こうえいだい３ちょうめの英語

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27. - 特許庁

この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation. - 特許庁

鎌倉時代に後鳥羽上皇の北面の武士となり1221年（承久3年）の承久の乱の時に朝廷方に付いた仁科盛遠の末裔。例文帳に追加

Morikuni was descendant of samurai who served on retired Emperor Gotoba's Northern flank during the Kamakura period served and Nishina Morito who fought on the imperial side in 1221 during the Jokyu War.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

発光層５は、（１）電子輸送性および／または正孔輸送性を有するホスト材料、（２）室温で、燐光発光を示す化合物Ａ、及び、（３）室温で、燐光発光および／または蛍光発光を示す化合物Ｂを含有し、該素子の最大発光波長が上記（３）由来であることを特徴とする。例文帳に追加

The light emitting layer 5 contains (1) a host material having electron carrier property and/or positive hole carrier property, (2) a compound A showing phosphorescent light emission at a room temperature, and (3) a compound B showing phosphorescent light emission and/or fluorescent light emission at a room temperature, and the maximum light emission wavelength of the element is derived from (3). - 特許庁

世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3％と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加

From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省

地面７に埋設する土台２と、土台２に設けたパイプ４ａ〜４ｄの孔に係合ピン６ａ〜６ｄを差し込んで土台２上面に取外し可能に固定するゴム板３とで跳躍競技用踏切板１を構成した。例文帳に追加

This takeoff board 1 for jumping events consists of a base 2 to be buried under the ground surface 7, and a rubber board 3 to be detachably fixed to the upper face of the base 2 by inserting engaging pins 6a to 6d into holes of pipes 4a to 4d formed at the base 2. - 特許庁

金属質の芯線２の外周に、芯線２を埋め込む光反射用樹脂層の第１層３と、第１層３を埋め込む着色顔料入り蓄光発光層の第２層４から成る２層被覆を備えたコイル形態または線状形態の構造から成る蓄光発光体１Ａが特徴である。例文帳に追加

The luminous body 1A is composed of a coil or linear form structure including a double layer coating composed of a first layer 3 of a light reflecting resin layer embedded with a metallic core wire 2 and a second layer 4 of a luminous layer with a coloring pigment therein embedded with the first layer 3 on the outer periphery of the core wire 2. - 特許庁

これにより、半導体チップ１および台座３を細長形状とする必要がないため、構造体Ａを構成するための半導体チップ１のチップ面積の増大を招かないようにできる。例文帳に追加

Accordingly, there is no need to make the semiconductor chip 1 and the base 3 into elongated shapes, thereby preventing increase in the chip area of the semiconductor chip 1 for constituting a structural body A. - 特許庁