A P-N junction element ta is applied to a power circuit, where the P-N junction element ta is effective when mounted to each signal and communication functional circuit, activates Peltier effect and Seebeck effect in the same element, and gives noise reduction effect.例文帳に追加

個々の「弱電」機能回路に対して設計製造時に取付けて効果がある「ペルチェ効果及びゼーペック効果を同一素子内で発生してノイズ低減効果を与えるＰＮ接合素子」ｔａを「強電」回路に応用する。 - 特許庁

N-TYPE CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型炭素ナノチューブ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

Specifically platinum nitride (Pt-N) has an especially excellent effect.例文帳に追加

なかでも、窒化白金（Ｐｔ−Ｎ）は、特に優れた効果を有する。 - 特許庁

An N-type low resistance layer 17 reduces the junction FET effect.例文帳に追加

Ｎ型低抵抗層１７は、ジャンクションＦＥＴ効果を低減する。 - 特許庁

An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加

集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ（fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁

To further effectively perform n-time (n is an integer of 2 or more) high resolution processing using n image frames from n cameras as input.例文帳に追加

ｎ台のカメラ（ｎは２以上の整数）からのｎ枚の画像フレームを入力として、ｎ倍の高解像度化処理をより効果的に実現すること。 - 特許庁

The voltage-to-current conversion circuit includes a high-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process N-type MOS field-effect transistor, a low-voltage manufacturing process amplifier, and an electric resistance.例文帳に追加

電圧電流転換回路は高電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程N型MOS電界効果トランジスター、低電圧製造工程増幅器、電気抵抗を提供する。 - 特許庁

Although the effect stems from the fertilizer components such as N, P and K contained in the blood, the soil improving effect of the iron-nomplex is supplemented.例文帳に追加

その効果は血液中のＮ，Ｐ，Ｋなどの肥料成分によるが、鉄鎖体による土壌改良効果もある。 - 特許庁

To improve the current drive capabilities of an n-channel conductivity field-effect transistor and a p-channel conductivity field-effect transistor.例文帳に追加

ｎチャネル導電型電界効果トランジスタ及びｐチャネル導電型電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an n-channel field effect transistor and a p-channel field effect transistor, in which both of the n-channel field effect transistor and the p-channel field effect transistor have excellent drain current property.例文帳に追加

ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。 - 特許庁

The drive capability of the P-channel field effect transistor P1 is set higher than the drive capability of the N-channel field effect transistor N2, and the drive capability of the N-channel field effect transistor N1 is set higher than the drive capability of the P-channel field effect transistor P2.例文帳に追加

Ｐチャネル電界効果トランジスタＰ１の駆動能力は、Ｎチャネル電界効果トランジスタＮ２の駆動能力より大きく、Ｎチャネル電界効果トランジスタＮ１の駆動能力はＰチャネル電界効果トランジスタＰ２の駆動能力より大きく設定される。 - 特許庁

For GrayScale and PseudoColor,the effect is as if an XAllocColorCells call returned all pixel valuesfrom zero to N - 1, where N is the colormap entries value in the specifiedvisual.発音を聞く 例文帳に追加

GrayScaleとPseudoColorを指定すると、XAllocColorCellsの呼び出しが 0 から N \\- 1 までの全てのピクセル値返した場合と同じ効果になる。 - XFree86

To provide a photoelectric conversion signal processing circuit for effectively improving S/N by a simple constitution.例文帳に追加

簡単な構成で効果的にＳ／Ｎを改善する光電変換信号処理回路を提供する。 - 特許庁

SATURATED AND UNSATURATED N-ALKAMIDE WHICH IS EFFECTIVE TO ENHANCE TASTE AND FLAVOR IN FLAVOR COMPOSITION例文帳に追加

風味組成物において味および風味の増強効果を示す飽和および不飽和Ｎ−アルカミド - 特許庁

To effectively restrain an artifact even in a low S/N ratio image.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比が低い画像であっても折り返しアーチファクトを効果的に抑制する。 - 特許庁

To improve an S/N ratio by effectively removing noise components from echo data.例文帳に追加

エコーデータからより効果的にノイズ成分の除去し、Ｓ／Ｎをより改善する。 - 特許庁

The vaccine containing the N-protein provides preventive effects on wide FIPV.例文帳に追加

このＮ蛋白質を含むワクチンは、幅広いＦＩＰＶに対して予防効果を与える。 - 特許庁

A sampling circuit is composed of a p-type channel and n-type channel field effect transistors (FET).例文帳に追加

サンプリング回路はｐチャネル及びｎチャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成される。 - 特許庁

The effects of interference between the plurality of multipath components on the N channel estimates is then reduced.例文帳に追加

そして、Ｎ個のチャネル推定値について、複数のマルチパス要素間の干渉の効果が低減される。 - 特許庁

π ELECTRON-BASED COMPOUND AND n-TYPE ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR GIVEN BY USING THE SAME例文帳に追加

π電子系化合物、及びそれを用いたｎ−型有機電界効果トランジスタ - 特許庁

To provide a communication system that effectively conducts two way communication among one-to-N devices at a high-speed.例文帳に追加

１対Ｎの装置間の双方向通信を効果的且つ高速に行えるようにする。 - 特許庁

Therefore, an improvement effect of S/N ratios of both the background image and the target object O is obtained.例文帳に追加

したがって、背景画像および目標物体Ｏの双方のＳ／Ｎ比の改善効果が得られる。 - 特許庁

Realizing an N:1 redundancy changeover method results in an effect of the reduced number of required equipment.例文帳に追加

Ｎ：１冗長切替方式の実現により機器所要数を削減できる効果がある。 - 特許庁

As the first load element, an N type electric field-effect transistor or a resistor element is used.例文帳に追加

第１負荷素子としては、Ｎ型電界効果トランジスタや抵抗素子などを使用する。 - 特許庁

The semiconductor device is formed of a p-type field effect transistor and an n-type field effect transistor.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型及びＮ型の電界効果トランジスタより成る。 - 特許庁

An amount of Al, N, Mo, B, Nb, V having an effect fine dispersing the carbide is specified.例文帳に追加

また、炭化物を微細に分散させる効果があるＡｌ、Ｎ、Ｍｏ、Ｂ、Ｎｂ、Ｖの量を規定する。 - 特許庁

In a semiconductor device having an n-channel field effect transistor 10 and a p-channel field effect transistor 30, as a stress control film 19 covering a gate electrode 15 of the n-channel field effect transistor 10, a film having film stress in a tension stress side is used.例文帳に追加

ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。 - 特許庁

Since the p-type defect levels disappear through hydrogenation, effect of an n-type dopant (phosphorus) is actualized and the p-type film is rendered n-type.例文帳に追加

水素処理を施すことにより、ｐ型の欠陥準位が消滅するため、ｎ型ドーパント（リン）の効果が顕在化してｎ型化する。 - 特許庁

The effect of obtaining the n bits in the output is the multiplication of the companion matrix of an N order by the present contents of a shift register.例文帳に追加

出力にＮビットを得る効果は、シフトレジスタの現在の内容にＮ次のコンパニオン行列を乗算することである。 - 特許庁

To effectively reduce color moire generated owing to foldback of a high frequency when a single-plate imaging device is used by preventing resolution deterioration and S/N deterioration.例文帳に追加

単板撮像素子を用いた場合に、高周波の折帰りにより発生する色モアレを、解像度劣化やS/N劣化を防止して効果的に低減する。 - 特許庁

The fluorescent substance is especially effective when the numbers of mol x, y and n are each within the range of 0.001≤x≤0.5, 0.1≤y≤2 and 1≤n≤3.例文帳に追加

モル数ｘ、ｙ及びｎをそれぞれ、０．００１≦ｘ≦０．５、０．１≦ｙ≦２、１≦ｎ≦３の範囲内にすると、特に効果的である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high drain current characteristics and high reliability in the semiconductor device with an n channel field-effect transistor and a p channel field-effect transistor.例文帳に追加

nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ドレイン電流特性に優れた信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 117a becomes a drain of the junction field effect transistor 151, and the n-type diffusion layer 117b becomes the source of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｎ型拡散層１１７ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のドレインとなり、前記Ｎ型拡散層１１７ｂは前記接合型電界効果トランジスタ１５１のソースとなる。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of the integrated circuit equipped with a plurality of p-type electric field effect type transistors, a plurality of n-type electric field effect type transistors, a P-type substrate contact region 6 and an N-type substrate contact region 5 on a substrate.例文帳に追加

半導体装置は、基板の上に、複数のｐ型電界効果型トランジスタ、複数のｎ型電界効果型トランジスタ、Ｐ型基板コンタクト領域６及びＮ型基板コンタクト領域５を備えた集積回路からなる。 - 特許庁

To provide a composition containing N-acetylglucosamine, which remarkably enhances physiological activity that the N-acetylglucosamine has, though it is known that the N-acetylglucosamine has a therapeutic effect to osteoarthritis and a beauty effect, and many foods or supplements with the same as an active constituent are commercially available.例文帳に追加

Ｎ‐アセチルグルコサミンは、変形性関節症に対する治療効果や美容効果を有し、これを有効成分とする数多くの食品またはサプリメントが市販されており、このＮ‐アセチルグルコサミンが有する生理活性を顕著に高めた組成物を提供する。 - 特許庁

The partial differential values are respectively linearly combined by predetermined weighting factors α_0 to α_Q, and a correction signal Δy[n] is generated to compensate a memory effect with respect to an output signal y'[n] of the power amplifier 51.例文帳に追加

各偏微分値は所定の重み係数α_0〜α_Qをもって線形結合されて、電力増幅器５１の出力信号y’[n]に対して、メモリ効果を補償するための補正信号Δy[n]が生成される。 - 特許庁

Especially, the inductance load L is connected between the source S of an n-channel field effect transistor Q and the grounding side (or between the source of a p-channel field effect transistor and the power side), and the field effect transistor Q controls a current flowing to the inductance load L.例文帳に追加

特に、ｎチャネル電解効果トランジスタＱのソースＳと接地側との間（またはｐチャネル電界効果トランジスタのソースと電源側との間）にインダクタンス負荷Ｌを接続し、このインダクタンス負荷Ｌに流れる電流を電解効果トランジスタＱで制御する。 - 特許庁

In the voltage source circuit, a first field effect transistor having a high-concentration n-type gate and a second field effect transistor having a heavily-doped p-type gate are connected in series to output a voltage depending on a difference of work functions of gate electrodes of the two field-effect transistors.例文帳に追加

本発明に係る電圧源回路では、高濃度ｎ型ゲートを有する第１の電界効果トランジスタと、高濃度ｐ型ゲートを有する第２の電界効果トランジスタとが直列に接続され、前記２つの電界効果トランジスタのゲート電極の仕事関数の差に依存する電圧を出力する。 - 特許庁

Further, an n-channel second field effect transistor F2 turned on and off synchronously with the first field effect transistor F1 is connected in series to the first field effect transistor F1 so as to make the forward voltage of the body diode coincide the direction of the voltage in the DC supply.例文帳に追加

また、第１電界効果トランジスタＦ１に同期してオンオフされるｎチャネルの第２電界効果トランジスタＦ２を、ボディダイオードの順電圧の向きが直流電源による電圧の向きに一致するように第１電界効果トランジスタＦ１に直列に接続した。 - 特許庁

A common back gate electrode 9 is formed beneath an n-type field effect transistor 1 and a p-type field effect transistor 2 constituting a complementary switch circuit through an insulation layer.例文帳に追加

相補型スイッチ回路を構成するｎ型の電界効果トランジスタ１とｐ型の電界効果トランジスタ２の下側に絶縁層を介して両トランジスタに共通のバックゲート電極９を形成する。 - 特許庁

To effectively apply a stretch stress to a silicon channel region of an N channel insulating gate type field-effect transistor, and further to enhance the mobility of a parasitic transistor.例文帳に追加

Ｎチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタのシリコンのチャネル領域に引張応力を効果的に印加することを可能とし、また寄生トランジスタの移動度を高めることを可能にする。 - 特許庁

The gate insulating film 3 is first formed on the semiconductor substrate 1 having an NFET forming area 50N for forming an N type field effect transistor and a PFET forming area 50P for forming a P type field effect transistor.例文帳に追加

まず、Ｎ型電界効果トランジスタを形成するＮＦＥＴ形成領域５０ＮとＰ型電界効果トランジスタを形成するＰＦＥＴ形成領域５０Ｐとを有する半導体基板１の上に、ゲート絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thermoelectric element in which temperature difference power generation (thermal power generation) by Seebeck effect or electronic cooling/heat generation by Peltier effect can be attained using P type and N type thermoelectric semiconductor materials.例文帳に追加

本発明は、Ｐ型及びＮ型熱電半導体材料を用いて、ゼーベック効果による温度差発電（熱発電）や、ペルチェ効果による電子冷却・発熱を可能とする熱電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To simultaneously improve mobility of a P-channel electric field effect transistor and mobility of an N-channel electric field effect transistor by bending a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップを折り曲げることにより、Ｐチャネル電界効果型トランジスタとＮチャネル電界効果型トランジスタの移動度を同時に向上させる。 - 特許庁