「variable cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An electrically conducting interconnect element is deposited onto at least selected vertical pillar transistors and a non-volatile variable resistive memory cell is deposited onto the electrically conducting interconnect element to form a vertical transistor memory array.例文帳に追加

導電相互接続素子が、少なくとも選択された縦型ピラートランジスタ上に堆積されるとともに、不揮発性可変抵抗メモリセルが、導電相互接続素子上に堆積されて、縦型トランジスタメモリアレイを形成する。 - 特許庁

The semiconductor storage device has a low power consumption mode which uses the redundancy and a high speed performance mode which does not use the redundancy, and includes a variable delay circuit 4 for changing timing for issuing a cell array control signal to select the memory cell, in the low power consumption mode and high speed performance mode.例文帳に追加

半導体記憶装置は、リダンダンシを使用する低消費電力モードと、リダンダンシを使用しない高速動作モードとを有し、低消費電力モードと高速動作モードとで、メモリセルを選択するためのセルアレイ制御信号を発行するタイミングを変更するための遅延量可変回路４を備えている。 - 特許庁

The ATM cell assembling device is provided with a means that multiplexes each of part divisions of each of communication information items with variable length onto a payload of the same ATM cell together with information with respect to division positions in the communication information before the division and information with respect to the divided length.例文帳に追加

ＡＴＭセル化装置は、複数の可変長の通信情報のそれぞれについて、各通信情報を分割した一部のそれぞれを、分割前の通信情報における分割位置に関する情報と分割された長さに関する情報と共に、同一のＡＴＭセルのペイロード内に多重化する手段を設けた。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device according to an embodiment includes: a memory cell MC-sel that consists of a variable resistive element VR and a capacitor CP which are connected in series between first and second conductive wires WL1 and BL1; and control circuits 2 and 3 which apply the first or second voltage pulse to the memory cell MC-sel.例文帳に追加

実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第１及び第２の導電線ＷＬ１，ＢＬ１間に直列接続される可変抵抗素子ＶＲ及びキャパシタＣＰから構成されるメモリセルＭＣ−ｓｅｌと、メモリセルＭＣ−ｓｅｌに第１又は第２の電圧パルスを印加する制御回路２，３とを備える。 - 特許庁

Among all the bit data of variable length communication cells, the bit data for the integer multiple of a first bit length are stored in a main cell storage memory 1 accessible for the first bit length, and bit data of no longer of the first bit length except for the bit data to be stored in the main cell storage memory 1 are stored in a fraction memory 2.例文帳に追加

この発明は、可変長通信セルの全ビットデータの内、第１のビット長の整数倍のビットデータを第１のビット長でアクセス可能な主セル格納メモリ１に蓄積し、主セル格納メモリ１に格納されるビットデータを除く第１のビット長未満のビットデータを端数メモリ２に蓄積して構成される。 - 特許庁

In the absorbance measuring method using the optical path length variable cell 2, by fixing the cell body 2b to the optical path X of measured light and moving the optical path length varying block 14 in the direction crossing the optical path of the measured light, the absorbance measurement at a plurality of optical path lengths is allowed.例文帳に追加

本発明の光路長可変型セル２を使用した吸光度測定方法は、測定光の光路Ｘに対してセル本体２ｂを固定し、光路長変更ブロック１４を測定光の光路を横切る方向に移動させることにより複数の光路長での吸光度測定を可能にするものである。 - 特許庁

A plant body cell having a gene encoding at least a variable region among genes encoding anti-human calicivirus monoclonal antibody in a self cell is prepared and the gene is expressed in a recombinant plant body cell to give an anti-human calicivirus monoclonal antibody, which is used and a human calicivirus detection system is constructed to solve the problem.例文帳に追加

抗ヒトカリシウイルスモノクローナル抗体をコードする遺伝子のうち、少なくとも、その可変領域をコードする遺伝子を、自己の細胞中に保有する、植物体細胞を作出して、かかる組換え植物体細胞において上記遺伝子を発現させることによって得られる抗ヒトカリシウイルスモノクローナル抗体を用いて、ヒトカリシウイルスの検出系を構築することにより、上記の課題を解決し得ることを見出した。 - 特許庁

The resistance change memory device includes a memory cell MC configured by serially connecting a variable resistance element whose resistance state is reversibly changed by voltage or current application and a diode, and state transition stabilizing transistors MP and MN serially connected to the current path of the memory cell to stabilize the resistance state transition of the memory cell by an operation point movement due to the resistance state transition.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、電圧又は電流印加により抵抗状態が可逆的に遷移する可変抵抗素子とダイオードを直列接続して構成されるメモリセルＭＣと、前記メモリセルの電流経路に直列に接続されて、前記メモリセルの抵抗状態遷移に伴う動作点移動によりその抵抗状態遷移を安定化させる状態遷移安定化用トランジスタＭＰ，ＭＮとを有する。 - 特許庁

To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.例文帳に追加

電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

An output voltage of a dry cell power source BAT is divided by resistors to give a gate voltage Vg and a variable DC voltage feeder 10 including a DC stabilized power source 4 gives a drain voltage Vd.例文帳に追加

ゲート電圧Ｖｇについては乾電池電源ＢＡＴの出力電圧を抵抗分割して与え、ドレイン電圧Ｖｄについては、直流安定化電源４を含む可変直流電圧供給装置１０から与える。 - 特許庁

To provide liquid crystal cell constitution suitable for a polarization control type liquid crystal optical switch which is adaptable also to a variable optical attenuator used for a wavelength division multiplexing (WDM) communication system using an optical fiber and an optical fiber network and to provide a driving method therefor.例文帳に追加

光ファイバを用いた波長多重（ＷＤＭ）通信方式・光化ネットワークに用いる可変光減衰器としても適用可能な偏光制御型液晶光スイッチに適した液晶セル構成と駆動方法を提供する。 - 特許庁

When the regenerative electric power becomes surplus in the fuel cell vehicle, a compressor 5 is rotated excessively to create surplus airflow and supply it to an airflow utilizing means 12 via a first variable valve 7 and a by-pass pipe 9.例文帳に追加

回生電力が燃料電池車両で余剰電力となる場合、コンプレッサ５を余剰に回転させて余剰空気流を作り、第１可変弁７、バイパス管路９を介して空気流利用手段１２へ供給する。 - 特許庁

To provide an ejector circulation equipment and a fuel cell system in which no variable mechanism is provided in the ejector, while a starting fuel gas and an exhaust circulation gas can be mixed in a fixed ratio in the wide actuation range of gas flow rate.例文帳に追加

エゼクタに可変機構を設けることなく、ガス流量の広い作動領域で原燃料ガスと排出循環ガスとを一定の混合比で混合することができるエゼクタ循環装置及び燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

In a CDMA data communication system capable of variable rate transmission, the usage of a beam formation method reduces average interference caused by the transmission of a base station 104 to a subscriber station 112 in an adjoining cell 124.例文帳に追加

可変レート伝送ができるＣＤＭＡデータ通信システムにおいて、ビーム形成手法の利用は、隣接するセル１２４における加入者局１１２への基地局１０４の送信によって引起こされる平均の干渉を減少させる。 - 特許庁

A detection section 4 calculates the dielectric variable and/or electrical physical property values of the suspension 2, on the basis of the measured complex dielectric constant spectrum to detect the state change of the corpuscle cell accompanied by the administration of the drug.例文帳に追加

そして、検出部４において、測定された複素誘電率スペクトルに基づいて、懸濁液２の誘電変数及び／又は電気的物性値を算出し、薬剤投与に伴う血球細胞の状態変化を検出する。 - 特許庁

A semiconductor memory device is provided with a plurality of memory cell arrays 1 provided with memory cells which can be re-written electrically and which consist of variable resistance elements for storing a resistance value as data, a column control circuit 2, and a row control circuit 3.例文帳に追加

半導体記憶装置は、電気的書き換え可能で抵抗値をデータとして記憶する可変抵抗素子からなるメモリセルを備えた複数のメモリセルアレイ１と、カラム制御回路２及びロウ制御回路３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線ＷＬの交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡを備える。 - 特許庁

The section determination logic part divides temperatures into section by section with reference to temperatures at which output of the variable delay cell corresponds to output of the constant delay cells according to temperature changes and generates temperature codes corresponding to the temperatures section by section.例文帳に追加

区間判別ロジック部は、温度変化に応じた可変遅延セルの出力と一定遅延セルの出力それぞれが一致する温度を基準として区間別温度に分け、区間別温度に対応する温度コードを発生する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which controls the oxidation of a variable resistance film or the like in a manufacturing process by covering the whole side wall surfaces of an ReRAM cell by a silicon nitride film excellent in oxidation resistance performance and has a high stability and a high data retention nature of a state of the ReRAM cell, and to provide a method of manufacturing the semiconductor memory device.例文帳に追加

耐酸化性能に優れたシリコン窒化膜によってＲｅＲＡＭセルの側壁全面を覆うことによって、製造工程での可変抵抗膜等の酸化を抑制し、ＲｅＲＡＭセルの状態の安定性およびデータ保持性が高い半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A displacement type compressor 7 for pumping the air (oxygen) to a cathode pole 1b of a fuel cell stack 1 and a turbine 10 driven by the exhaust of the cathode pole 1b are coupled through a transmission 12 of variable transmission gear ratio and the transmission gear ratio of the transmission 12 is controlled according to the power generating amount of the fuel cell stack 1 by an ECU 20.例文帳に追加

燃料電池スタック１のカソード極１ｂに空気（酸素）を圧送する容積型のコンプレッサ７とカソード極１ｂからの排気によって駆動されるタービン１０とを変速比可変の変速機１２を介して連結し、ＥＣＵ２０により燃料電池スタック１の発電量に応じて変速機１２の変速比を制御する。 - 特許庁

To provide a fuel cell system in which electric power consumption calculation precision is improved while evading instability of a control system that control content does not converge and becomes oscillatory since a detected state amount and controlled variable based on this constitute a loop.例文帳に追加

検出した状態量とこれに基づく制御量とがループを構成して制御内容が収束せず振動的になるような制御系の不安定を避けつつ、消費電力演算精度を向上させる燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which includes 1T1R memory cells, each having one transistor and one resistance variable element that allows simplifying a structure so that a fine-sized memory cell is attained, and to provide a method for manufacturing the storage device.例文帳に追加

１つのトランジスタと１つの抵抗変化素子とを用いた１Ｔ１Ｒ型のメモリセルであって、抵抗変化素子の構造を簡素化することにより、微細化できるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming treatment method to be performed at a low process cost by shortening a treatment time concerning the forming treatment of a nonvolatile variable resistance element of a memory cell, and restricting the element variation of a forming voltage to be required in the forming treatment.例文帳に追加

メモリセルの不揮発性可変抵抗素子のフォーミング処理に係る処理時間が短縮され、フォーミング処理時に必要なフォーミング電圧の素子ばらつきが抑制され、低プロセスコストで行うことができるフォーミング処理方法を提供する。 - 特許庁

The variable resistance element in each first memory cell has a first recording layer made from oxide of a first metallic material and a second recording layer that is made from the first metallic material and is formed so as to be adjacent to the first recording layer.例文帳に追加

第１のメモリセルの可変抵抗素子は、第１の金属材料の酸化物により形成された第１記録層と、第１の金属材料により形成され、且つ、第１記録層と接するように形成された第２記録層とを有する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device using W that has favorable compatibility with a CMOS process as a material for a resistance variable type memory cell, and to obtain a large capacity nonvolatile semiconductor storage device at low cost utilizing its oxide.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置に関し、抵抗変化型メモリセルの材料としてＣＭＯＳプロセスと親和性が良好なＷを用い、その酸化物を利用して低コストで大容量の不揮発性半導体記憶装置を実現しようとする。 - 特許庁

In a variable resistance memory, power source voltage and/or substrate bias of digit line drive circuits (3a, 3b), word line drive circuits (2a, 2b), and bit line drive circuits (4a, 4b) to a memory cell array (1) are varied in accordance with an operation mode.例文帳に追加

抵抗値可変型メモリにおいて、メモリセルアレイ（１）に対するデジット線駆動回路（３ａ，３ｂ）およびワード線駆動回路（２ａ，２ｂ）およびビット線駆動回路（４ａ，４ｂ）の電源電圧および／または基板バイアスを、動作モードに応じて変更する。 - 特許庁

To provide an efficient variable length packet switch without reducing the capacity of a switch section in the case of mounting a common part sublayer CPS packet onto an ATM cell, so as to exchange the CPS packet for another CPS packet when the CPS packet is exchanged by the AAL 2 (asynchronous transfer mode ATM adaptation layer type 2).例文帳に追加

AAL2によるＣＰＳパケットを交換する可変長スイッチにおいて、ＣＰＳパケットをＡＴＭセルに搭載してＣＰＳパケットを交換する場合に、スイッチ部の容量を圧迫することなく効率的な可変長パケットスイッチを提供する。 - 特許庁

In the memory device having a floating gate type memory cell array transistor, a boosting ratio of a boost voltage-generating circuit is set to be variable so that a value of a boost voltage for driving a word line at the read time is constant in accordance with a level of a source voltage.例文帳に追加

フローティングゲート型のメモリセルアレイトランジスタを有するメモリデバイスにおいて、電源電圧のレベルに応じて読み出し時のワード線駆動用の昇圧電圧値が一定になるように、昇圧電圧発生回路の昇圧比を可変設定する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes word lines WLj and bit lines BLi which are formed to cross each other, and a memory cell array including memory cells MC disposed at crossing sections of these lines and configured by connecting diodes DI and variable resistors VR in series.例文帳に追加

互いに交差するように形成されたワード線ＷＬｊ及びビット線ＢＬｉと、これら配線の各交差部に配置され、ダイオードＤＩと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

In calibrating the wavelength, a gas cell 18 mounted outside for calibrating the wavelength and total reflection terminal end 20 are interconnected, thereby more accurately measuring and controlling a wavelength of a light signal outputted from a variable wavelength light source 11.例文帳に追加

また、波長校正の際には、外付けの波長校正用のガスセル１８及び全反射終端２０を接続することにより、可変波長光源１１から出力される光信号の波長をより高精度で測定及び制御できる構成とした。 - 特許庁

The semiconductor random access memory having a complex shape is provided with a ROM device storing an all latent row data pattern to be input to a memory cell array during test procedure, a variable step address generator, a comparing device, and a control device.例文帳に追加

複雑な形状を持つ半導体ランダムアクセス・メモリが、試験手順の間に記憶セル・アレイに入力すべき悉くの潜在的な行データ・パターンを記憶するＲＯＭ装置、可変ステップ・アドレス発生器、比較装置及び制御装置を備えている。 - 特許庁

In the fragments of humanized anti-EGFR antibody substituted-lysine light-chain variable regions, all of the lysine residues or all of the lysine residues except lysine residues of one specific part are substituted by other amino acid in light-chain or heavy-chain humanized variable regions of antihuman epidermal cell growth factor receptor 1 (Her 1) antibody 528 comprising specific amino acid sequence.例文帳に追加

特定のアミノ酸配列から成る抗ヒト上皮細胞成長因子受容体１（Ｈｅｒ１）抗体５２８のＬ鎖又はＨ鎖のヒト型化可変領域において、全てのリジン残基又は特定の一つの部位のリジン残基以外の全てのリジン残基が他のアミノ酸に置換されて成る、ヒト型化抗ＥＧＦＲ抗体リジン置換Ｌ鎖可変領域断片。 - 特許庁

Thus provided are the human heavy chain variable part antibody which binds with neurotrophin receptor p75 in human cell or human tissue, a composition for detecting neurotrophin receptor p75 using the antibody, and a neurotrophin receptor p75-binding pharmaceutical composition.例文帳に追加

これにより、ヒト細胞、ヒト組織内の神経栄養因子受容体p75と結合するヒト重鎖可変部抗体、および該抗体用いた神経栄養因子受容体p75を検出するための組成物、神経栄養因子受容体p75結合医薬組成物が提供された。 - 特許庁

Each monitoring IC 30 includes a consumption current variable circuit 32 obtaining operation power supply from a block 12 constituted by a battery cell 11 being a monitoring object and controlling the consumption current consumed based on the operation power supply to a target value.例文帳に追加

各監視ＩＣ３０それぞれに、監視対象の電池セル１１により構成されるブロック１２から動作電源を取得すると共に、当該動作電源に基づいて消費される消費電流を目標値に調節する消費電流可変回路３２を備える。 - 特許庁

The semiconductor storage apparatus includes memory cell arrays in which a rectifying element and a variable resistance element are connected in series are arranged at cross parts of a plurality of first wirings and a plurality of second wirings, and a control circuit controlling charging to the first wiring.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなるメモリセルが複数の第１配線及び複数の第２配線の交差部に配置されたメモリセルアレイと、第１配線への充電を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

When measurement results of internal temperature and voltage of the fuel cell stack 13 are taken in and a grounding fault is assumed to be generated in a module state at that time point, a resistance value R of the variable resistor 15 is controlled enough to be able to suppress the grounding current.例文帳に追加

燃料電池スタック１３の内部温度及び電圧の計測結果を取り込み、その時点でのモジュールの状態の下で地絡が発生したと仮定したときに、十分に地絡電流を抑制できるように、可変抵抗１５の抵抗値Ｒを制御する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory cell 20 corresponding to input address information has a variable resistive element 14 comprising materials having a perovskite type crystal structure, in which resistance values between electrodes change reversibly by voltage values impressed between a pair of electrodes, and the resistance values are sustained after impression of the voltage; and a MOS transistor in which the variable resistive element 14 and a drain area 13 which is a driving area are connected.例文帳に追加

入力アドレス情報に対応した不揮発性半導体メモリセル２０は、一対の電極間に印加される電圧値によって、電極間の抵抗値が可逆的に変化し、電圧印加後も抵抗値を保持するペロブスカイト型結晶構造を有する材料から成る可変抵抗素子１４と、その可変抵抗素子１４と駆動領域であるドレイン領域１３とが接続されたＭＯＳトランジスタとを有する。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines, and a control circuit for driving selectively the bit line Bl and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとが直列接続されたメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線の交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

In a portable telephone device 1, when detecting that the temperature of a battery cell 10 is less than a set temperature, a control part 12 reduces the amplification factor of a variable amplifier 16 for making the radiation level of transmission radio waves to be radiated from an antenna 8 smaller than a reference radiation level.例文帳に追加

携帯電話装置１において、制御部１２は、電池セル１０の温度が設定温度未満であることを検出すると、可変増幅器１６の増幅率を小さくすることにより、アンテナ８から放射される送信電波の放射レベルを基準放射レベルよりも減少させる。 - 特許庁

The assay comprises using a recombinant cell that is simultaneously transduced with a monitoring reporter gene downstream of a promoter gene with its promoter activity variable in response to a chemical substance and a control reporter gene downstream of a second promoter gene expressing a given level of promoter activity even in the absence of the chemical substance.例文帳に追加

化学物質に応答してプロモーター活性が変化するプロモーター遺伝子の下流にモニタリング用レポーター遺伝子と、化学物質の不存在下でも一定のレベルのプロモーター活性を発現するプロモーター遺伝子の下流に対照レポーター遺伝子とを同時に導入した組換え細胞を用いる。 - 特許庁

A memory cell array is configured three-dimensionally by arranging a plurality of memory cells comprising a transistor formed on a semiconductor substrate and a variable resistor element connected between the source and drain terminals of the transistor and the resistance value of which varies at voltage application in the longitudinal direction and in an array.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトランジスタと前記トランジスタのソース・ドレイン端子間に接続された電圧印加によって抵抗値が変化する可変抵抗素子とを備えてなるメモリセルを縦方向、さらにアレイ状に複数個配置して３次元的にメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

When a "coarse" region LD is generated during wiring patterning, as shown in Fig. (a), the shape of a variable shape-wiring region 136a, 130b is deformed such that they fit to one another, and the space between the both cell regions A and B is reduced, as shown in Fig. (b).例文帳に追加

図１０(a)に示すように配線パターン中、密度が「疎」である領域ＬＤが生じると、同図(b)に示すように、相互に嵌めあうように形状可変−配線領域１３６ａ，１３０ｂの形状が変形され、両セル領域Ａ，Ｂ間の間隔が短縮される。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device has an electrically rewritable memory cell which is composed of a laminated floating gate and control gate on the semiconductor layer, and a plurality of threshold variable pulses having a stepwise high potentials with difference of a first voltage which is required for injecting one electron into the floating gate, are respectively impressed on the control gate of the memory cell during a predetermined period.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートとを積層して構成された電気的に書き換え可能なメモリセルと、前記浮遊ゲートに電子１つを注入するために要する第１の電圧であって、前記第１の電圧の開きをもって段階的に高い電位を有する複数のしきい値変動パルスをそれぞれ一定期間前記メモリセルの制御ゲートに印加することを特徴とする。 - 特許庁

A variable delay circuit 7 provided in the local control circuit 3 is configured by connecting unit delay circuits whose delay value is controlled by a digital value in multi-stages, and produces various control signals supplied to a memory cell array 1 in timing by delaying the reference signal by a prescribed delay value denoted by the digital value of the delay control signal.例文帳に追加

ローカル制御回路３に設けた可変遅延回路７は、遅延値がディジタル値で制御される単位遅延回路を多段に接続して構成され、メモリセルアレイ１に供給する各種の制御信号を、前記基準信号を前記遅延制御信号のディジタル値が示す所定の遅延値だけ遅延したタイミングで生成する。 - 特許庁

A voltage to be applied between a pair of electrodes 2a and 2b of an oxygen pump cell 2 is controlled at a variable power source 22, and an oxygen concentration in a first inner space 5a is set to a low concentration which does not substantially affect an influence of measuring the hydrogen concentration based on previously measured current-voltage characteristics and a detected result of a first ammeter 33.例文帳に追加

酸素ポンプセル２の一対の電極２ａ、２ｂ間に印加する電圧を可変電源２２で制御し、予め測定した電流−電圧特性と第１の電流計２３の検出結果を基に、第１内部空間５ａ内の酸素濃度を、実質的に水素濃度の測定に影響しない低濃度とする。 - 特許庁