites of the metal powder particles is50 nm.例文帳に追加

金属粉の粉粒表面に無機酸化物層を備える無機酸化物コート金属粉であって、無機酸化物層は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム等で構成されており、且つ、金属粉の粉粒の持つ結晶子径が50nm以上である無機酸化物コート金属粉等を用いる。 - 特許庁

An oxide film 40 is arranged along the lateral side of the gate structure and an oxide film 50 is arranged along the lateral side of the oxide film 40 and the upper surface of the substrate 10.例文帳に追加

ゲート構造の側面に沿って酸化膜40が配置され、酸化膜40の側面および基板10の上面に沿って酸化膜50が配置されている。 - 特許庁

It is preferable that the conductive oxide particulate has indium oxide and/or tin oxide as a main component, and its surface is embellished with halogen ion or a halogen compound.例文帳に追加

導電性酸化物微粒子は、酸化インジウム及び/又は酸化錫を主成分とし、その表面がハロゲンイオン又はハロゲン化合物で修飾されていることが好ましい。 - 特許庁

After forming a field insulating film 12 on one main front surface of a semiconductor substrate 10, sacrificial oxide films or the gate oxide films are formed as oxide films 14a, 14b.例文帳に追加

半導体基板10の一方の主表面にフィールド絶縁膜12を形成した後、酸化膜14a,14bとして犠牲酸化膜又はゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

The fine copper powder consisting of Cu, copper oxide, cupric oxide and the surface oxide layer has the particle diameter of <1 μm.例文帳に追加

上記に記載のCu、酸化銅、酸化第二銅、および表面酸化層を有す銅微粉末が、1μm未満の粒径を有することを特徴とする鉛フリー高温用接合材料。 - 特許庁

A first silicon oxide film 7 and a second silicon oxide film 10 that is thinner than the first silicon oxide film 7 are formed on the main surface of a silicon semiconductor substrate 1 containing a PN junction 9.例文帳に追加

PN接合9を含むシリコン半導体基板1の主面に第1のシリコン酸化膜7とこれよりも薄い第2のシリコン酸化膜10とを形成する。 - 特許庁

The magnesium oxide film 1 is provided with a magnesium oxide thin film part 4 and a whisker 5 growing from the surface of and integrated with the magnesium oxide thin film part 4.例文帳に追加

酸化マグネシウム膜1は、酸化マグネシウム薄膜部4と、その表面から成長して酸化マグネシウム薄膜部4と一体になっているウィスカー5とを有している。 - 特許庁

The material is a carbon composite material which is obtained by coating a metal oxide on the surface of a carbon material, wherein the metal oxide is a metal oxide containing Fe.例文帳に追加

炭素材料の表面に金属酸化物が被覆されてなる炭素複合材料であって、金属酸化物がFeを含有する金属酸化物である炭素複合材料。 - 特許庁

After a pad oxide film, a silicon nitride film, and a silicon oxide film are deposited on the surface of an SOI layer formed on an SOI substrate, a trench reaching an embedded oxide film of the SOI substrate is formed.例文帳に追加

SOI基板のSOI層表面にパッド酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜を形成後、SOI基板の埋め込み酸化膜に達するトレンチを形成する。 - 特許庁

By exposing titanium oxide to the surface of the woody synthetic composition 29 as mentioned above, an cleaning effect possessed by titanium oxide is sufficiently developed.例文帳に追加

このように、酸化チタンを表面に露出させることにより、酸化チタンが備える空気清浄効果が充分に発揮される。 - 特許庁

The surface treatment method comprises forming the anodic oxide film on the article with an electrolysis treatment, and depositing silver or copper in the anodic oxide film.例文帳に追加

物品に電解処理を施して陽極酸化被膜を形成し、この陽極酸化被膜に銀又は銅を析出させる。 - 特許庁

The surface of a silicon substrate 21 exposed within the aperture is oxidized to form an oxide film 28 and this oxide film 28 is removed.例文帳に追加

開口内に露出するシリコン基板21の表面を酸化し酸化膜28を形成し、その酸化膜28を除去する。 - 特許庁

The total surface covering amount of the modified titanium oxide is preferably 1-20 mass% based on the titanium oxide.例文帳に追加

改質酸化チタンにおいて、表面被覆量の合計は酸化チタンに対して1〜20質量%であることが好適である。 - 特許庁

To obtain a method for forming a titanium oxide coating in which the titanium oxide coating having an increased surface area can be easily formed by a liquid phase deposition method.例文帳に追加

液相析出法により、容易に表面積が増加した酸化チタン被膜の形成方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

A silicon oxide film is formed before the whole surface is etched for forming an additional oxide film 17 and a second sidewall 18 is formed.例文帳に追加

シリコン酸化膜を成膜後全面エッチングをすることで追加酸化膜17を形成し、第2のサイドウオール18を形成する。 - 特許庁

The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.例文帳に追加

鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi/Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁

An oxide semiconductor layer which is intrinsic or substantially intrinsic and includes a crystalline region at a surface of the oxide semiconductor layer is used for the transistors.例文帳に追加

真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層をトランジスタに用いる。 - 特許庁

The catalyst can be made by forming an iron thin film on the surface of a composite catalyst of indium oxide and tin oxide.例文帳に追加

インジウム酸化物とスズ酸化物の混合触媒と、混合触楳の表面に形成された鉄薄膜から構成してもよい。 - 特許庁

The lithium containing transition metal oxide whose surface is coated with a carbonaceous thin film containing the oxide of the second metal is obtained.例文帳に追加

表面が第2の金属の酸化物を含む炭素質の薄膜で被覆されたリチウム含有遷移金属酸化物が得られる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING METAL OXIDE THIN FILM WITH SURFACE FINE STRUCTURE CONTROLLED BY ULTRAVIOLET IRRADIATION AND THE METAL OXIDE THIN FILM例文帳に追加

紫外線照射により表面微構造を制御した金属酸化物薄膜の製造方法及びその金属酸化物薄膜 - 特許庁

REDUCTION FIRING METHOD FOR SURFACE OXIDE FILM OF METAL OXIDE GRAIN OR METAL GRAIN AND METHOD FOR FORMING ELECTRICALLY CONDUCTIVE COMPONENT例文帳に追加

金属酸化物粒子もしくは金属粒子の表面酸化被膜の還元焼成方法及び導電部品の形成方法 - 特許庁

Particles of silicon oxide, which are a major component of chromate, bury recesses on the surface of the steel bar, and smooth the surface.例文帳に追加

クロメートの主要成分の酸化珪素の粒子が棒鋼表面の凹部を埋め、表面を滑らかにする。 - 特許庁

A surface of the radiation image conversion panel is surface-treated with a water repellent finishing agent or a metal oxide.例文帳に追加

輝尽性蛍光体層の表面は撥水処理剤または金属酸化物による表面処理がなされている。 - 特許庁

Next, the upper surface of a supporting substrate 11 is fixed to the lower surface of the semiconductor substrate 2 through a silicon oxide film 12.例文帳に追加

次に、半導体基板2の下面に支持基板11の上面をシリコン酸化膜12を介して固着する。 - 特許庁

To reduce irregularities on a surface of an oxide superconducting thin film provided on a substrate in its surface shape.例文帳に追加

基板上に設けた酸化物超電導薄膜の表面形状において、その凹凸を減少させること。 - 特許庁

Then, the surface of the monocrystalline silicon substrate 1 is ground to mirror-surface finish, the oxide film 4 is formed on the substrate and fine defects on the substrate are covered.例文帳に追加

そして、単結晶シリコン基板1上に、酸化膜4を成膜した単純な基板構造とする。 - 特許庁

The second main surface of the oxide substrate is bonded to the first main surface of the semiconductor substrate, or is annealed.例文帳に追加

酸化物基板の第2主表面を半導体基板の第1主表面に接着あるいは焼きなましする。 - 特許庁

Since the surface of the silicon film 3p is exposed to the external air, a natural oxide film 9 is generated on its surface.例文帳に追加

このシリコン膜3pの表面は外気に曝されるためその表面に自然酸化膜9が生成される。 - 特許庁

As a result, a metal oxide layer 20 whose surface is rough is formed on the surface of the PA66 plate 10.例文帳に追加

すると、PA66板10の表面には、表面が凹凸状をなす金属酸化物層20が形成された。 - 特許庁

The surface active agent is selected from the group consisting of an amine oxide, a betaine, a sulfobetaine and a high-molecular weight surface active agent.例文帳に追加

界面活性剤は、アミンオキシド、ベタイン、スルホベタイン、及び高分子界面活性剤から成る群より選択される。 - 特許庁

The surface-treated material has a substrate and a nanocrystal of a tin oxide installed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板と、該基板の表面に設置された酸化スズのナノ結晶と、を有する表面処理された材料。 - 特許庁

To provide a cerium oxide polishing agent which polishes the surface to be polished of a SiO_2 insulating film or the like at a high speed without scarring the surface.例文帳に追加

SiO_2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨する酸化セリウム研磨剤を提供する。 - 特許庁

The method includes: a step of depositing a tunnel oxide layer on a substrate; and a step of forming a plasma-altered near surface by exposing a tunnel oxide layer to a plasma and consequently allowing the plasma to alter the morphology of the surface and the near surface of the tunnel oxide.例文帳に追加

トンネル酸化物層を基板上に堆積させるステップと、トンネル酸化物層をプラズマに曝し、その結果、プラズマがトンネル酸化物の表面と近傍表面の形態を変化させ、プラズマ変化した近傍表面を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

The surface layer includes a polyester film (layer A), the back surface layer includes a polyethylene film (layer C), an inorganic oxide vapor deposited polyester film is formed between the surface layer and the back surface layer, and an inorganic oxide vapor deposited polyester film (layer B) coated with ink to which cerium oxide is added is laminated on the vapor deposited PET surface.例文帳に追加

表面層は、ポリエステルフィルム(層A)、裏面層はポリエチレンフィルム(層C)からなり、表面層と裏面層との間には無機酸化物蒸着ポリエステルフィルムがあり、更に蒸着PET面に酸化セリウムを添加したインキを塗布されたインキ付き無機酸化物蒸着ポリエステルフィルム(層B)をラミネートしたものである。 - 特許庁

例文

The method for producing the titanium oxide photocatalyst thin film comprises the step of subjecting a substrate to surface activation treatment, forming a titanium oxide thin film on the substrate, and subsequently subjecting the surface of the titanium oxide thin film to plasma treatment.例文帳に追加

基材を表面活性化処理した後、該基材上に酸化チタン系薄膜を形成し、次いで該酸化チタン系薄膜面をプラズマ処理することを特徴とする、酸化チタン系光触媒薄膜の製造法。 - 特許庁




  
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