「variable cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory cell MC is disposed between a bit line BL and a word line WL and is configured by serially connecting a variable resistance element VR and a diode DI.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ビット線ＢＬとワード線ＷＬとの間に配置され且つ可変抵抗素子ＶＲとダイオードＤＩとを直列接続してなる。 - 特許庁

To provide a fuel cell system control device capable of always supplying a sufficient electric power to a load with a variable power consumption.例文帳に追加

使用電力が変動する負荷に対して常に十分な電力供給を実現することができる燃料電池システムの制御装置を提供する。 - 特許庁

To realize reduction of a memory cell area and improve a read-out operation margin in a cross point memory of multi-bank system using variable resistance elements for memory cells.例文帳に追加

メモリセルに可変抵抗素子を用いたマルチバンク方式のクロスポイントメモリにおいて、メモリセル面積の縮小化を実現し、読み出し動作マージンの向上を図る。 - 特許庁

Memory cells are arranged at intersections between a plurality of first wirings and a plurality of second wirings, the memory cell being configured by connecting a rectifier element and a variable resistance element in series.例文帳に追加

メモリセルは、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなり、複数の第１配線及び複数の第２配線の交差部に配置される。 - 特許庁

In the variable resistor circuit 7, when the battery pack 1a is separated from a charger, a resistance value between a voltage detection terminal 15 and the secondary battery cell 2 rises.例文帳に追加

可変抵抗回路７は、電池パック１ａが充電器から分離されると、電圧検出端子１５と二次電池セル２との間の抵抗値が高くなる。 - 特許庁

A memory cell array 1 formed of an array of memory cells MC each located between a word line WL and a bit line BL, and each including a variable resistor VR.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの間に配置され且つ可変抵抗素子ＶＲを含むメモリセルＭＣを配列してなる。 - 特許庁

A quantity of residual hydrogen in an anode exhaust gas is controlled with a quantity of a current taken out from a fuel cell by a power converting means as a manipulation variable.例文帳に追加

電力変換手段によって燃料電池から取り出す電流量を操作変数として、アノード排ガス中の残留水素量を制御する。 - 特許庁

A selection transistor and a resistance variable element of a real memory cell are connected in series between a first voltage line and a second voltage line through a connection node.例文帳に追加

リアルメモリセルの選択トランジスタおよび抵抗変化素子は、第１電圧線と第２電圧線との間に接続ノードを介して直列に接続されている。 - 特許庁

To perform band allocation processing with a variable length packet unit about a band allocating method and a band allocation transmission system when transmission is performed with the unit of a cell.例文帳に追加

セル単位で伝送する場合の帯域割当方法及び帯域割当伝送システムに関し、可変長パケット単位で帯域割当処理を行う。 - 特許庁

To provide a drain pump for a flush memory without any wasteful current consumption by making the voltage to be supplied to a memory cell variable according to the number of memory cells.例文帳に追加

ビットの数に応じてメモリセルに供給される電圧が可変されるようにし、無駄な電流消耗のないフラッシュメモリ用ドレインポンプを提供する。 - 特許庁

A sense amplifier 7A compares a potential of a bit line BL to which a variable cell resistance Rcell is connected, with a reference potential VREF to read a logic of information.例文帳に追加

センスアンプ７Ａは、前記可変セル抵抗Ｒｃｅｌｌが接続されたビット線ＢＬの電位を参照電位ＶＲＥＦと比較し、情報の論理を読み出す。 - 特許庁

To allow a fuel cell system equipped with a flow amount variable ejector to reliably eject impurities during a reaction off-gas purge.例文帳に追加

流量可変式のエジェクタを備えた燃料電池システムにおいて、反応オフガスのパージ時に不純物を確実性良く排出することを目的とする。 - 特許庁

Because of this, moisture content in the humidification member 20n is made variable, and the humidified state of the reactant gas prior to the power generation supplied to the fuel cell 8 is controlled.例文帳に追加

このため加湿部材２０ｎにおける湿分を可変とし、燃料電池８に供給される発電前の反応ガスの加湿状態を制御する。 - 特許庁

The memory cell structure is characterized by a double-channel structure in which the interior of a switching transistor is filled with a variable resistor element, in particular, by a phase change material.例文帳に追加

スイッチングトランジスタの内部を可変抵抗素子、特に相変化材料で充填した２重チャネル構造としたメモリセル構造を特徴とする。 - 特許庁

To prevent the decrease of the effective switching capacity due to switch splitting loss and packet fragmentation loss when switching variable-length packets, in a multi-plane cell switch fabric system.例文帳に追加

セル分散型スイッチファブリックで、可変長パケットを交換する際のスイッチ分割損とパケット分割損による実効交換容量低下を防ぐ。 - 特許庁

To stabilize a gas supply state under an operation condition of a largely fluctuating load in a fuel cell system equipped with a variable gas supply device.例文帳に追加

可変ガス供給装置を備えた燃料電池システムにおいて、負荷変動が大きい運転状況下でガス供給状態の安定化を図る。 - 特許庁

A magnetic memory cell 40 has a data storage layer 50 for storing a variable magnetic field, a reference layer 54 in which a magnetization direction is pinned, and a tunnel barrier 52.例文帳に追加

磁気メモリ・セル４０は、変更可能な磁界を記憶するデータ記憶層５０と、磁化方向がピン留めされた基準層５４と、トンネル障壁５２とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device has a memory cell MC that stores data as a result of a state of a variable resistance included in the memory cell becoming either a first high resistance state or a first low resistance state, and has two storage modes of a first mode and a second mode depending on a level of a resistance value of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルに含まれる可変抵抗の状態が第１の高抵抗状態及び第１の低抵抗状態のいずれかになることによりデータを記憶するメモリセルＭＣを含み、メモリセルの抵抗値の大きさにより第１モードと第２モードとの２つの記憶モードをもつ半導体装置。 - 特許庁

The pixel sensor cell including a column circuit, a design structure for fabricating the pixel sensor cell including the column circuit and a method for operating the pixel sensor cell including the column circuit are predicated upon the measurement of multiple reference data point and signal data point pairs from a floating diffusion at a variable capacitance.例文帳に追加

列（カラム）回路を含む画素センサ・セル、列回路を含む画素センサ・セルを製造するための設計構造体、及び列回路を含む画素センサ・セルを動作させるための方法は、可変キャパシタンスでの浮遊拡散部からの複数の参照データ・ポイントと信号データ・ポイントとのペアの測定に基づく。 - 特許庁

The nonvolatile memory device is provided with a unit cell 110, a sensing means 120 for sensing data from the unit cell 110, and a read voltage variable means 130 for varying an input voltage and supplying the varied read voltage to the unit cell 110.例文帳に追加

本発明は、単位セル１１０と、該単位セル１１０からデータを感知する感知手段１２０と、入力電圧を可変させ、可変した読み出し電圧を単位セル１１０に供給する読み出し電圧可変手段１３０と、を備える不揮発性メモリ装置を提供する。 - 特許庁

The temperature sensor is provided with: a plurality of serially-connected constant delay cells for receiving and delaying temperature detection signals; a variable delay cell for receiving the delaying and delaying the temperature detection signals; and a section determination logic part for latching output of the constant delay cells in response to output of the variable delay cell and generating temperature codes.例文帳に追加

温度検出信号を受けて遅延させる複数個の直列連結された一定遅延セルと、温度検出信号を受けて遅延させる可変遅延セルと、可変遅延セルの出力に応答して一定遅延セルの出力をラッチし、温度コードを発生する区間判別ロジック部と、を備える温度センサである。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes the memory cell having a variable resistance element of which the resistance value varies by application of a voltage, a power supply circuit 11 outputting voltage applied to the memory cell, interconnection L1, L2 formed between the power supply circuit 11 and the memory cell and supplying voltage outputted from the power supply circuit 11 to the memory cell, and a discharging circuit 17 connected to the interconnection.例文帳に追加

電圧の印加によって抵抗値が可変する可変抵抗素子を有するメモリセルと、メモリセルへ印加する電圧を出力する電源回路１１と、電源回路１１とメモリセルとの間に形成され、電源回路１１から出力された電圧をメモリセルに供給する配線Ｌ１，Ｌ２と、配線に接続された放電回路１７とを備える。 - 特許庁

The method includes a sep for arranging an input/output cell 12 provided with a controllable input/output impedance; a step for arranging a reference cell 14 comprising a node with a variable voltage; and a step for comparing the node voltage with a reference voltage.例文帳に追加

制御可能な入出力インピーダンスを有する入出力セル１２を設けるステップと、可変電圧を有するノードを含む参照セル１４を設けるステップと、ノードの電圧を参照電圧と比較するステップとを含む。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes first and second memory cells each including a variable resistance element 19 and a diode D and having a pillar shape, and an insulating layer 20 provided between the first memory cell and the second memory cell and including a void 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、可変抵抗素子１９及びダイオードＤを有し、かつピラー状の第１及び第２のメモリセルと、第１のメモリセル及び第２のメモリセル間に設けられ、かつボイド２１を有する絶縁層２０とを含む。 - 特許庁

Data writing is carried out by changing writing conditions by a writing condition setting circuit (5) after reading written data under control of a writing control circuit (4) at the time of the data writing of a variable resistive element type memory cell (M) of a memory cell array (1).例文帳に追加

メモリセルアレイ（１）の可変抵抗素子型メモリセル（Ｍ）のデータの書込時、書込制御回路（４）の制御の下に書込データを読出した後、書込条件設定回路（５）により書込条件を変更してデータの書込を実行する。 - 特許庁

The memory device includes: a memory cell MC configured by connecting a variable cell resistor Rcell and an access transistor AT in series between a plate line PL and a bit line BL; a drive control unit (a reference voltage generation control circuit 14 is a principal part); and the sense amplifier 7.例文帳に追加

可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴをプレート線ＰＬとビット線ＢＬとの間に直列接続させているメモリセルＭＣと、駆動制御部（参照電圧発生制御回路１４が要部）と、センスアンプ７とを有する。 - 特許庁

To provide a memory cell and a storage device using the cell capable of operating at low voltage with a variable resistor element which consists of thin-film material having a perovskite structure (for example, PCMO) or the like, as a memory element and of being highly integrated.例文帳に追加

ペロブスカイト構造をもつ薄膜材料（例えばＰＣＭＯ）等からなる可変抵抗素子を記憶素子として低電圧で動作可能であり、且つ高集積が可能なメモリセル及び該メモリセルを用いた記憶装置を提供する。 - 特許庁

The human heavy chain variable part antibody which is active to bind with Her2 is successfully obtained by repeating a step of selecting a phage for expressing the human heavy chain variable part antibody a plurality of times which binds with Her2-expressing human cultured cell.例文帳に追加

Her2発現ヒト培養細胞に結合するヒト重鎖可変部抗体発現用ファージを選択するステップを複数回繰り返し行うことにより、Her2に対する結合活性を有するヒト重鎖可変部抗体を取得することに成功した。 - 特許庁

Despite a resistive state of a variable resistive element of a memory cell to be rewritten (an erasing and writing operation), an erasing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element a lowest erasure state is applied thereto.例文帳に追加

書き換え動作（消去および書き込み動作）対象のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態に拘わらず、当該可変抵抗素子の抵抗状態を抵抗値の最も低い消去状態とするための消去電圧パルスを印加する。 - 特許庁

In the data registration processing part 17, the inputted variable and the outputted variable to be connected to each other are displayed by arranging them in the same line of the list and data input in each cell of the list by an operation of an operation part 14 is enabled.例文帳に追加

データ登録処理部１７では互いに接続される入力変数と出力変数とを一覧表の同じ行に並べて表示するとともに操作部１４の操作による一覧表の各セルへのデータの入力を可能とする。 - 特許庁

Surplus power exceeding a demand power in an external power load EI of the generated power in the fuel cell 50 is supplied to the variable supply unit 81.例文帳に追加

燃料電池５０における発生電力のうち、外部電力負荷ＥＩにおける需要電力を超える余剰電力は、可変供給部８１に供給される。 - 特許庁

The three-dimensional cross-point type variable resistance memory array has a current detector 32, connected with a bit line to read memory bits of a memory cell 30 and is configured as a multi-layer memory array.例文帳に追加

３次元クロスポイント型可変抵抗メモリアレイは、メモリセル３０の記憶ビットを読み出すビット線と接続する電流検知器３２を備え、多層メモリアレイとして構成される。 - 特許庁

To realize a variable resistance value storage device capable of exactly writing data and exactly reading the data irrespective of variation in memory cell characteristics.例文帳に追加

メモリセル特性のばらつきにかかわらず、正確にデータの書込を行ない、また正確にデータの読出を行なうことのできる抵抗値可変型記憶装置を実現する。 - 特許庁

A semiconductor memory comprises a memory cell that is disposed between first wiring and second wiring, and includes a variable resistive element and a switching element connected in series.例文帳に追加

実施の形態の半導体記憶装置は、第１配線と第２配線との間に配置され且つ可変抵抗素子とスイッチング素子を直列接続してなるメモリセルを備える。 - 特許庁

A memory cell array MA is configured by arranging memory cells MC composed of serially connected rectifying element Di and variable resistance element VR at intersections between pluralities of bit lines and word lines.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＡは、整流素子Ｄｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを複数のビット線及びワード線の交差部に配置してなる。 - 特許庁

To provide an air mattress in which the pressure of each pouch-shaped cell is variable and does not decrease the comfort of a sleeper lying on the air mattress.例文帳に追加

各袋状セルの圧力が可変である構成のエアマットレスにおいて、エアマットレス上に横たわる人の寝心地を低下させることがないエアマットレスを提供する。 - 特許庁

To obtain a sound insulation panel which can effectively utilize resources without the need for a heavy work burden, and can make an angle of a solar cell module variable by a simple structure.例文帳に追加

大きな作業負担を要することなく資源の有効利用を図ることができ、しかも、簡単な構造で太陽電池モジュールの角度可変が可能な遮音パネルを得る。 - 特許庁

A joint of each cell 32 of a mesh model 30 is moved by morphing according to the amount of variations of a design variable of a mesh model 30 obtained by optimization search.例文帳に追加

最適化探索により得られたメッシュモデル３０の設計変数の変形量に従って、モーフィングによってメッシュモデル３０の各セル３２の節点を移動させる。 - 特許庁

The electrically controlled variable reflectance mirror contains a Pockels cell which can control retardation or birefringence of the mirror to vary the light outcoupled from a laser cavity.例文帳に追加

レーザ空洞からアウトカプリングされた光を変化させるためにミラーの遅延又は複屈折を制御することを可能にするポッケルスセルを含む電気制御式可変反射率ミラー。 - 特許庁

To provide a transfectant, for example, a CHO cell, which expresses at least the variable heavy chain and light chain domains of a monoclonal antibody specific to human B7.1 antigen.例文帳に追加

ヒトＢ７.１抗原に特異的なモノクローナル抗体の少なくとも可変重鎖および軽鎖ドメインを発現するトランスフェクタント、たとえばＣＨＯ細胞を提供する。 - 特許庁

In the amplifying circuit comprising the amplifiers of front and rear stages, the amplifier 1 of the front stage is a variable gain differential amplifier including a Gilbert cell circuit.例文帳に追加

前段の増幅器および後段の増幅器から構成される増幅回路において、前段の増幅器１は、ギルバートセル回路２０を含む可変利得差動増幅器である。 - 特許庁

A variable drainage pump 14 for discharging the stagnant water in the electrolytic cell 13, the delivery passage 24, and the discharge passage 25 by being driven during the stop of water supply from the water supply passage 9 to the electrolytic cell 13 is installed in the discharge passage 25.例文帳に追加

給水路９から電解槽１３への水の供給を停止している時に駆動して電解槽１３及び吐出路２４及び排出路２５内に滞留した水を排出する出力可変の排水ポンプ１４を排出路２５に設ける。 - 特許庁

To provide a fuel cell system that prevents the occurrence of pulsation in a fuel gas, even if a variable gas supply device is driven, so as to suppress the occurrence of vibration and noise due to fuel gas pulsation, and to provide a fuel cell vehicle.例文帳に追加

可変ガス供給装置を駆動しても燃料ガスに脈動が生じ難くし、それによって燃料ガスの脈動に起因する振動や騒音の発生を抑えることができる燃料電池システムおよび燃料電池車両を提供する。 - 特許庁

To improve the readout margin, while taking into account a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read out consisting of a variable resistance element for storing multi-value information, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を考慮して、読出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

To provide a SRAM in which a leak current of memory cells can be reduced with simple constitution without requiring a circuit for varying power source potential of a memory cell and well potential of a transistor of a memory cell, and a process for forming a variable resistor.例文帳に追加

メモリセルの電源電位やメモリセルのトランジスタのウエル電位を可変させるための回路や、可変抵抗を形成するためのプロセスを要せず、簡単な構成でメモリセルのリーク電流の低減化を図ることができるＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁