y or n [n]発音を聞く 例文帳に追加

これに対する答えはどちらでも構いません。 - FreeBSD

Data bytes, where n is the size given in the preceding field例文帳に追加

バイトデータで、nはこれより先のフィールドのサイズ - Python

In addition to the same, this steel contains ≤0.06% Al, and the product between the Al concentration and the N concentration, i.e., [Al]×[N] is controlled to ≤6.0×10-4 by mass%.例文帳に追加

これに加えて、Al：0.06％以下を含み、AlとNの濃度の積［Al］×［N］がmass％で6.O×lO^-4以下とする。 - 特許庁

As a result, the numerals of the n digits of the respective matrices are compressed to one digit and the matrices A (n×n) of n×n digits as a whole are compressed to the compressed numeral A' (n+n) of the vertical and horizontal n×n digits.例文帳に追加

これにより、各行列のｎ桁の数字を１桁に圧縮し、全体でｎ×ｎ桁のマトリクスＡ（ｎ×ｎ）を縦横ｎ＋ｎ桁の圧縮数字Ａ’（ｎ＋ｎ）に圧縮する。 - 特許庁

For example, N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(4'-methoxybiphenyl-4-yl)benzidine is demethylated in the presence of boron tribromide to synthesize N,N-di-p-tolyl-N',N'-bis(hydroxybiphenyl-4-yl)benzidine, which is used as a production intermediate and reacted with acryloyl chloride in the presence of triethylamine to produce an acrylic acid ester compound.例文帳に追加

例えば、N,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４´-メトキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを三臭化ホウ素の存在下に脱メチル化してN,N-ジ-p-トリル-N´,N´-ビス（４-ヒドロキシビフェニル-４-イル）ベンジジンを合成し、これを製造中間体に用いて塩化アクリロイルとトリエチルアミンの存在下に反応させてアクリル酸エステル化合物とする。 - 特許庁

Further, the concave lens 18a and convex lens 18b satisfy 0.03<|N_n-N_p|<0.18 and |ν_n-ν_p|<20, where N_n and N_p, and ν_n and ν_p are their refractive indexes and Abbe numbers respectively.例文帳に追加

また、凹レンズ１８ａおよび凸レンズ１８ｂは、これらの屈折率、アッベ数をそれぞれＮ_ｎ 、Ｎ_ｐ 、ν_ｎ 、ν_ｐ として、０．０３＜｜Ｎ_ｎ −Ｎ_ｐ ｜＜０．１８、｜ν_ｎ −ν_ｐ ｜＜２０を満足する。 - 特許庁

In addition to these consonants, there were two phonemes: the syllabic nasal/N/ and choked sounds/Q/.発音を聞く 例文帳に追加

これらに加え、撥音/N/と促音/Q/、二つの音素が存在した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The intermediate value among the values of the calculated data A'(t_n-1), A'(t_n) and A'(t_n+1) is set to A"(t_n) (step S6) and the fraction collector is controlled based on A"(t_n) (step S7).例文帳に追加

更に、算出されたデータA'(t_n-1), A'(t_n), A'(t_n+1)のうちの中間の値のものをA''(t_n)とし(ステップS6)、A''(t_n)に基づいて、フラクションコレクタを制御する(ステップS7)。 - 特許庁

The XRotateBuffersfunction rotates the cut buffers, such that buffer 0 becomes buffer n,buffer 1 becomes n + 1 mod 8, and so on.発音を聞く 例文帳に追加

関数XRotateBuffersはバッファをローテートさせる。 これはバッファ 0 をバッファ n とし、バッファ 1 を n + 1 mod 8 にするという形で行われる。 - XFree86

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

A secondary response component is extracted by subtracting a single impulse response H[δ(n)] inputed by a measuring microphone 2f and an impulse response H[δ (n-Δ)] delayed from the response H [δ(n)] by Δ from a double impulse response H[δ(n)+δ (n-Δ)] inputted by a measuring microphone 2s.例文帳に追加

測定マイク２ｓにて取り込まれた複インパルス応答Ｈ[δ(n)+δ(n-Δ)]から測定マイク２ｆにて取り込まれた単インパルス応答Ｈ[δ(n)]及びこれをΔだけ遅延させたインパルス応答Ｈ[δ(n-Δ)]を引くことにより二次応答成分を抽出する。 - 特許庁

Furthermore, an N+ collector diffusion layer 16 is formed to surround them.例文帳に追加

更にそれらを囲むように、N+コレクタ拡散層１６を形成する。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

An acylamino acid such as N-acylmethionine, N-acyltryptophan or N-acylphenylalanine is enzymatically racemized effectively, the acylamino acid being used as a substrate.例文帳に追加

N-アシルメチオニン、N-アシルトリプトファン、N-アシルフェニルアラニンといったアシルアミノ酸において、これらを基質として効率的なラセミ化を触媒することができる。 - 特許庁

Thus, the electronic control unit 35 computes a new difference value Δθ_n_new by multiplying the gain α by the difference value Δθ_n, and computes a variation ΔTf of friction torque Tf using the difference value Δθ_n_new.例文帳に追加

これにより、電子制御ユニット３５は、このゲインαを差分値Δθ_nに乗算して新たな差分値Δθ_n_newを演算し、差分値Δθ_n_newを用いて摩擦トルクTfの変動量ΔTfを演算する。 - 特許庁

Outputs 130a to 130n of those (n) temporary storage circuits 30a to 30n are selected by (n) n:1 selecting circuits 70a to 70n in response to selection control signals 160a to 160n from a selection control circuits 60.例文帳に追加

これらn個の一時記憶回路３０a〜３０nの出力１３０a〜１３０nは、選択制御回路６０からの選択制御信号１６０a〜１６０nに応答してn個のn：１選択回路７０a〜７０nにより選択される。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1 +an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ__n)＋ｂ_n・(ｂ_n+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

To obtain an Arctan from these, a value in the parentheses becomes small by transforming an.an-1+ bn.bn-1 into an.(an+1-bn)+bn.(bn+1+an), and it is possible to reduce a circuit scale of a multiplier in an ARCTAN detector 4.例文帳に追加

これらよりArctanを求めるにあたってａ_n・ａ_n-1＋ｂ_n・ｂ_n-1をａ_n・(ａ_n+1−ｂ_n)＋ｂ_n・(ｂ_n_+1＋ａ_n)に変換することによりカッコ内の値が小さな値となり、ＡＲＣＴＡＮ検出器４内の乗算器の回路規模を小型化することが可能となる。 - 特許庁

is absolutely necessary for the scaling to work correctly.発音を聞く 例文帳に追加

これが正しく動作するにはn が必ず必要となります。 - JM

Thus it shouldcontain no unescaped new-lines. There are a few special character sequencesfor this file:発音を聞く 例文帳に追加

""\\\\n - これは改行文字に置き換えられる。 - XFree86

Thus, an n-bit digital signal is obtained.例文帳に追加

これにより、ｎビットのデジタル信号を得ることができる。 - 特許庁

Thus, the node (n) is excluded from the groups G2, 2.例文帳に追加

これにより、ノードｎはグループＧ２，２から排除される。 - 特許庁

Thus, the turned-on state of the n-MOS 205 is maintained.例文帳に追加

これにより、ｎ−ＭＯＳ２０５がオン状態を維持する。 - 特許庁

If this step does not work, edit the file /etc/remote again and try using /dev/cuaa N instead of /dev/ttyd N .発音を聞く 例文帳に追加

これがうまくいかなかった場合は、 /etc/remoteを編集して、 /dev/ttydN の代わりに /dev/cuaaNを試してみてください。 - FreeBSD

Values of n less than 0 are treated as0 (which yields an empty sequence of the same type ass).発音を聞く 例文帳に追加

n が 0 以下の値の場合、0 として扱われます (これは s と同じ型の空のシーケンスを表します)。 - Python

Consequently, the S/N of the connected radio receiver is evidently improved from its conventional S/N.例文帳に追加

これにより、接続されるラジオ受信機２６のＳ／Ｎが、従来のＳ／Ｎに対して明らかに改善される。 - 特許庁

On an N+ type collector contact layer 6, an N type collector layer 10 is partially formed.例文帳に追加

Ｎ＋型コレクタコンタクト層６上には、Ｎ型コレクタ層１０が部分的に形成されている。 - 特許庁

This enables one physical FC port (N port) to operate as a plurality of logical N ports.例文帳に追加

これは、１つの物理ＦＣポート（Ｎポート）が、複数の論理Ｎポートとして動作することを可能にする。 - 特許庁

An inverse element calculation part 10 receives an n-bit plaintext, and converts it into an inverse element on GF (2n).例文帳に追加

逆元計算部１１０はｎビットの平文を入力し、これをＧＦ（２^n）上の逆元に変換する。 - 特許庁

The C/N to be displayed is discriminated from the two values of C/N and they are properly switched and displayed.例文帳に追加

これら２つのＣ／Ｎ比から、表示すべきＣ／Ｎ比を判断し、適応的に切り替えて表示する。 - 特許庁

That way, it is possible to equalize the loss of an opportunity for each distributed power supply A_1-A_n to generate power.例文帳に追加

これにより、各分散電源Ａ_1〜Ａ_nの発電機会の損失を均等化することができる。 - 特許庁

Thereby, the n-type low concentration base layer 14 and the n-type extremely low concentration base layer 15 are formed.例文帳に追加

これにより、ｎ型低濃度ベース層１４およびｎ型極低濃度ベース層１５が形成される。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

Thus, by providing n pieces of tertiary weighting offset correction capacitors, an offset correction amount of 3 to the n-th power is achieved.例文帳に追加

これにより、n個の３進重み付けオフセット補正キャパシタを具備することによって３のｎ乗段階のオフセット補正量を実現することができる。 - 特許庁

This number N is subtracted from a maximum number of available sheets of recording mediums to predict a number N' of remaining available sheets of recording mediums where pictures can be recorded by remaining toner, and this number N' is displayed on a display device.例文帳に追加

これを最大使用可能枚数から差し引いて、残存トナーによる残存使用可能枚数Ｎ’を予測し、ディスプレイに表示する。 - 特許庁

The measurement results M1...Mm, N1...Nn of each of these measurement series M, N are each determined in rotation positions where the samples have equal distance from each other.例文帳に追加

これら測定系列（Ｍ，Ｎ）の各々の測定結果（M_1…M_m，N_1…N_n）は、上記試料の互いに等距離な回転位置において各々決定される。 - 特許庁

The n-type base region 10 is formed of the n^--type first region 10a and the n-type second region 10b whose impurity concentration is higher than the first region 10a.例文帳に追加

Ｎ型ベース領域１０はＮ^-型の第１の領域１０ａとこれよりも不純物濃度の高いＮ型の第２の領域１０ｂとから成る。 - 特許庁

Since the concentration of the n-type impurity of an n+-type drift region 18b is higher than that of the n-type impurity of n-type drift regions 18a, 12a, and 12b, the resistance of the n+-type drift region 18b is lower than that of the regions.例文帳に追加

ｎ^+型ドリフト領域１８ｂのｎ型不純物濃度は、ｎ型ドリフト領域１８ａ、１２ａ、１２ｂのｎ型不純物濃度より高いので、ｎ^+型ドリフト領域１８ｂの抵抗は、これらの領域の抵抗より低い。 - 特許庁

Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加

ｎ^−ドリフト層２１の表面にｎ^＋バッファ層２２とｐ^＋コレクタ層２３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a p^+ collector layer 2, an n^+ buffer layer 3, and an n^- high resistance layer 4 are formed.例文帳に追加

さらに、ｐ＋コレクタ層２、ｎ＋バッファ層３、およびｎ−高抵抗層４を形成する。 - 特許庁

An n-type drain region 130 and an n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域１３０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

An n-type drain region 130 is electrically connected to an n-type collector region 230.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域１３０と、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

An n-type body region 52a and an n-type collector region 230 are connected electrically.例文帳に追加

ｎ型ボディ領域５２ａと、ｎ型コレクタ領域２３０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁