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へいないちょう２ちょうめの英語
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「へいないちょう２ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 107件
一方、各ストライプの間に位置する幅Ｌの結晶成長面では、良好なオフ角θ（：θ^2 ＝θ_1 ^2 ＋θ_2 ^2 ）の設定によりステップフロー成長が順調進むため、良質かつ平坦な成長層２が得られる。例文帳に追加
On the other hand, a step flow growth is smoothly developed on the crystal growth surface with a width L located between the stripes thanks to setting of an appropriate off angle θ(:θ^2=θ_1^2+θ_2^2), thereby permitting a high-quality and flat growth layer 2. - 特許庁
明治2年（1869年）、鹿児島常備隊がつくられたとき、砲兵隊長となった。例文帳に追加
In 1869, when the Kagoshima regular army was assembled, Murata became a leader of an artillery unit.発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
募兵、新兵教練を終えた薩軍では2月13日、次のように大隊編成がなされた（隊長の正式名称は指揮長。一般に大隊長とも呼ばれた。副長役は各大隊の一番小隊隊長がつとめた）。例文帳に追加
On February 13, with soldiers having been recruited and trained, the Satsuma army has formed into the battalions as below (The battalion commander was formally called Shikicho and generally called Daitaicho. The leader of the 1st platoon in each battalion served as Fukucho, the second in command.)発音を聞く - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
一次粒径０．１μｍ以下の紫外線遮蔽性超微粒子、シリコーン油及び分散剤を含有してなる紫外線遮蔽性超微粒子分散体であって、該紫外線遮蔽性超微粒子の表面が、０．５ｍｇ／ｍ^2 以上のシリコーンで被覆されてなる紫外線遮蔽性超微粒子分散体。例文帳に追加
This dispersed material of an ultraviolet light shielding ultrafine particle contains the ultraviolet light shielding ultrafine particle having ≤0.1 μm primary particle diameter, a silicone oil and a dispersant, and the surface of the ultraviolet light shielding ultrafine particle is covered with a silicone of ≥0.5 mg/m2. - 特許庁
幟材収容部２の平面形状は長方形であり、支柱挿入部３の平面形状は細長い長方形である。例文帳に追加
The plane shape of the banner material housing section 2 is a rectangular shape and the plane shape of the strut insertion section 3 is a slender rectangular shape. - 特許庁
そして、水平調整用座板２は、ガイドレール載置面２ａと、主梁１の両端部上面とのなす角度を調整可能に構成されている。例文帳に追加
The horizontal adjustment seat plate 2 is constructed so as to be capable of adjusting the angle formed by the guide rail placing surface 2a and the both end upper faces of the main beam 1. - 特許庁
今回の成長戦略を始めとする三本の矢を実施することなどを通じて、中長期的に、２%以上の労働生産性の向上を実現する活力ある経済を実現し、今後10 年間の平均で名目GDP 成長率３%程度、実質GDP 成長率２%程度の成長を実現することを目指す。2010 年代後半には、より高い成長の実現を目指す。例文帳に追加
Through the implementation of the three “arrows,” including this Growth Strategy, among other measures, Japan aims to achieve a vibrant economy that will register over 2% labor productivity improvement in the medium- to long-term, and around 3% nominal gross domestic product (GDP) growth and around 2% real GDP growth, on average, over the next ten years. By the late 2010s, the goal will be to achieve even higher growth.発音を聞く - 経済産業省
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「へいないちょう２ちょうめ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 107件
そして、微粒子集合体３の成長にあわせて、分散媒の蒸発速度を速める装置５を微粒子分散液２の側へ移動させることにより、微粒子集合体３の成長端４を微粒子分散液２の側へ移動させ、前記微粒子集合体の成長方向を制御する。例文帳に追加
By moving the device 5 to the dispersion liquid 2 side in conformity to the growth of the particulate assembly 3, a growth end 4 of the assembly 3 is moved to the dispersion liquid 2 side to control the growth direction of the assembly 3. - 特許庁
基台２に対して座体３を前後方向に調整移動する為の水平調整手段４を備えていても良い。例文帳に追加
A horizontal adjusting means 4 for adjusting and moving the seat body 3 in the longitudinal direction to the base 2 may also be mounted. - 特許庁
希土類磁石素体１の凸部１Ｂよりも凹部１Ａにおいて相対的に保護膜２の成長が促進され、全体としてほぼ平坦となるように保護膜２の成長過程が制御されるため、保護膜２の表面粗さが０．４μｍ以下となる。例文帳に追加
Growing of the protective film 2 is relatively accelerated at a recessed part 1A than a protruding part 1B of the rare earth magnet element 1, and the growth process of the protective film 2 is so controlled that the film becomes almost flat as a whole, so that surface roughness of the protective film 2 becomes 0.4 μm or less. - 特許庁
経済成長への途を歩み始めたアフリカではありますが、20カ国程度の国は、様々な理由により、過去10年間、平均２％の成長にとどまっています。例文帳に追加
Many African countries have begun to show steady economic growth.Some 20 countries, however, faced with various difficulties, have been stagnating at around 2 percent growth for the past ten years.発音を聞く - 財務省
サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、その表面に無機マスク３をＧａＮ層表面が実質平坦になるよう形成し、半導体成長用基板とする。例文帳に追加
A GaN layer 2 is grown on a sapphire substrate 1, an inorganic mask 3 is formed on the GaN layer so that a surface of the GaN layer becomes substantially flat, thereby obtaining a semiconductor growth substrate. - 特許庁
１フレームの映像信号を１フレーム平均階調計算部５で求めた平均階調が一定値を越えると画素の表示時間割合を低減するための階調制御信号を出力する表示時間割合テーブル６の出力に基づいて表示手段１の画素の表示時間割合を制御する階調制御回路２を備える。例文帳に追加
The display device is equipped with a gradation control circuit 2 for controlling the display time percentage of a pixel of a display means 1 based on the output of a display time percentage table 6 which outputs a gradation control signal for reducing the display time percentage of the pixel when the average gradation to determine a video signal of one frame in a single frame average gradation calculation section 5 exceeds a specified value. - 特許庁
Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。例文帳に追加
A GaN layer 2 is grown on a C-face sapphire substrate 1, and a T-shaped USG film 3 is fabricated on the GaN layer 2 so that the side surface of the USG film 3 is parallel to an A-face and an M-face of the GaN layer 2. - 特許庁
半導体基板Ｗの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、半導体基板Ｗを座ぐり２ｃ内で下方から水平に支持する盤状のサセプタ２を備えている。例文帳に追加
A vapor phase growing apparatus 100 for performing vapor growing of the single crystalline thin film on the main surface of the semiconductor substrate W is provided with a plate-like susceptor 2 for horizontally supporting the semiconductor substrate W from downward in a counerbore 2c. - 特許庁
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