「v-based～」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体レーザ - 特許庁

FUEL INJECTION PUMP BASED ON V-SHAPED MULTIPLE CUTOUT PLUNGER例文帳に追加

Ｖ状多切欠プランジャーによる燃料噴射ポンプ - 特許庁

GAN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR DIODE例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体ダイオード - 特許庁

NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

GROUP III-V GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ＧａＮ系化合物半導体素子 - 特許庁

To provide Fe-Ni-(Nb, V, Ta) based flat metal soft magnetic powder, and to provide Fe-Ni-(Nb, V, Ta) based oxide film-coated flat metal soft magnetic powder with an oxide film formed on the surface of the same powder.例文帳に追加

Fe-Ni-(Nb,V,Ta)系扁平金属軟磁性粉末およびこの粉末の表面に酸化膜を形成したFe-Ni-(Nb,V,Ta)系酸化膜被覆扁平金属軟磁性粉末を提供する。 - 特許庁

FreeBSD supports NS8250-, NS16450-, NS16550-, and NS16550A-based EIA RS-232C (CCITT V.24) communications interfaces. 例文帳に追加

FreeBSD では、NS8250-、NS16450-、NS16550- および NS16550A- に基づ いた EIA RS-232C(CCITT V.24) 規格のシリアル インタフェースをサポート しています。 - FreeBSD

To obtain a III-V nitride based semiconductor light emitting device having a high luminous efficiency by suppressing re-evaporation of a group III-V element.例文帳に追加

III族元素の再蒸発を抑制して、発光効率が高いIII-V族窒化物系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Fe-Co-V BASED ALLOY MATERIAL例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ系合金材料の製造方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III-V NITRIDE BASED DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系デバイス、及びそれらの製造方法 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体 - 特許庁

Immigrant visas include the family sponsored visa and the employment based visa, while there are non-immigrant visas from A to V.例文帳に追加

移民ビザは家族スポンサービザと就労目的ビザ、非移民ビザはＡ～Vビザが存在する。 - 経済産業省

GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND GROUP III-V NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法、並びにＩＩＩ−Ｖ族窒化物系発光素子 - 特許庁

GaN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体スイッチング素子 - 特許庁

GAN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR TWO TERMINAL ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体二端子素子 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING CRYSTAL OF NITRIDE-BASED III-V COMPOUND, CRYSTAL SUBSTRATE OF NITRIDE-BASED III-V COMPOUND, FILM OF NITRIDE-BASED III-V COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物膜およびデバイスの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED III-V COMPOUND CRYSTAL, NITRIDE-BASED III-V COMPOUND CRYSTALLINE SUBSTRATE, NITRIDE-BASED III-V COMPOUND CRYSTALLINE FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物の結晶製造方法、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶膜およびデバイスの製造方法 - 特許庁

NITRIDE-BASED III-V GROUP SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED III-V GROUP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND LOT OF NITRIDE-BASED III-V GROUP SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体デバイス及びその製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板のロット - 特許庁

MANUFACTURE OF NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FOR GROUP III-V NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法 - 特許庁

The voltage influence rate is also calculated as (V"/V)×100%=α, based on the measured voltage V of the grounding electrode, and a voltage V" between the grounding electrode receiving the influencing voltage and the voltage detecting electrode.例文帳に追加

又、接地極の測定電圧Ｖ、波及電圧を受ける接地極と電圧検出電極との電圧Ｖ”から（Ｖ”／Ｖ）×１００％＝αとして計算する。 - 特許庁

Based on the initial C-V characteristics, the final C-V characteristics, and the measured amount of electric charges, a charge center position in the insulating film is evaluated.例文帳に追加

そして、前記初期C-V特性、前記終期C-V特性及び測定した前記電荷の量から前記電荷の前記絶縁膜中における前記荷電中心位置を評価する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SELF-SUPPORTING SUBSTRATE OF GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法 - 特許庁

Fe-V-Al-BASED THIN FILM RESISTOR AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加

Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系薄膜抵抗体及びその形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FABRICATING III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法 - 特許庁

The nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured by using a nitride based III-V compound semiconductor containing gadolinium(Gd).例文帳に追加

ガドリニウム（Ｇｄ）を含む窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いて窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置を作製する。 - 特許庁

GROUP III-V GAN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族ＧａＮ系半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

ELECTRODE STRUCTURE FOR NITRIDE-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体装置の電極構造 - 特許庁

The solid plasticizer is at least one kind selected from (i) a phosphoric acid ester-based compound, (ii) a phthalic acid ester-based compound, (iii) a hindered phenol-based compound, (iv) a triazole-based compound and (v) a hydroquinone-based compound.例文帳に追加

固体可塑剤は、(i)リン酸エステル系化合物、(ii)フタル酸エステル系化合物、（iii）ヒンダードフェノール系化合物、(iv)トリアゾール系化合物、(v)ハイドロキノン系化合物から選択された少なくとも１種の化合物であってもよい。 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE-BASED COMPOUND LAYER AND SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層およびそれを用いた基板 - 特許庁

v) Care prevention services (limited to those carried out based on a care prevention support plan 例文帳に追加

五　介護予防（介護予防支援計画に基づき行うものに限る。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板およびその製造方法 - 特許庁

NITRIDE BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置とその製造方法 - 特許庁

A power source unit 10 applies the voltages of 24 V and 5 V to a control unit 30 based on the AC input.例文帳に追加

電源ユニット１０は、交流入力に基づいて２４Ｖおよび５Ｖの電圧をコントロールユニット３０へ与える。 - 特許庁

A visual line detection unit 22 detects a movement vector ▵V(▵x, ▵y) as the amount of the visual line movement of the user based on a reference displacement amount Vo(xo, yo) generated in the past and the displacement amount V(x, y) generated at this time.例文帳に追加

視線検出部２２は、過去に生成された基準ズレ量Vo(xo,yo)と、今回生成されたズレ量V(x,y)とに基づいて、ユーザの視線の移動量として移動ベクトル△V（△x,△y）を検出する。 - 特許庁

Furthermore, a corrected frame 142-1 is generated based on the motion vectors V(N+1), and a corrected frame 142-2 is generated based on motion vectors V(N+2)' obtained by adding the motion vectors V(N+1) and the motion vectors V(N+2).例文帳に追加

そして動きベクトルＶ（Ｎ＋１）に基づいて補正フレーム１４２−１が生成され、動きベクトルＶ（Ｎ＋１）と動きベクトルＶ（Ｎ＋２）を加算した補正動きベクトルＶ（Ｎ＋２）’に基づいて補正フレーム１４２−２が生成される。 - 特許庁

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION FOR Al-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING Al-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法、Ａｌ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法ならびに製造装置 - 特許庁

The group III-V nitride-based semiconductor substrate is composed of a group III-V nitride-based semiconductor single crystal having the same crystal orientation.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板は、同一の結晶方位をもつＩＩＩ−Ｖ族窒化物系の半導体単結晶により構成されている。 - 特許庁

(2) Required fiber quantity Y[g] is calculated based on the volume V [cm^3] of the gap.例文帳に追加

（２）該隙間の体積に基づき必要繊維量Ｙ〔ｇ〕を算出する。 - 特許庁

GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体装置及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体装置 - 特許庁

(v) When the person has violated this Act, an order based on this Act or a disposition based on this Act 例文帳に追加

五　この法律若しくはこの法律に基づく命令又はこの法律に基づく処分に違反したとき。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The difference based on the output voltages V(d1) and V(d2) of the operational amplifier 43 obtained by the charge and discharge is taken.例文帳に追加

このような充放電によって得られるオペアンプ４３の出力電圧Ｖ（ｄ１）、Ｖ（ｄ２）に基づく差を取る。 - 特許庁

The operating unit 5 obtains a delay time t based on the detonating position data Ld1, the deceleration data Vc1, a relative position data Ls and the relative velocity data V.例文帳に追加

演算部5は、起爆位置データLd1、減速データVc1、相位置データLs、相対速度データVに基づき、ディレイ時間tを求める。 - 特許庁

The active layer 5 is made of a group III-V based compound semiconductor containing at least nitrogen element as a group V.例文帳に追加

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むIII−Ｖ系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁