えだきりこうその英語

対象地盤に地盤破壊しない範囲で，一定過剰間隙水圧に繰り返し過剰間隙水圧を加えた過剰間隙水圧の波動を発生させて，二次圧密を取り込んだ急速圧密沈下を進める。例文帳に追加

Rapid consolidation settlement taking in secondary consolidation is promoted by generating waves of excess hydrostatic pressure in a target ground by repeatedly applying the excess hydrostatic pressure to predetermined excess hydrostatic pressure within a range that does not destroy the ground. - 特許庁

粉粒体を負圧により吸い上げて圧力流体と混合した状態で供給することにより、粉粒体の供給量が絶えず一定になる粉粒体供給装置を得る。例文帳に追加

To provide a granular material feeding apparatus for constantly keeping the feeding amount of a granular material by sucking the granular material with a negative pressure and feeding it in a mixed state with a pressure fluid. - 特許庁

円錐台形状の頭部６ａの小径頂面側のエッジ部をドライバーピン５内に入り込ませることによって、固定本体１に対するコードピン６によるロータ２の回転拘束が成立する。例文帳に追加

An edge section on a small diameter top surface side of the truncated head section 6a is made to enter in a driver pin 5 to materialize rotational constraint of the rotor 2 caused by the cord pin 6 to a fixed body 1. - 特許庁

サッカロミセス・セレビシエ（Saccharomyces cerevisiae）種の酵母の細胞壁からなりグルカンおよびマンナンの総含量が乾燥体基準で少なくとも３４．０質量％、かつグリコーゲン含量が乾燥体基準で１０．０質量％未満である薬剤および、それを用いた高血糖症の治療用組成物。例文帳に追加

The agent, comprising the cell walls of yeast of Saccharomyces cerevisiae species, with the total content of glucan and mannan of at least 34.0 mass% based on the dry material and the glycogen content of less than 10.0 mass% based on the dry material, and the therapeutic composition of hyperglycemia using this are provided. - 特許庁

表層剥し工具１に用いられる切削刃７は、基台部７ｂには刃先となる尖鋭な頂部７ａが形成されており、頂部７ａのうち少なくとも先端は、超砥粒焼結体又は単結晶ダイヤモンドにより構成されている。例文帳に追加

The cutting blade 7 for use in the surface layer peeling tool 1, has a sharp tip portion 7a formed on a base portion 7b thereof, which functions as a cutting edge, and at least a distal end of the tip portion 7a is formed of an ultra-abrasive sintered body or monocrystal diamond. - 特許庁

輝度信号を出力する画素４３ＷはＶデコーダ１０１とＨデコーダ９３により、画素４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂより高速に駆動される。例文帳に追加

The pixel 43W for outputting the luminance signal is driven by a V decoder 101 and an H decoder 93 at a speed faster than that of the pixels 43G, 43R, 43B. - 特許庁

シリコンやIII族窒化物等の半導体基板、および、ガラス等の絶縁体基板等を、基板全面において均一かつ高速に加工できるプラズマ加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma treatment method capable of working a semiconductor substrate of silicon, group III nitride or the like, and an insulating substrate of glass or the like in the whole surface of the substrate uniformly with high speed. - 特許庁

移行部ＴＲは、略径方向外向きに膨出して頂部Ｍを形成する線渡し部６５と、頂部Ｍからボビン本体６０に向かい、ボビン本体の表面を含んで区分フランジを切除した切込み部６６と、切込み部６６のフランジ残部によって形成された岬状の線受け部６７とで構成される。例文帳に追加

The transition part TR is constituted of a wire delivery portion 65 swelling radially outward to form a top portion M, a portion 66 formed by cutting the section flange including the surface of the bobbin body from the top portion M toward the bobbin body 60, and a headland-like wire receiving portion 67 formed by the remaining portion of flange at the cut portion 66. - 特許庁