Pt-Nとは 意味・読み方・使い方

For example, a plurality of ports PT [1] to PT [N] and a plurality of controllers CTL [1] to CTL [N] accessing the ports are provided.例文帳に追加

例えば、複数のポートＰＴ［１］〜ＰＴ［Ｎ］と、これらにアクセスする複数のコントローラＣＴＬ［１］〜ＣＴＬ［Ｎ］を設ける。 - 特許庁

An N electrode NT is formed on a part where the N-type gallium nitride layer N is exposed, and a P electrode PT is formed on the P-type gallium nitride layer P.例文帳に追加

そしてこのｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出した部位にｎ電極ＮＴを、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ上にｐ電極ＰＴを形成する。 - 特許庁

Information for specifying the controllers CTL [1] to CTL [N] and the ports PT [1] to PT [N] is stored in the control areas, whereby it is possible to deal with the requirements by means of the one driver DRV regardless of the arrangement of the controllers.例文帳に追加

制御領域には、ＣＴＬ［１］〜ＣＴＬ［Ｎ］やＰＴ［１］〜ＰＴ［Ｎ］を特定するための情報を格納し、これによって、コントローラの構成に関わらず、１個のＤＲＶで対応可能となる。 - 特許庁

The p-side bonding layer 310 and the n-side bonding layer 410 are each formed of a mixture layer of TaN and Pt, and the p-side bonding pad electrode 320 and the n-side bonding pad electrode 420 are configured of a laminated structure composed of Pt and Au.例文帳に追加

ｐ側接合層３１０およびｎ側接合層４１０はＴａＮとＰｔとの混在層で構成され、ｐ側ボンディングパッド電極３２０およびｎ側ボンディングパッド電極４２０はＰｔとＡｕとの積層構造で構成される。 - 特許庁

An Al/Ti/Pt/Au multiple metal layer 32, an AuSn solder layer 33, an Au/Ni/Al/Ti multiple metal layer 15, an n^+ contact layer (n^+-GaN) 14, and a drift part (n-GaN) 13 are formed on an n-type Si substrate 31.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板３１上に、Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ多重金属層３２、ＡｕＳｎはんだ層３３、Ａｕ／Ｎｉ／Ａｌ／Ｔｉ多重金属層１５、ｎ^+コンタクト層（ｎ^+−ＧａＮ）１４、ドリフト部（ｎ−ＧａＮ）１３が形成されている。 - 特許庁

After that, in each gate electrode, source region, and drain region of N-channel type MISFET and P-channel type MISFET, silicidation (at least one of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er is included) is performed.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

Thereafter, the silicide process (including at least a kind of Ni, Ti, Co, Pd, Pt, and Er) is conducted to each gate electrode, source region and drain region of the n-channel MISFET and p-channel MISFET.例文帳に追加

その後、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴの各ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域にシリサイド化（Ni,Ti,Co,Pd,Pt,Erのうち少なくとも一種類を含む）を行う。 - 特許庁

A base region BA of the bipolar transistor BT has a p-type impurity density higher than the n-type impurity density of the n-channel forming region NC of the p-MOS transistor PT.例文帳に追加

バイポーラトランジスタＢＴのベース領域ＢＡは、ｐＭＯＳトランジスタＰＴのｎ^-チャネル形成領域ＮＣのｎ型の不純物濃度よりも高いｐ型の不純物濃度を有している。 - 特許庁