「variable cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A nonvolatile semiconductor memory device has: a plurality of first wiring lines; a plurality of second wiring lines that intersects with the first wiring lines; and a memory cell array having a plurality of memory cells that comprises variable resistive elements for storing electrically re-writable resistance values, which are arranged at each intersection between the first wiring lines and the second wiring lines, in a nonvolatile manner as data.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数の第１の配線、第１の配線に交差する複数の第２の配線、並びに第１及び第２の配線の各交差部に配置された電気的書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子からなる複数のメモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

A semiconductor memory device has a control circuit in which reading operation for determining the resistance state of a variable resistive element VR is executed by applying a prescribed voltage to the selected memory cell MC arranged at the crossing part of a selected bit line BL and a selected word line WL and by detecting a current Icell flowing in the selected bit line BL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、選択されたビット線ＢＬ及び選択されたワード線ＷＬの交差部に配置された選択メモリセルＭＣに所定の電圧を印加して、選択されたビット線ＢＬに流れる電流Ｉｃｅｌｌを検知することにより、可変抵抗素子ＶＲの抵抗状態を判定する読み出し動作を実行する制御回路を備える。 - 特許庁

The circularly polarized light initiated liquid crystal display element with a vertical alignment mode is constructed with a light source BL, a circular polarizer structure P containing a first polarizing plate 6 and a first retardation plate 4, a variable retarder structure VR containing a liquid crystal cell C and a circular analyzer structure A containing a second polarizing plate 5 and a second retardation plate 3 in sequence.例文帳に追加

円偏光主導型の垂直配向モードの液晶表示素子は、光源ＢＬ、第１偏光板６及び第１位相差板４を含む円偏光子構成体Ｐ、液晶セルＣを含む可変リターダー構成体ＶＲ、第２偏光板５及び第２位相差板３を含む円検光子構成体Ａの順に構成する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with: memory cell arrays MA including a plurality of mutually parallel word lines WL; a plurality of mutually parallel bit lines BL formed so as to cross the word lines WL; and memory cells MC which are arranged at intersections with the word lines WL and the bit lines BL and each of which has a variable register VR and a diode Di connected thereto serially.例文帳に追加

半導体記憶装置は、互いに平行な複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬと交差するように形成された互いに平行な複数のビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの各交差部に配置され、可変抵抗素子ＶＲとダイオードＤｉとが直列接続されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡとを備える。 - 特許庁

The fuel cell device 1 is constituted of plural power generation cells 2 in which electric power is generated by using a fuel fluid such as hydrogen, plural connecting terminals 3a to 3d, and a connecting module such as a connecting switching plate 4 to make the electric connecting relationship between plural connecting terminals 3a to 3d variable.例文帳に追加

燃料電池装置１を水素のような燃料流体を用いて電力を発生させる複数の発電セル２と、該発電セル２のそれぞれに接続する複数の接続端子３ａ〜３ｄと、接続端子３ａ〜３ｄの間の電気的な接続関係を可変とする接続切替板４のような接続モジュールによって構成する。 - 特許庁

The separator channel structure of the fuel cell has (1) gas channel grooves 18Ag, 18Bg formed in a separator 18, the opening width W of the gas channel groove and the gas channel depth H of a separator base material are almost constant in the gas channel extension direction, and the gas channel cross section area is variable.例文帳に追加

（１）セパレータ１８にガス流路溝１８Ａｇ、１８Ｂｇが形成されている燃料電池のセパレータ流路構造であって、ガス流路溝伸長方向に、ガス流路溝の開口部幅Ｗとセパレータ母材のガス流路溝深さＨがそれぞれほぼ一定で、ガス流路断面積が変化している燃料電池のセパレータ流路構造。 - 特許庁

To provide a method for producing a gene encoding an antimalathion monoclonal antibody, a vector containing the gene, a host cell obtained by transforming with the vector or a recombinant protein containing the variable region of the antimalathion monoclonal antibody obtained by using the above gene and to obtain the recombinant protein produced by the above method for production.例文帳に追加

本発明は、抗マラチオンモノクローナル抗体をコードする遺伝子、当該遺伝子を含むベクター、当該ベクターで形質転換した宿主細胞、前記遺伝子を用いた抗マラチオンモノクローナル抗体の可変領域を含む組換えタンパク質の製造方法、及び当該製造方法によって製造される組換えタンパク質を提供することを目的とする。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device includes a plurality of unit cell arrays MAT00-11 having memory cells MC including bit lines BL and word lines WL and variable resistance elements VR which are arranged at respective cross parts of the bit lines BL and word lines WL, which are electrically re-writable, and of which the resistance values are stored as data in a nonvolatile state.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬ、並びにビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの各交差部に配置された電気的に書き換え可能で抵抗値をデータとして不揮発に記憶する可変抵抗素子ＶＲを含むメモリセルＭＣを有する複数の単位セルアレイＭＡＴ００〜１１を備える。 - 特許庁

The multivalent vaccines have at least two recombinant variable regions of immunoglobulin molecules derived from B-cell lymphoma cells of a single patient, wherein the cells exhibit two different immunoglobulin molecules and the immunoglobulin molecules are different based on at least one idiotope.例文帳に追加

単一の患者のＢ細胞リンパ腫細胞由来の免疫グロブリン分子の少なくとも２つの組換え可変領域を含有する多価ワクチンであって、前記細胞が少なくとも２つの異なる免疫グロブリン分子を発現するものであり、前記免疫グロブリン分子が少なくとも１つのイディオトープによって異なるものである、上記の多価ワクチン。 - 特許庁

The present invention sets a production quantity of cells or microorganisms based on measurement values and a variation value indicating how much the production quantity varies for each cell or condition, calculates a production quantity and a range of variation values when combining multiple cells or conditions based on the production quantity and the variation value which are set, and calculates an optimum combination within the variable range using an optimization method.例文帳に追加

本発明は、測定データに基づく細胞またはバイオマスの生産量、および、当該生産量がどの程度変動するかを示す変動値を細胞または条件ごとに設定し、設定された生産量および変動値に基づいて、複数の細胞または条件を組み合わせた場合の生産量および変動値の可変範囲を算出し、最適化手法を用いて、可変範囲における最適な組み合わせを算出する。 - 特許庁