「variable voltage」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

In the liquid crystal lens wherein the liquid crystal layer is interposed between two transparent substrates and which functions as a variable focus lens, the heater electrode for directly heating the liquid crystal layer is disposed together with the phase modulation electrode group modulating the phase of the liquid crystal layer by being connected to a driving power source to apply modulation voltage on the surface on the liquid crystal layer side of the transparent substrate.例文帳に追加

２枚の透明性基板で液晶層を挟持する可変焦点レンズとして機能する液晶レンズにおいて、透明性基板における液晶層側となる表面に、駆動電源を接続して変調電圧を印加することにより、液晶層の位相を変調させる位相変調電極群とともに、液晶層を直接加熱するためのヒーター電極とを配設する構成を採用した。 - 特許庁

By applying threshold voltage to the specified EL panel 2 of the EL panel group 3, modulating the exciting light from the exciting light source 4 based on an image to be written in the specified EL panel 2 by the spatial optical modulator 1, and focusing the modulated exciting light on the specified EL panel 2 by the variable focus lens 5, the specified EL panel 2 emits light based on the desired image.例文帳に追加

ＥＬパネル群３の特定のＥＬパネル２に対してしきい電圧を加え、励起光源４からの励起光を空間光変調器１で特定のＥＬパネル２に書き込みたい画像に基づいて変調し、変調された励起光を可変焦点レンズ５で特定のＥＬパネル２へ焦点を合わせることにより、特定のＥＬパネル２を所望の画像に基づいて発光させることが可能となる。 - 特許庁

The resistance change memory device includes a memory cell MC configured by serially connecting a variable resistance element whose resistance state is reversibly changed by voltage or current application and a diode, and state transition stabilizing transistors MP and MN serially connected to the current path of the memory cell to stabilize the resistance state transition of the memory cell by an operation point movement due to the resistance state transition.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、電圧又は電流印加により抵抗状態が可逆的に遷移する可変抵抗素子とダイオードを直列接続して構成されるメモリセルＭＣと、前記メモリセルの電流経路に直列に接続されて、前記メモリセルの抵抗状態遷移に伴う動作点移動によりその抵抗状態遷移を安定化させる状態遷移安定化用トランジスタＭＰ，ＭＮとを有する。 - 特許庁

A direct-current voltage enough to saturate a current flowing from a positive electrode 1420 to a negative electrode 1430 is impressed between the positive electrode 1420 and the negative electrode 1430, by a variable direct-current power source 2200, and the current flowing from the positive electrode 1420 to the negative electrode 1430 is measured by a direct-current ammeter 2300 to detect the oxygen gas concentration in a measured gas.例文帳に追加

正側電極１４２０から負側電極１４３０に流れる電流を飽和させるに十分な直流電圧が、可変直流電源２２００でもって、正側電極１４２０と負側電極１４３０との間に印加されることで、正側電極１４２０から負側電極１４３０に流れる電流を直流電流計２３００でもって測定すれば、被測定ガス中の酸素ガスの濃度が精度よく検出され得る。 - 特許庁

In the optical coupler where a dummy photodiode D2 is provided adjacent to a photodiode D1, and in-phase noise signal elimination ratio is improved, by comparing output from current-voltage conversion amplifiers A1 and A2 using a hysteresis comparator 33 for waveform-shaping a pulse, impedance variable circuits Z1 and Z2 are provided in negative feedback circuits of the amplifiers A1 and A2.例文帳に追加

フォトダイオードＤ１に隣接してダミーフォトダイオードＤ２を設け、それらの電流−電圧変換アンプＡ１，Ａ２からの出力をヒステリシスコンパレータ３３で比較してパルスを波形整形することで同相雑音信号除去比を向上するようにした光結合装置の受光回路３１において、前記アンプＡ１，Ａ２の負帰還回路に、入力光電流Ｉｐｄのレベルが大きくなる程、インピーダンスが減少するインピーダンス可変回路Ｚ１，Ｚ２を備える。 - 特許庁

This nonvolatile semiconductor storage device has an electrically rewritable memory cell which is composed of a laminated floating gate and control gate on the semiconductor layer, and a plurality of threshold variable pulses having a stepwise high potentials with difference of a first voltage which is required for injecting one electron into the floating gate, are respectively impressed on the control gate of the memory cell during a predetermined period.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートとを積層して構成された電気的に書き換え可能なメモリセルと、前記浮遊ゲートに電子１つを注入するために要する第１の電圧であって、前記第１の電圧の開きをもって段階的に高い電位を有する複数のしきい値変動パルスをそれぞれ一定期間前記メモリセルの制御ゲートに印加することを特徴とする。 - 特許庁

The charge pump boosting circuit 101 used for boosting the gate voltage of the transfer transistor 12 includes an oscillation frequency variable oscillator circuit and a pump section that is driven by an output pulse of the oscillator circuit and during a pixel reading term for reading a potential of a charge storage section FD of a pixel part 10a, the oscillator circuit in the charge pump boosting circuit 101 is controlled to reduce an oscillation frequency thereof.例文帳に追加

転送トランジスタ１２のゲート電圧の昇圧に用いるチャージポンプ型昇圧回路１０１を、発振周波数可変のオシレータ回路、および該オシレータ回路の出力パルスにより駆動されるポンプ部を有する回路構成とし、画素部１０ａの電荷蓄積部ＦＤの電位を読み出す画素読み出し期間には、チャージポンプ型昇圧回路１０１におけるオシレータ回路を、その発振周波数が低下するよう制御するようにした。 - 特許庁

To provide a vehicle power conversion device in which a transition condition from diode rectification to synchronous rectification and vice versa is set, and furthermore, the transition condition is made variable, depending on a power generation voltage to enable synchronous rectification at a low load time, thereby enlarging an operational region that allows efficient synchronous rectification, regarding a vehicle power conversion device that converts between a DC power and an AC power.例文帳に追加

直流電力と交流電力を変換する車両用電力変換装置において、ダイオード整流から同期整流、同期整流からダイオードへの遷移条件を設定し、さらに発電電圧に応じて遷移条件を可変とすることにより、低負荷時においても同期整流を実施可能であり、効率の良い同期整流の運転領域を拡大することが可能な車両用電力変換装置を提供することにある。 - 特許庁

The present invention relates to a film thickness evaluation method for measuring the distribution of film thickness of an insulation thin film by using an atomic force microscope which applies a variable DC voltage between a sample and a probe held by a cantilever.例文帳に追加

試料と、カンチレバーに保持された探針との間に可変直流電圧を印加する原子間力顕微鏡を用いて、絶縁性薄膜の膜厚分布を測定する膜厚評価方法で、試料の測定領域に電圧を変化させて印加するとともに、発生電流および絶縁破壊電圧を測定し、前記測定領域のうち任意の１点の膜厚を基準値として、各測定点の絶縁破壊電圧および（１）式の関係に基づいて、前記測定領域内の相対膜厚の分布を求めることとする。 - 特許庁

Output light is controlled by branching input light by the 1st optical coupler, varying and controlling the phase difference of the light beams passing through both optical paths by using the phase difference variable part where the refractive index is varied with the applied voltage, and multiplexing the light beams of both optical paths by using the 2nd optical coupler.例文帳に追加

例えば位相差可変部は、両方の光路にそれぞれ挿入した電極付きの電気光学結晶２２からなる位相制御素子１８と、それらに電圧を印加する電圧印加手段２０とからなり、入力光を第１の光カプラで分岐し、位相差可変部で印加電圧により屈折率が変化することを利用して両光路を通過する光の位相差を可変制御し、第２の光カプラで両光路の光を合成することにより出力光を制御する。 - 特許庁

A vibrator drive mechanism comprises a vibration frame 104 generating static electricity and having a sensor side drive electrode and the like, a substrate side drive electrode 124 arranged to face to the sensor side drive electrode 103, etc. Between electrodes of the substrate side drive electrode 124, ground electrodes 210 are arranged and on the substrate side drive electrode 124, a variable drive voltage for driving the vibration frame with the electrostatic force is impressed.例文帳に追加

静電気が発生する、センサ側駆動電極１０３ほかを有する振動フレーム１０４と、センサ側駆動電極１０３と対向して配置された基板側駆動電極１２４ほかとを備え、基板側駆動電極１２４の各電極間には、接地電極２１０が配置されており、基板側駆動電極１２４には、振動フレーム１０４を静電気力により駆動させるための変動駆動電圧が印加されることを特徴とする振動子駆動機構。 - 特許庁

In a head-on type excimer lamp connected to a power supply that generates a high-frequency high-voltage via the feeder line, the lamp is lit up with the lighting frequency of MHz bandwidth and a light output when lighting up is made to be light controllable by making an input electricity to be variable.例文帳に追加

本発明のエキシマランプの構成は、石英ガラスから成る二重円筒型の放電容器と、該放電容器の外側管の外壁に形成された第１の電極と該内側管の内側に形成された第２の電極と、該第２の電極に電力供給する給電線と、該放電容器の管軸方向端部に形成された光取り出し窓と、から成り、高周波高電圧を発生する電源に該給電線を介して接続されたヘッドオン型のエキシマランプにおいて、該エキシマランプの点灯周波数をＭＨｚ帯域で点灯し、点灯時の入力電力を可変にすることにより光出力を調光可能としたことを特徴とする。 - 特許庁