「へいないちょう２ちょうめ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、水平調整用座板２は、ガイドレール載置面２ａと、主梁１の両端部上面とのなす角度を調整可能に構成されている。例文帳に追加

The horizontal adjustment seat plate 2 is constructed so as to be capable of adjusting the angle formed by the guide rail placing surface 2a and the both end upper faces of the main beam 1. - 特許庁

今回の成長戦略を始めとする三本の矢を実施することなどを通じて、中長期的に、２%以上の労働生産性の向上を実現する活力ある経済を実現し、今後10 年間の平均で名目GDP 成長率３%程度、実質GDP 成長率２%程度の成長を実現することを目指す。2010 年代後半には、より高い成長の実現を目指す。例文帳に追加

Through the implementation of the three “arrows,” including this Growth Strategy, among other measures, Japan aims to achieve a vibrant economy that will register over 2% labor productivity improvement in the medium- to long-term, and around 3% nominal gross domestic product (GDP) growth and around 2% real GDP growth, on average, over the next ten years. By the late 2010s, the goal will be to achieve even higher growth.  - 経済産業省

そして、微粒子集合体３の成長にあわせて、分散媒の蒸発速度を速める装置５を微粒子分散液２の側へ移動させることにより、微粒子集合体３の成長端４を微粒子分散液２の側へ移動させ、前記微粒子集合体の成長方向を制御する。例文帳に追加

By moving the device 5 to the dispersion liquid 2 side in conformity to the growth of the particulate assembly 3, a growth end 4 of the assembly 3 is moved to the dispersion liquid 2 side to control the growth direction of the assembly 3. - 特許庁

基台２に対して座体３を前後方向に調整移動する為の水平調整手段４を備えていても良い。例文帳に追加

A horizontal adjusting means 4 for adjusting and moving the seat body 3 in the longitudinal direction to the base 2 may also be mounted. - 特許庁

希土類磁石素体１の凸部１Ｂよりも凹部１Ａにおいて相対的に保護膜２の成長が促進され、全体としてほぼ平坦となるように保護膜２の成長過程が制御されるため、保護膜２の表面粗さが０．４μｍ以下となる。例文帳に追加

Growing of the protective film 2 is relatively accelerated at a recessed part 1A than a protruding part 1B of the rare earth magnet element 1, and the growth process of the protective film 2 is so controlled that the film becomes almost flat as a whole, so that surface roughness of the protective film 2 becomes 0.4 μm or less. - 特許庁

経済成長への途を歩み始めたアフリカではありますが、20カ国程度の国は、様々な理由により、過去10年間、平均２％の成長にとどまっています。例文帳に追加

Many African countries have begun to show steady economic growth.Some 20 countries, however, faced with various difficulties, have been stagnating at around 2 percent growth for the past ten years.  - 財務省

サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、その表面に無機マスク３をＧａＮ層表面が実質平坦になるよう形成し、半導体成長用基板とする。例文帳に追加

A GaN layer 2 is grown on a sapphire substrate 1, an inorganic mask 3 is formed on the GaN layer so that a surface of the GaN layer becomes substantially flat, thereby obtaining a semiconductor growth substrate. - 特許庁

１フレームの映像信号を１フレーム平均階調計算部５で求めた平均階調が一定値を越えると画素の表示時間割合を低減するための階調制御信号を出力する表示時間割合テーブル６の出力に基づいて表示手段１の画素の表示時間割合を制御する階調制御回路２を備える。例文帳に追加

The display device is equipped with a gradation control circuit 2 for controlling the display time percentage of a pixel of a display means 1 based on the output of a display time percentage table 6 which outputs a gradation control signal for reducing the display time percentage of the pixel when the average gradation to determine a video signal of one frame in a single frame average gradation calculation section 5 exceeds a specified value. - 特許庁

Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。例文帳に追加

A GaN layer 2 is grown on a C-face sapphire substrate 1, and a T-shaped USG film 3 is fabricated on the GaN layer 2 so that the side surface of the USG film 3 is parallel to an A-face and an M-face of the GaN layer 2. - 特許庁

半導体基板Ｗの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、半導体基板Ｗを座ぐり２ｃ内で下方から水平に支持する盤状のサセプタ２を備えている。例文帳に追加

A vapor phase growing apparatus 100 for performing vapor growing of the single crystalline thin film on the main surface of the semiconductor substrate W is provided with a plate-like susceptor 2 for horizontally supporting the semiconductor substrate W from downward in a counerbore 2c. - 特許庁

慶長2年（1597年）2月、和平交渉で無視された朝鮮南部割譲を実力で果たすという名目で、秀吉は14万人の軍を再び朝鮮に送った。例文帳に追加

In March 1597, Hideyoshi sent 140,000 troops to Korea with a pretext to achieve by force the cession of southern Korea which was ignored in the peace talks.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

モード認識部２で階調補正モードを認識した場合は、メモリ切り替え部５で画像メモリを階調補正用濃度保持部のパスに切り替え、通常の画像処理部４での処理を行わず、読み取りデータ平均化処理部３で平均化処理を行う。例文帳に追加

When a mode recognition section 2 recognizes a gradation correction mode, the image memory is switched to the path of a density holding section for correcting gradation by a memory switching section 5, and ordinary processing by an image processing section 4 is not performed but averaging processing is performed by a read data averaging processing section 3. - 特許庁

傘入れ本体2は、外皮が合成繊維製の正面視細長い長方形の形状を有し、その内面に撥水コーティング3が施され、また、その前面11にスライドファスナ5で開閉される開口部4を有する。例文帳に追加

The body 2 of the umbrella bag whose an outer cover is made of a synthetic fiber and has an elongated rectangular shape in front view and water repellent coating 3 is applied to the inside, and the bag has an opening 4 opened and closed with a slide fastener 5 in the front surface 11 thereof. - 特許庁

成長用基板８の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層９が形成された反りのある窒化物結晶基板６を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座２及びプレス板４の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板６とすることができる。例文帳に追加

The flat nitride crystal substrate 6 free from warpages can be obtained by heating the nitride crystal substrate 6 having the curvatures constructed by forming an epitaxial growing layer 9 of the nitride crystal of the group III element on a substrate 8 for heating close to a growing temperature by a heater element and cooling it down under a condition of sandwiching it between parallel surfaces of a pedestal 2 and a press plate 4 to correct the warpage. - 特許庁

原料溶液１に満たされた成長容器２内で半導体ウェハー３上に結晶薄膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、半導体ウェハー３表面に付着してエピタキシャル成長を阻害する大きさの多結晶体が入り込まないように、半導体ウェハー３を平行に間隔をおいて配置する。例文帳に追加

In a liquid phase epitaxial growth method for growing the crystal thin film on a semiconductor wafer 3 inside a growth container 2 filled with a raw material solution 1, the semiconductor wafers 3 are arranged in parallel with one another at intervals so as to eliminate the incorporation of polycrystals which have dimensions to adhere to the surface of the semiconductor wafer 3 and inhibit epitaxial growth. - 特許庁

平板記憶熱処理上がりのＮｉＴｉ系超弾性合金箔からなるＮＴシャッタ２と、ＮＴシャッタ２をアダプタ４に機械的（ラッチ式など）に取付けるための取付部材３とで構成されている。例文帳に追加

The NT shutter component comprises an NT shutter 2 made of super-elastic NiTi alloy foil after flat plate memory heat treatment and an attachment member 3 for attaching the NT shutter 2 to the adaptor 4 mechanically, for instance, by using a latch system. - 特許庁

本発明の水解性おむつライナーはレーヨンにて繊維長１５．０ｍｍ以下とパルプ繊維を混合し、平均繊維長２．０ｍｍ〜１０．０ｍｍの範囲内レーヨン繊維とパルプ繊維を混合ウエブとして水流ジェット交絡法にてスパンレースシートとする。例文帳に追加

This water-disintegrable diaper liner 1 is prepd. by mixing a rayon with a fiber length of at most 15.0 mm and a pulp fiber 3 to prepare a mixed web of the rayon fiber 2 and the pulp fiber 3 with a mean fiber length within a range of 2.0-10.0 mm and by means of a water jet entangling method to prepare a spun lace sheet. - 特許庁

そして､2回目の慶長の役では､諸将が､真面目に戦闘を遂行している証として､討ち取った李氏朝鮮・明兵の鼻を切り取り､日本に送るように命じた。例文帳に追加

In the second invasion called the Keicho War, he ordered the severed noses of killed soldiers of Joseon Korea and the Ming Dynasty to be sent to Japan as proof of his army's bravery in battle.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明のノンオイル又は低オイル液体調味料は、平均粒径の異なる２種類以上の結晶セルロースを添加してなり、かつ、油分が１０重量％以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The nonoil or low-oil liquid seasoning is added with at least 2 kinds of cryatalline celluloses having a different average particle diameter, and has ≤10 wt.% of oil. - 特許庁

ナノワイヤ太陽電池１は、半導体基板２から垂直方向に成長しており、半導体基板２上に平面視三角格子状に配置された複数のナノワイヤ半導体３を備える。例文帳に追加

A nanowire solar cell 1 comprises a plurality of nanowire semiconductors 3 that grow in the vertical direction from a semiconductor substrate 2 and are arranged in a triangular lattice shape on the semiconductor substrate 2 in a plan view. - 特許庁

反応管３の内部における原料ガスの流れは基板１４の成長面に対して平行な方向となっており、反応管３の内部における原料ガスの流速は２ｍ／ｓ以下となっている。例文帳に追加

The flow of the material gas inside the reaction tube 3 is set in a direction, parallel to the growth surface of a substrate 14, and the velocity of flow of the material gas inside the reaction tube 3 is set at 2 m/s or less. - 特許庁

2004年以降EUに加盟した中・東欧諸国は、その経済規模こそ、欧州経済の実質GDPに占める割合で約5％（2007年）と小さいが、その成長率は中・東欧諸国12か国平均で6.3％と、EU15の2倍以上の高成長を遂げている（第1-2-38図）。例文帳に追加

For the very reason of their economic magnitude, the Central and Eastern European countries that have joined the EU since 2004 account for only a small proportion (5%, 2007) of the real GDP in Europe. However, the 12 Central and Eastern European countries have achieved rapid growth at a rate of 6.3%, which is more than double the EU15 (see Table 1-2-38). - 経済産業省

３　前項の聴聞の主宰者は、行政手続法（平成五年法律第八十八号）第十七条第一項の規定により前項に規定する者が当該聴聞に関する手続に参加することを求めたときは、これを許可しなければならない。例文帳に追加

(3) Where the persons prescribed in paragraph (2) of this Article request to participate in the said hearing pursuant to the provisions of Article 17 paragraph (1) of the Administrative Procedure Act (Act No. 88 of 1993), the chairperson of the hearing set forth in paragraph (2) of this Article shall permit him/her to do so.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

基板１の上に感応膜２を形成する時は、基板１の表面の凹凸が感応膜２の膜厚の１／５以下になるように平坦化した後、酸化スズを原子層成長法により形成する。例文帳に追加

When the sensitive film 2 is formed on the substrate 1, irregularities on the surface of the substrate 1 are flattened, in such a way that they are 1/5 or smaller than the film thickness of the sensitive film 2, and the tin oxide is then formed by the atomic-layer growth method. - 特許庁

均一な組成物からなる光学フィルムであり、そのフィルム表面にくぼみを有し、該くぼみの深さが５μｍ以下であり、かつ該くぼみの平均長径長が０．５〜１００μｍであり、フィルム表面における該くぼみの個数が２５〜１００００００個／ｍｍ^2である光学フィルム。例文帳に追加

This optical film is made of a uniform composition and includes recesses on the film surface, wherein the depth of the recesses is 5 μm or less, the average long diameter of the recesses is 0.5 to 100 μm, and the number of the recesses on the film surface is 25 to 1,000,000/mm^2. - 特許庁

Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。例文帳に追加

The first seed 2 whose C-axis is oriented to the direction of an arrow head C is prepared (step 1), and then by using a pulling-down method, a parallel plane with the C-axis at the first seed 2 and a leakage part of the raw material melt are contacted and growth of a crystal is started from the contact part (step 2). - 特許庁

III族窒化物半導体２は、前記結晶成長面へのｃ軸の射影ベクトルと平行に形成された直線状のリッジ２と、前記射影ベクトルと垂直な劈開面からなる一対のレーザ共振面２１，２２とを含む。例文帳に追加

The group III nitride semiconductor stacked structure 2 includes a linear ridge 20 formed in parallel to a projection vector of the c-axis to the crystal growth surface and a pair of laser resonance surfaces 21 and 22 composed of cleavage planes perpendicular to the projection vector. - 特許庁

ここでは、Ｓｉ（１００）面上においてＭｇＯ（１００）面が成長し、図２（ｃ）に示されるように、界面においてＳｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。例文帳に追加

Here, the MgO(100) face is grown on the Si(100) face, and as shown in Figure 2(c), on the interface, the Si(100)[110] direction is parallel to the MgO(100)[100] direction. - 特許庁

スクリーン画像生成手段２は、入力手段１から入力されたパラメータ値に基づいて、ある一定の周波数以上の高周波成分のみからなる画像であって、且つ画素の階調値ヒストグラムが平坦化された多階調の画像であるスクリーン画像を生成する。例文帳に追加

A screen image generating means 2 generates a screen image comprising only high frequency components with a prescribed frequency or more and an image with multi-value gradation resulting from planarizing the gradation histogram of pixels. - 特許庁

明治維新後の明治2年（1869年）、明治天皇の東幸とともに東京へ移動する事を命じられ、宮内省雅楽局（後に雅楽部、現在の宮内庁楽部）に配属された。例文帳に追加

After the Meiji Restoration, in 1869, he was ordered to transfer his residence to Tokyo along with Emperor Meiji, and was assigned to the Kunaisho Gagakukyoku (Music Department of the Imperial Household Ministry).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

予備状態調節されたイオン交換樹脂懸濁液を伴う容器２は、貯蔵のための貯蔵場所または樹脂を反応器へ移送するための反応器のいずれかへ輸送される。例文帳に追加

The container 2 with the preconditioned ion-exchange resin suspension is transported either to a storage site for storage or to a reactor for transfer of the resin to the reactor. - 特許庁

平均粒子径が５０μｍ以下の蓄熱材を内包する複数のマイクロカプセルを固着造粒させて、最短径が１ｍｍ以上、最長径が１ｍ以下に造粒せしめた固形蓄熱材を得る。例文帳に追加

A plurality of microcapsules containing a heat accumulating material which have an average particle diameter of not greater than 50 μm are fixedly granulated to obtain granulated solid heat accumulating materials 2 having a shortest diameter of not smaller than 1 mm to a longest diameter of not greater than 1 m. - 特許庁

又、柱本体２の周囲に取り付けられた複数個の装飾材本体３１の内面の水平方向の長さの合計が柱本体２の外面の周囲長より短くなっている。例文帳に追加

The total of the horizontal lengths of the inner surfaces of the plurality of ornamental member main bodies 31 is shorter than the peripheral length of the outer surface of the column main body 2. - 特許庁

流通路２の断面において電界に平行な辺は電界に垂直な辺より長い長方形状で、長さ方向の大半が導波管の中心軸付近に配置される。例文帳に追加

It is a rectangular shape in which a side parallel to an electric field is longer than a side perpendicular to the electric field in a cross section of the circulation passage 2 and the most in a longitudinal direction is arranged near the central axis of the wave-guide pipe. - 特許庁

スパナレンチ本体５の固定顎と可動顎６の開閉調節部分に、上下に回転移動するウォーム歯車１と、可動顎のスライド方向に平行する雌ネジ９と歯止め２を取り付け、雌ネジ９と歯止め２には、可動顎のスライド方向に直交するに近い角度の凹凸を設けこれを歯車及び歯止めとした。例文帳に追加

The female screw 9 and the brake 2 is provided with an irregularity having an angle nearly orthogonal to the sliding direction of the movable jaw, which is taken as a wheel and a brake. - 特許庁

平面視において一方の対辺２ａが箸３の長さよりも少し長い長方形に形成された洗浄槽２内の底部にチェーンコンベアからなる攪拌装置４のチェーン２１を配置する。例文帳に追加

A chain 21 of an agitating device 4 comprising a chain conveyor is disposed on the bottom of a washing tank 2 formed into a rectangle which has one opposite side 2a slightly longer than the length of the chopsticks 3 in a plan view. - 特許庁

平面保持台２の、複数に分断した基板１の表面の中央を中心とする円の直径が分断した基板外形長辺の少なくとも１０％である範囲にあたる部分に凹部を設ける。例文帳に追加

A recessed part is provided on a part of a planar holding base 2 equivalent to a range where the diameter of a circle whose center is the center of the surface of a substrate 1 divided into a plurality of pieces is at least 10% of a divided substrate outer shape long side. - 特許庁

少なくとも表面の一部を形成する熱可塑性樹脂層２および、（Ａ）繊維含有量が１０〜７０重量％、（Ｂ）平均繊維長が１〜３０ｍｍ、（Ｃ）平均見かけ密度が０．２〜１．０ｇ／ｃｍ^3 である繊維含有熱可塑性樹脂層３からなる多層成形品１。例文帳に追加

A multilayered molded product 1 consists of a thermoplastic resin layer 2 forming at least a part of a surface and a fiber-containing thermoplastic resin layer 3 containing 10-70 wt.% of fibers with a mean fiber length of 1-30 mm and having a mean apparent density of 0.2-1.09/cm3. - 特許庁

２　前項の聴聞の主宰者は、行政手続法　（平成五年法律第八十八号）第十七条第一項　の規定により当該処分に係る利害関係人が当該聴聞に関する手続に参加することを求めたときは、これを許可しなければならない。例文帳に追加

(2) The person chairing the hearing set forth in the preceding paragraph shall, upon request of any person interested in the disposition under Article 17, paragraph (1) of the Administrative Procedure Act (Act No. 88 of 1993), permit such a person to participate in the proceedings for the hearing.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

２　前項の聴聞の主宰者は、行政手続法（平成五年法律第八十八号）第十七条第一項の規定により当該処分に係る利害関係人が当該聴聞に関する手続に参加することを求めたときは、これを許可しなければならない。例文帳に追加

(2) When an interested person of said disposition requests to participate in the procedures related to a hearing pursuant to the provisions of Article 17, paragraph (1) of the Administrative Procedure Act (Act No. 88 of 1993), the person who presides over the hearing as described in the preceding paragraph shall permit this participation.  - 日本法令外国語訳データベースシステム

少なくとも高圧ホモジナイザーを用いてフィブリル化され、比表面積が１６ｍ^2／ｇ未満で、重量平均繊維長が０．９ｍｍ〜２ｍｍの範囲にあるフィブリル化液晶性高分子繊維を含有することを特徴とする湿式不織布。例文帳に追加

This wet-laid nonwoven fabric includes liquid crystalline polymeric fibers which are fibrillated using at least a high-pressure homogenizer and have a specific surface area of <16 m^2/g and a weight-average fiber length of 0.9-2 mm. - 特許庁

躯体フレーム２に第１空気膜マット３を接続し、第１空気膜マット３を空中に略水平に張設したことにより、第１空気膜マット３上を跳躍、歩行すると、第１空気膜マット３が沈み込むため、従来に無い調薬感覚、歩行感覚が得られる。例文帳に追加

A first air sheet mat 3 is connected to a skeleton frame 2, and the first air sheet mat 3 is stretched in the air substantially horizontally, whereby when a player jumps or walks on the first air sheet mat 3, the air sheet mat 3 sinks so that spring feeling and walking feeling not in the past can be given. - 特許庁

太平洋戦争終結後、第2代会長に就任した戸田は、創価教育学会の名称を創価学会と改称し、以後、日蓮正宗も格段に発展することとなった。例文帳に追加

After the Pacific War ended, Toda assumed the position as the second president and he changed the name from Soka Kyoiku Gakkai to Soka Gakkai (literally, Value-Creation Society), and after that, Nichiren Shoshu Sect itself became very popular.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

定朝様の温和な作風の像で平安時代後期の作風を示し、祇園社が延久2年（1070年）の火災で焼失した直後に造立されたものと推定される。例文帳に追加

This gentle Jocho style statue exhibits a latter Heian period style and is assumed to be the piece that was produced directly after Gion-sha Shrine was destroyed by fire in 1070.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

正徳2年（1712年）9月、新井白石は勘定奉行の荻原重秀を罷免に追い込み、度重なる秤量銀貨吹き替えによる混乱を是正しようと、慶長の幣制へ復帰するべく吹替え（改鋳）に着手した。例文帳に追加

In October 1712, Hakuseki ARAI discharged Hideshige OGIWARA who was a kanjobugyo (commissioner of finance), and started to remint to go back to the system of keicho currency in order to stop confusion caused by repetitive reminting of silver by weight standard.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス