「variable cell」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of changing the direction of a current of a variable resistive element, and executing erasing (resetting) in a memory cell string unit, and its data erasing method.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流の向きを変えることができ、メモリセル列単位で消去（リセット）することができる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法を提供する。 - 特許庁

To set a threshold level of its reference cell in a short time in a semiconductor memory apparatus using variable threshold value nonvolatile memory cells as a reference current/potential generating means.例文帳に追加

本発明は、リファレンス電流／電位発生手段として、閾値変化型不揮発メモリーセルを用いた半導体記憶装置において、そのリファレンスセルの閾値を短時間で設定することを目的とする。 - 特許庁

The fuel cell 10 includes a plurality of stacked power generation units 200, 202, and a fastening part 250 whose load for fastening the plurality of stacked power generation units is variable.例文帳に追加

燃料電池１０であって、積層された複数の発電ユニット２００、２０２と前記積層された複数の発電ユニットを締結する締結荷重を変更可能な締結部２５０とを備える。 - 特許庁

To provide a device and a method for storing variable length communication cell, with which transfer efficiency in the case of storing the data of cells is improved.例文帳に追加

この発明は、セルのデータを蓄積する際の転送効率を向上させた可変長通信セル蓄積装置及び可変長通信セル蓄積方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage apparatus capable of increasing the current density of a variable resistance element and reducing power consumption of an entire memory cell, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor apparatus.例文帳に追加

可変抵抗素子の電流密度を増加させると共に、メモリセル全体での消費電力を低減することができる不揮発性半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An optical path length continuous variable cell is used to measure a low-concentration sample in a part in which an optical path length is large, and measure a high-concentration sample in a part in which an optical path length is small.例文帳に追加

光路長連続可変セルを用い、低濃度の試料に対しては光路長の長い部分で測定し、高濃度の試料に対しては光路長の短い部分で測定する。 - 特許庁

The filter unit cell includes a variable capacitor, connected in series between the first node and the second node, and an inductor connected in series between the second node and the third node.例文帳に追加

各フィルタ・ユニット・セルは、第１のノードと第２のノードの間に直列に結合された可変コンデンサと、第２のノードと第３のノードの間に直列に結合されたインダクタとを含む。 - 特許庁

To provide a method and a device by which transmission efficiency on an ATM transmission path is improved in the case of network relay between an ATM cell and an Ethernet (R) frame which is a variable frame of predetermined standards.例文帳に追加

ATMセルと所定規格の可変長フレームであるイーサネットフレームとのネットワーク中継に際して、ATM伝送路での伝送効率を向上させた方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The fuel cell system is provided with a reformer 2 generating reformed gas containing hydrogen, a fuel cell 1 generating power with the supply of reformed gas and air, and an accumulator 10 with variable capacity having a cornice structure capable of reserving water circulating within the system.例文帳に追加

水素を含む改質ガスを生成する改質器２と、改質ガスと空気の供給を受けて発電する燃料電池１と、燃料電池システム内で循環する水を貯留しうる蛇腹構造をもつ容量可変なアキュムレータ１０を備える。 - 特許庁

To reduce a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read consisting of a variable resistance element storing ternary or more multi-value information, and to improve the readout margin, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、３値以上の多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読み出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を低減し、読み出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

The memory cell MC is equipped with: a variable resistance element VR formed of an insulating layer 26, including a metal oxide film 26, and reversibly changing a resistance value by applying energy; and an MIIM diode DI including a metal oxide film 24b and connected in series to the variable resistance element VR.例文帳に追加

メモリセルＭＣは、絶縁層２６にて構成されて、金属酸化膜２６を含みエネルギー印加によって抵抗値を可逆的に変化させる可変抵抗素子ＶＲと、金属酸化膜２４ｂを含み、可変抵抗素子ＶＲと直列接続されたＭＩＩＭダイオードＤＩとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage apparatus wherein the unevenness of effective voltages applied to variable resistance elements, which is caused by a difference in wire length due to a positional difference in a memory cell array, can be eliminated, thereby suppressing the variation in resistance characteristics of the variable resistance elements between memory cells.例文帳に追加

メモリセルアレイ内での位置の違いに起因する配線長の違いによる可変抵抗素子に加わる実効電圧の不均一を是正し、メモリセル間の可変抵抗素子の抵抗変化特性のばらつきを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile memory cell is built by using a variable resistance element which is composed of a variable resistance layer 11 changing its resistance by the applied voltage and a first electrode 104 and a second electrode 102 sandwiching the variable resistance layer 11; and a capacitor 12 which has an insulator layer 105 between the first electrode 104 or the second electrode 102 and the third electrode 106.例文帳に追加

印加される電圧パルスに従って抵抗値が変化する抵抗変化層１１と、抵抗変化層１１を挟む第１の電極１０４および第２の電極１０２と、を備える抵抗変化型素子と、第１の電極１０４または第２の電極１０２が第３の電極１０６の間に絶縁膜１０５を備えるキャパシタ１２から形成される不揮発性メモリセルである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can reliably write and erase a memory cell while suppressing the increase of the current consumption when writing or erasing and which is constituted of a variable resistor element the electric resistance of which is changed by the voltage applied to the memory cell and a selection transistor.例文帳に追加

書き込みまたは消去時の消費電流の増大を抑制しつつ、確実にメモリセルの書き込み及び消去を実現できる、メモリセルに電圧印加により電気抵抗の変化する可変抵抗素子と選択トランジスタを備えて構成される不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory cell which has a large resistance ratio of a resistance before a voltage is applied to a resistance after it is applied and additionally indicates a high speed response, its manufacturing method, a resistance variable type nonvolatile memory device, and a method for designing the nonvolatile memory cell.例文帳に追加

本発明は、電圧を印加する前の抵抗と印加した後の抵抗との抵抗比が大きいことに加えて、高速応答性を示す不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法を提供する。 - 特許庁

In the cascade converter in which a unit cell composed of a bidirectional chopper circuit, etc. is cascade connected, a variable power source is connected to a DC link, and besides it includes a means for switching on the lower arm IGBTs of the unit cells excluding the unit cell selected at initial charge.例文帳に追加

双方向チョッパ回路などで構成された単位セルをカスケードに接続したカスケード変換器において、直流リンクに可変電源を接続し、かつ、初充電時に選択した単位セル以外の単位セルの下アームＩＧＢＴをオンする手段を備えたことを特徴とするものである。 - 特許庁

In the molecular beam epitaxial growth device having a high frequency discharge excitation atom cell, the high frequency discharge excitation cell has a magnetic field providing means with variable magnetic flux density to apply the magnetic field from a discharge chamber to the excitation atom excited in the discharge chamber.例文帳に追加

高周波放電励起原子セルを備える分子線エピタキシャル成長装置において、前記高周波放電励起原子セルが、その放電室内で励起された励起原子に放電室外から磁界を作用させる磁束密度可変の磁界付与手段を備えていることを特徴としている。 - 特許庁

A variable resistance memory device includes: a memory cell connected to a bit line; and a clamp circuit providing selectively either of first read voltage or second read voltage to the bit line according to an elapsed time from write operation of the memory cell.例文帳に追加

本発明の可変抵抗メモリ装置は、ビットラインに接続されるメモリセルと、前記メモリセルに対する書き込み動作以後からの経過時間によって前記ビットラインに第１読み出し電圧及び第２読み出し電圧のうち、何れか一つを選択的に提供するクランプ回路を含む。 - 特許庁

The memory device includes: a memory cell MC to connect a variable cell resistor Rcell and an access transistor AT in series between a plate line PL and a bit line BL; a drive controller; a sense latch circuit 71; and a verify pass latch 74 for an inhibit control and transfer gate circuits TG1.例文帳に追加

可変セル抵抗ＲcellとアクセストランジスタＡＴをプレート線ＰＬとビット線ＢＬとの間に直列接続させているメモリセルＭＣと、駆動制御部と、センスラッチ回路７１と、インヒビット制御のためのヴェリファイパスラッチ７４およびトランスファゲート回路ＴＧ１と、を有する。 - 特許庁

During execution of forming operation in which the resistance state of a variable resistance element VR is set to a transition-enabled state with respect to a selection memory cell MC_11, the isolation latches 63, 83 brings the bit lines BL_0 and the word lines WL_2 to which a defective memory cell CPF is connected into a floating state.例文帳に追加

アイソレーションラッチ６３、８３は、選択メモリセルＭＣ＿１１に対して可変抵抗素子ＶＲの抵抗状態を遷移可能にするフォーミング動作を実行する際に、欠陥メモリセルＣＰＦが接続されたビット線ＢＬ＿０及びワード線ＷＬ＿２をフローティング状態にする。 - 特許庁

To provide a fuel cell power generation system capable of realizing a heat and electricity output ratio variable fuel cell cogeneration system jointly using an after-burner capable of recovering heat as hot water, and having stable fuel control performance in simple constitution, high reliability, and high efficiency.例文帳に追加

簡単な構成で安定した燃料制御性能、高い信頼性でかつ高効率で高温水として熱回収可能なアフターバーナーを併用する熱電出力比可変型の燃料電池コージェネレーションシステムを実現できる燃料電池発電システムを提供することにある。 - 特許庁

The intermediate variable serving as the input of the circuit consisting of the MUX cell that is generated from the BDD is replaced with a circuit which is optimized by the multi-stage logical optimization (S5).例文帳に追加

ＢＤＤから生成されたＭＵＸセルで構成される回路の入力となっている中間変数を多段論理最適化により最適化により最適化された回路で置換する（ステップＳ５）。 - 特許庁

To perform communication with a rate corresponding to varied receiving quality in each slot caused by the presence or absence of the occurrence of adjacent cell interference, in a variable-rate communication system in which a beam is switched in time division by an array antenna.例文帳に追加

アレイアンテナにより時分割にビームを切り替える可変レートの通信システムにおいて、隣接セルの干渉発生有無によるスロット毎の受信品質変動に対応するレートで通信する。 - 特許庁

To provide a programming method and a multilevel cell programming method of a nonvolatile memory device, which attain variable setting according to a programming state without fixing a program start voltage to a specific value.例文帳に追加

プログラム開始電圧を特定の値に固定させず、プログラムされる状態に応じて可変的に設定することが可能な不揮発性メモリ装置のプログラム方法およびマルチレベルセルプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To restrain an exhaust error of a fuel cell system with a variable gas supply device and an exhaust valve and shutting off the exhaust valve if a calculated exhaust volume exceeds a given target exhaust volume.例文帳に追加

可変ガス供給装置及び排気弁を備え、算出した排気量が所定の目標排気量を超えた場合に排気弁を閉鎖する燃料電池システムにおいて、排気誤差を抑制する。 - 特許庁

To achieve a structure in which array size is small and layout area does not increase so that leak current of non-selected memory cell can be substantially reduced in a nonvolatile memory device using a variable resistance element.例文帳に追加

抵抗変化型素子を用いた不揮発性記憶装置について、非選択メモリセルの漏れ電流を十分に低減できるよう、アレイサイズが小さく、かつ、レイアウト面積が増大しない構造を実現する。 - 特許庁

To provide a memory cell which applies a voltage required to change it into a high resistance state or a low resistance state, to a variable resistance element by suitably controlling the resistance value.例文帳に追加

抵抗値を適切に制御することにより、高抵抗状態または低抵抗状態に変化させるのに必要な電圧を可変抵抗素子に印加することの可能なメモリセルを提供する。 - 特許庁

The channel cross-sectional area variable mechanism has a structure which reduces the channel cross-sectional area at the groove-like channel part in which it is provided as the humidity in a corresponding fuel cell module decreases.例文帳に追加

流路断面積可変機構は、対応する燃料電池モジュール内の湿度の減少に応じて、自身が設けられている溝状流路部分の流路断面積を減少させる構造を有している。 - 特許庁

This filter unit cell includes a variable capacitor 205, connected in series between a first node 210 and a second node 215, and an inductor coupled in series between the second node and a third node.例文帳に追加

本発明の一実施形態のフィルタ・ユニット・セルは、第１のノードと第２のノードの間に直列に結合された可変コンデンサと、第２のノードと第３のノードの間に直列に結合されたインダクタとを含む。 - 特許庁

A slide type variable resistor (comprising a slider 117 and a carbon film resistor 119) is installed in the fuel cell 100, and the slider 117 is connected to a movable partition 116 of a fuel tank 110.例文帳に追加

燃料電池１００内に、スライド型可変抵抗（摺動子１１７と炭素皮膜抵抗体１１９とからなる）を設け、摺動子１１７を、燃料タンク１１０内の可動隔壁１１６に接続する。 - 特許庁

Each cell array includes a plurality of word lines WL, a plurality of bit lines BL disposed to cross these word lines WL, and cells in each of which a non-ohmic element SD and a variable resistance element VR are connected in series.例文帳に追加

セルアレイは、複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬと交差する複数のビット線ＢＬと、非オーミック素子ＳＤと可変抵抗素子ＶＲが直列接続されたセルとを有する。 - 特許庁

Each chip has a variable resistance element CC formed simultaneously by a process common to the memory cell between interconnected test pads TT and TB of a first pad for memory location detection.例文帳に追加

各チップは、相互に接続される第１のメモリ位置検知用パッドのテストパッドＴＴ，ＴＢ間に、それぞれ、メモリセルと共通のプロセスにより同時に形成される可変抵抗素子ＣＣを有する。 - 特許庁

In memory cell arrays MA0-3, memory cells MC in which rectifiers Di and variable resistive elements VR are connected in series are arranged on intersection points of a plurality of bit lines BL and word lines WL.例文帳に追加

メモリセルアレイＭＡ０−３は、整流素子Ｄｉと可変抵抗素子ＶＲとを直列接続してなるメモリセルＭＣを複数のビット線ＢＬ及びワード線ＷＬの交差部に配置してなる。 - 特許庁

While the mobile device is in a standby mode, the mobile device which variably adjusts the power measurement period, measures the power of the cell signals during a variable period, thereby decreasing power consumption.例文帳に追加

モバイル装置が待機状態にある場合、前記可変的に電力測定周期を調整するモバイル装置は可変的な周期にセル信号の電力を測定して電力消耗を減少することができる。 - 特許庁

To provide a ferroelectric random access memory device comprising a reference circuit generating reference voltage being variable in accordance with variation in a polarization state of a ferroelectric capacitor of a memory cell caused by elapse of a time.例文帳に追加

時間の経過によるメモリセルの強誘電体キャパシタの分極状態変化に応じて可変する基準電圧を発生する基準回路を含む強誘電体ランダムアクセスメモリ装置を提供する。 - 特許庁

The output light modulated in wavelength of a Fabry-Pelrot type load cell 6 based on the light of a light source 11 generating a low coherence light of a wide band is incident on a gap variable Fabry-Pelrot interferometer 8.例文帳に追加

広帯域の低コヒーレンス光を発生する光源１の光に基づくファブリペロー型ロードセル６の波長変調された出力光をギャップ可変ファブリペロー型干渉計８に入射させる。 - 特許庁

To adjust reaction temperature by means of the variable flow of first free matter by using a pneumatic device having a pressure regulation apparatus, while appropriately deforming the device in a plant having a fuel cell battery.例文帳に追加

圧力調節装置を備えた空気装置が、燃料セル電池を備えたプラントにおいて適当に変形して使用され、第１の遊離物の可変流れによる反応温度の調節を可能にすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which can impress at least one of the polarities of a voltage across the variable resistor element without the voltage drop by eliminating the effect of the voltage drop equal to the threshold voltage when impressing a positive voltage from the source line side to the memory cell having a variable resistor element and selection transistor.例文帳に追加

可変抵抗素子と選択トランジスタを備えたメモリセルに対しソース線側から正電圧を印加する場合の閾値電圧分の電圧降下の影響を解消し、可変抵抗素子の両端間に印加する電圧の少なくとも一方の極性は、当該電圧降下なしに印加可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The human heavy chain variable part antibody which is active to bind with neurotrophin receptor p75 is successfully obtained by repeating a step of selecting a phage for expressing the human heavy chain variable part antibody a plurality of times which binds with neurotrophin receptor p75-expressing human cultured cell.例文帳に追加

神経栄養因子受容体p75発現ヒト培養細胞に結合するヒト重鎖可変部抗体発現用ファージを選択するステップを複数回繰り返し行うことにより、神経栄養因子受容体p75に対する結合活性を有するヒト重鎖可変部抗体を取得することに成功した。 - 特許庁

The semiconductor storage device has a circuit which can apply a reforming voltage pulse for returning each resistive state of a variable resistive element with a deteriorated switching characteristic to an initial resistive state to a memory cell including the variable resistive element whose switching element deteriorates to make a reading margin small as a result of applying a rewriting voltage pulse of several times.例文帳に追加

多数回の書き換え電圧パルスの印加の結果、スイッチング特性が劣化し読み出しマージンが小さくなった可変抵抗素子を含むメモリセルに、スイッチング特性が劣化した可変抵抗素子の各抵抗状態を初期抵抗状態に戻すためのリフォーミング電圧パルスを印加可能な回路を有する。 - 特許庁

Such condition makes it possible to apply at least homogeneous strength variable magnetic field to the vegetables, perfectly prevent destruction of tissue cell bodies of the fresh vegetables, and maintain the freshness of the fresh vegetables in an original state so as to reproduce original good taste.例文帳に追加

これにより、少なくとも均一な強さの変動磁場を印加でき、生野菜の細胞組織体の破壊を完全に防止でき、生野菜の元のままの鮮度が維持でき、元の美味しさが再現できる。 - 特許庁

The semiconductor device has a non-volatile memory unit (8) having a rewritable non-volatile memory cell, and a variable logic unit (3) of which the logic function can be decided in accordance with logical configuration definition data loaded into a plurality of memory cells.例文帳に追加

書換え可能な不揮発性メモリセルを有する不揮発性メモリユニット（８）と、複数の記憶セルにロードされる論理構成定義データに従って論理機能が決定される可変論理ユニット（３）とを有する。 - 特許庁

To display a sheet preview which makes a user select a desired URL from a cell including a plurality of URLs different at each line without changing design or data added afterward in a sheet including a variable table.例文帳に追加

可変表を含む帳票において、デザインや後付けデータを変更することなく、ユーザが行毎に異なる複数のＵＲＬが含まれたセルから、所望のＵＲＬを選択可能な帳票プレビューを表示する。 - 特許庁

The read circuit decides data logic stored in the memory cell, based on the read voltage of the read node which varies with a current, flowing in the variable resistance element and the negative resistor circuit, according to the initial voltage.例文帳に追加

読み出し回路は、初期電圧に応じて可変抵抗素子および負性抵抗回路に流れる電流により変化する読み出しノードの読み出し電圧に基づいて、メモリセルに保持されているデータの論理を判定する。 - 特許庁

The step of generating the variable-capacitance cell layout data includes a step of laying out the control wires to set resistance per unit length in the same wiring layer equal to that of the signal wire.例文帳に追加

前記可変容量セルレイアウトデータを生成するステップは、前記制御配線を、同一配線層内で単位長あたりの抵抗が前記信号配線のそれと同じになるように、レイアウトするステップを含んでいる。 - 特許庁