「v族～」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal by which nitrogen can be mixed in crystals without being affected by the supply condition of a group III raw material and a III-V compound semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen in a group V composition can be obtained.例文帳に追加

III族原料の供給条件に影響を受けることなく窒素の混晶化を行うことができる、窒素と窒素以外のV族元素とをV族組成に有するIII-V族化合物半導体を得る為の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

To prevent degradation of output caused by heat in a semiconductor device having a group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。 - 特許庁

To provide a III-V-family compound semiconductor epitaxial wafer with excellent electric characteristics.例文帳に追加

電気的特性に優れたIII-V 族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The material of the electrode 20 is an ohmic metal to a p-type group III-V compound semiconductors.例文帳に追加

裏面電極２０の材料は、ｐ型のIII−V族化合物半導体に対するオーミック金属である。 - 特許庁

To provide a polytype of an optimum combination for an SiC substrate and overgrown III-V group nitride.例文帳に追加

ＳｉＣ基板および過成長III-V族窒化物の双方に最適な組み合わせのポリタイプを提供する。 - 特許庁

The MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method for growing the nitride semiconductor layer employing ammonium (NH_3) as a V-group material can be utilized.例文帳に追加

V族原料としてアンモニアNH_3を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

To provide an evaluation equipment for a group V metallocene polymerizing catalyst that can polymerize high active butadiene.例文帳に追加

ブタジエンを高活性で重合できる周期律表第V 族メタロセン型重合触媒の評価装置を提供する。 - 特許庁

The nucleus generation layer is manufactured at a relatively low temperature and comprises at least one layer of an III-V group nitride compound comprising indium.例文帳に追加

核生成層は比較的低温で作製され、インジウムを含有するIII-V族窒化化合物からなる少なくとも1つの層を備える。 - 特許庁

A second conductivity-type III-V compound semiconductor layer 20 is provided on the part 12 and a multilayer semiconductor part 24.例文帳に追加

第２導電型III−V族化合物半導体層２０は、半導体部１２上および多層半導体部２４上に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses introduction of oxygen into a group III-V compound semiconductor layer containing Al due to growth interruption.例文帳に追加

成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Additionally, there is another method through which the group IVb, III-V or II-VI impurities are doped during growing process of a silicon nanostructure on a semiconductor substrate.例文帳に追加

更に別法として半導体基板上でシリコン・ナノ構造が成長するときにIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を添加する方法がある。 - 特許庁

To obtain a III-V nitride based semiconductor light emitting device having a high luminous efficiency by suppressing re-evaporation of a group III-V element.例文帳に追加

III族元素の再蒸発を抑制して、発光効率が高いIII-V族窒化物系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a gallium nitride based group III-V compound semiconductor light emitting element in which the scattering radiation amount of light is increased, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

光の散乱放射量を増加する窒化ガリウム系III-V族化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The initial layer 2 is formed as a layer composed of a group III element of the group III-V compound semiconductor contained in the core layer 3.例文帳に追加

初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

The layer 40 is a first conductivity-type III-V compound semiconductor layer, extended along the layer 38.例文帳に追加

第３の半導体層４０は、第２の半導体層３８に沿って伸びる第１導電型III−V族化合物半導体層である。 - 特許庁

The layer 38 is a second conductivity-type III-V compound semiconductor layer, extended along the layer 36.例文帳に追加

第２の半導体層３８は、第１の半導体層３６に沿って伸びる第２導電型III−V族化合物半導体層である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing III-V semiconductor optical device for reducing variation of the shape of microstructure.例文帳に追加

微細構造の形状のばらつきを低減させることが可能なIII-V族半導体光デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A III-V group nitride element layer is grown up by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), and all layers become the 4 H-type polytypes.例文帳に追加

引き続き、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、III-V族窒化物素子層を成長させ、全ての層が４Ｈ型ポリタイプとなる。 - 特許庁

The layer 42 is a second conductivity-type III-V compound semiconductor layer provided on the layer 40.例文帳に追加

第４の半導体層４２は、第３の半導体層４０上に設けられた第２導電型III−V族化合物半導体層である。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for growing a III-V nitride semiconductor capable of accelerating a growth rate without applying a high voltage.例文帳に追加

高圧をかけずに成長速度を高めることができるIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提供すること。 - 特許庁

The first and second strain buffer intermediate layers include different semiconductor materials, and reduce strain of the first group III-V semiconductor body.例文帳に追加

前記第１および第２の歪緩衝中間層は、異なる半導体材料を有し、前記第１のIII-V族半導体本体における歪みを減少させる。 - 特許庁

Here, M in formula (1) is transition metal as an element in III group, IV group, or V group in the periodic table, b expresses 1-3, m expresses 1-4, n expresses 0-8, and q expresses 0 or 1.例文帳に追加

（Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In the formula (2), M represents a transition metal, a group III element, a group IV element, or a group V element in the periodic table, and b represents 1-3, m represents 0-8, and q represents 0 or 1.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In the epitaxial growth of a III-V group compound semiconductor thin film laminate wafer using an organic metallic material, the semiconductor thin film is epitaxially grown at a low temperature by a highly efficient V group material decomposition process by the mutual chemical reaction process of ammonia and triethylamine (ETA).例文帳に追加

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 - 特許庁

The self-supported III-V group nitride semiconductor substrate does not have clear boundaries betweem high-brightness regions and low-brightness regions in a fluorescence microscopy image of its surface layer existing from the top surface to a depth of at least 10 μm.例文帳に追加

自立したIII−V族窒化物系半導体基板であって、表面から少なくとも10μmの深さまでの表面層の蛍光顕微鏡像に、高明度領域と低明度領域が境界をもって存在しないことを特徴とするIII−V族窒化物系半導体基板。 - 特許庁

The method for forming a low resistance p-type compound semiconductor material on a substrate comprises a step (a) for forming a III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities on a substrate, and a step (b) for subjecting the III-V compound semiconductor material doped with p-type impurities to microwave processing.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

The method is to form a semiconductor material of low-resistance p-type compounds on a substrate, and includes (a) a stage which forms a semiconductor material of p-type impurity-doped group III-V compounds on the substrate and (b) a stage which carries out a micro wave processing on the semiconductor material of the p-type impurity-doped group III-V compounds.例文帳に追加

基板上に低抵抗ｐ型化合物半導体材料を形成する方法であって、（ａ）基板上にｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料を形成する段階と、（ｂ）ｐ型不純物ドープIII-V族化合物半導体材料上に対してマイクロ波処理を施す段階と、を備えたことをを特徴とする。 - 特許庁

To suppress the diffusion of a p-type impurity (typically magnesium) contained in a semiconductor region of a III-V compound semiconductor into another adjacent semiconductor region.例文帳に追加

III-V族化合物半導体の半導体領域に含まれるｐ型の不純物（典型的にはマグネシウム）が隣接する他の半導体領域に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

To provide a self-oscillation semiconductor laser employing a mixed-crystal semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen as an active layer and oscillating stably.例文帳に追加

窒素と窒素以外のV族元素を含む混晶半導体を活性層とする自励発振型半導体レーザにおいて、安定して自励発振する半導体レーザ等を提供することを目的としている。 - 特許庁

The active layer 15 is formed on the first n-type semiconductor layer 13 and includes a III-V group compound semiconductor layer including nitrogen and arsenic as V group elements.例文帳に追加

活性層１５は、第１のｎ型半導体層１３上に設けられており、Ｖ族元素として窒素及び砒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する。 - 特許庁

To suppress the generation of aluminum chloride (AlCl) and aluminum bromide (AlBr), which react with quartz, in the crystal growing of an Al-based III-V compound semiconductor by a conventional HVPE method.例文帳に追加

Alを含むIII-V族化合物半導体を従来のＨＶＰＥ法で結晶成長させる場合にて、石英と反応する塩化アルミニューム（AlCl）、臭化アルミニューム（AlBr）の発生を抑制すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device with which resistance of a p-type III-V group compound semiconductor layer including nitrogen can be made low without deteriorating an active layer.例文帳に追加

活性層を劣化させることなく窒素を含むｐ型III-V 族化合物半導体層を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A spacer layer 2 is formed on a single crystal substrate 1, and an epitaxial growth layer 3 comprising a III-V compound semiconductor layer including a nitride, or the like, is formed on the spacer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１の上に、スペーサ層２を形成し、さらに、スペーサ層２の上に、窒化物を含むIII-V 族化合物半導体層などからなるエピタキシャル成長層３を形成する。 - 特許庁

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

A compound semiconductor device comprises: a substrate 1; an initial layer 2 formed on the substrate 1; and a core layer 3 that is formed on the initial layer 2 and contains a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

基材１と、基材１の上方に形成された初期層２と、初期層２上に形成され、III−V族化合物半導体を含むコア層３と、が設けられている。 - 特許庁

At least one layer (the one directly deposited on a substrate is preferred), of a multi-layer structure, is made of an indium-containing III-V group nitride compound, acting as a buffer layer 16.例文帳に追加

多層構造で、該層の少なくとも1つの層(好適には基板(2)上に直接堆積されたもの(18))がインジウム含有III-V族窒化化合物から作製され緩衝層として働く。 - 特許庁

This light emitting material uses particle, and thin-line or well- shaped silicon nanostructure 17 made of a light emitting material containing group IVb, III-V or II-VI impurities.例文帳に追加

粒子、細線又は井戸状のシリコン・ナノ構造１７にIVb族、III-V族又はII-VI族不純物を発光センタとして含んだものを発光材料として用いる。 - 特許庁

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing.例文帳に追加

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。 - 特許庁

To provide a Group III-V compound semiconductor light-emitting diode which allows a problem of light-interception by an electrode to be completely in principle eliminated and also allows a total reflection at an interface to be suppressed effectively.例文帳に追加

電極による光の遮蔽問題を原理的に完全になくすことができ、しかも界面での全反射も効果的に抑えることのできるIII-V族化合物半導体発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁

To provide, in a semiconductor device in which a group III-V compound semiconductor is utilized, particularly a semiconductor device where phenomena can effectively be controlled in which the p-type impurity included in a semiconductor region disperses into the adjacent other semiconductor region.例文帳に追加

III−V族化合物半導体を利用する半導体装置に関し、特に、半導体領域に含まれるｐ型不純物が、隣接する他の半導体領域に拡散する現象を効果的に抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁