のぼりちょう３ちょうめの英語

照明負荷の調光率を設定する回転式のボリュームVRを操作するために、回転操作部材21を取付け枠3の前側に突出してボリュームVRに接続する。例文帳に追加

In order to operate a rotating volume VR for setting a dimming rate of the lighting load, the rotating operation member 21 is connected to the volume VR by projecting to the front side of the installation frame 3. - 特許庁

ポリ乳酸系重合体からなり、面配向度△Ｐが３．０×１０^-3以上であり、かつ、フィルムを昇温したときの結晶融解熱量△Ｈｍと昇温中の結晶化により発生する結晶化熱量△Ｈｃとの差（△Ｈｍ−△Ｈｃ）が２０Ｊ／ｇ以上であることを特徴とするポリ乳酸系フィルム。例文帳に追加

The polylactide film comprises polylactic acid polymer having the face orientation (▵P) of ≥3.0×10^-3 and the difference of the crystal-melting heat from the crystallization heat (▵Hm-▵Hc) of ≥20 J/g. - 特許庁

ポリ乳酸系重合体からなり、面配向度△Ｐが３．０×１０^-3以上であり、かつ、フィルムを昇温したときの結晶融解熱量△Ｈｍと昇温中の結晶化により発生する結晶化熱量△Ｈｃとの差（△Ｈｍ−△Ｈｃ）が２０Ｊ／ｇ以上であることを特徴とするポリ乳酸系フィルム。例文帳に追加

This polylactic acid film has the planar orientation degree ΔP of ≥3.0×10^-3 and the difference (ΔHm-ΔHc) of ≥20 J/g (where, ΔHm is the heat of crystal fusion in film temperature rising; and ΔHc is the heat of crystallization of film during the film temperature rise). - 特許庁

幟のポールを挿通し得る内径を有する筒体２に、旗布の止め輪を係止する止め輪係止手段３を設けて成り、前記ポールに対し上下動及び回動可能に取り付けられることを特徴とする。例文帳に追加

A snap ring locking means 3 locking the snap ring of the bunting is installed on a cylinder body 2 having a bore to let a pole of the streamer go through and it is installed toward the pole with up and down and rotary motion. - 特許庁

この間、地下蓄熱層３の熱により家屋Ｈの室内が昇温してしまう場合には温度調節層２の配管９に対して地下水タンク５の冷水を流して温度調節層２自体を冷却し、地下蓄熱層３側の熱が床面１側に伝わらないようにする。例文帳に追加

In this period, when indoor temperature of the house H increases by the heat of the underground thermal-storage layer 3, cold water in an underground water tank 5 is circulated through piping 9 of the temperature control layer 2 to cool the temperature control layer 2 itself, to prevent transmission of the heat from the side of the underground thermal-storage layer 3 to the side of a floor 1. - 特許庁

その後、表面改質層２を形成したサファイア基板１を、２０ｓｌｍのアンモニア、３０ｓｌｍの水素及び５０ｓｌｍの窒素を含む雰囲気にある気相成長装置内へ搬入し、ＧａＮ層（窒化物半導体層）３の成長温度（１１００℃）にまで昇温し、表面改質層２の表面にＧａＮ層３を成長させる。例文帳に追加

Thereafter, the sapphire substrate 1 with the surface modified layer 2 formed thereon is carried into a gas phase growing device in an atmosphere containing ammonium of 20 slm, hydrogen of 30 slm and nitrogen of 50 slm, then, temperature is raised to the growing temperature (1100°C) of the GaN layer (nitride semiconductor layer) 3 to grow the GaN layer 3 on the surface of the surface modified layer 2. - 特許庁

特定の紡錘状ヘマタイト粒子を３〜１５ｃｍの層高の固定層に形成し、４０〜１５０ｃｍ／ｓの空塔速度の還元性ガス雰囲気下、昇温速度１０〜８０℃／ｍｉｎで４００〜７００℃に昇温して還元することを特徴とする。例文帳に追加

Specified spindle-shaped hematite particles are formed into a fixed layer with a layer thickness of 3 to 15 cm, the temperature thereof is raised to 400 to 700°C at a temperature rising rate of 10 to 80°C/min in the atmosphere of reducing gas at an empty tower velocity of 40 to 150 cm/s, and reduction is performed. - 特許庁

文久3年（1863年）以後は藩命により京都へ上り、尊攘派の牙城であった長州藩はじめ諸藩の勤王の志士と交流する。例文帳に追加

In 1863, he went up to Kyoto under the order of the domain, and after that, he associated with Kinno no shishi (patriots with reverence for the Emperor) of the domains such as Choshu Domain which was the stronghold of Sonjo-ha party (people supporting the principle of 'Sonno Joi' advocating reverence for the Emperor and the expulsion of foreigners).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス