ますがたちょう３ちょうめの英語

（１）マスクパターンとして計算機合成ホログラムにより光線透過率の変化パターンを計算する工程、（２）計算されたマスクパターンからフォトマスクを作製する工程、および（３）当該フォトマスクを通過した光により屈折率変調型フォトポリマーを露光する工程とを含むことを特徴とする、実質的に凹凸による表面レリーフイメージを伴わない位相変調型ホログラムの作製方法。例文帳に追加

The method for making a phase modulation type hologram not substantially accompanied by a surface relief image due to irregularity includes (1) a step of computing a variation pattern of light transmittance as a mask pattern through a computer generated hologram, (2) a step of making a photomask from the computed mask pattern, and (3) a step of exposing an index modulation type photopolymer with light passed through the photomask. - 特許庁

ボルト締めランジュバン型超音波振動子２のフロントマス３に設けられたメネジとチタン製のボルトにテーブル１１を接合する。例文帳に追加

The table 11 is connected to the bolt tightening Langevin type ultrasonic vibrator 2 by means of the female screws provided on the front mass 3 of the bolt tightening Langevin type ultrasonic vibrator 2 and titanium bolts. - 特許庁

研削材を含む混合エアーの流れが延長部分でせき止められ、マスキング層３の端部Ａ付近の障壁材料層が過度に研削されることがなく、加工途中においてマスキング層３が端部Ａから剥離することもない。例文帳に追加

Since the flow of mixed air containing the grinding material is blocked at the extended portion, the barrier material layer in the vicinity of the end portion A of the masking layer 3 is not excessively ground, and the masking layer 3 is not removed from the end portion A during the course of the process. - 特許庁

コーナエッジ型サーマルヘッド１のコーナ部１０に印字対象シート３に対するリボンテープ４の接触時間を増すための剥離時間調整板７を取り付けてある。例文帳に追加

A separation time-adjusting plate 7 for increasing a contact time of the ribbon tape 4 to a printing object sheet 3 is set to a corner 10 of the corner edge type thermal head 1. - 特許庁

必要に応じて、開口部３の透明基板１をドライエッチング等により所定の深さエッチングして位相差調整用堀り込み部４を設け本発明の遮光領域つきハーフトーン型位相シフトマスク２０を得る。例文帳に追加

The transparent substrate 1 of the apertures 3 is subjected to prescribed dry etching by dry etching, etc., and is thus provided with dug parts 4 for phase difference regulation, by which the halftone type phase shift mask 20 with the shading regions is obtained. - 特許庁

基板１面上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層３、導波路層４、ＩｎＰカバー層５からなる導波路メサを形成した後、導波路メサの直上部のみに成長阻止マスク６を形成し、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層７、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層８を形成する（ａ）。例文帳に追加

In the manufacturing method of a semiconductor laser, a waveguide mesa composed of an n-type InP clad layer 3, a waveguide layer 4, and an InP cover layer 5 is formed on a substrate 1, a growth inhibiting mask 6 is formed only directly above the waveguide mesa, and a n-type InP current block layer 7, and an n-type InP current block layer 8 are formed (a). - 特許庁

そして、この絶縁膜マスク８の開口部９から露出するｎ型ＧａＮ層７から、III族窒化物半導体からなるｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、この順に成長させられてｎｐｎ構造からなるメサ状積層部１５が形成される。例文帳に追加

Then, an n-type GaN layer 3 made of group III nitride semiconductor, a p-type GaN layer 4 and an n-type GaN layer 5 are grown in this order from the n-type GaN layer 7 exposed from the opening 9 of the insulation film mask 8, forming a mesa lamination part 15 with npn structure. - 特許庁

本発明方法は、マスター型１となる高精度に研磨加工された非球面光学素子に対して凹凸反転した形状をもつ非球面基板３を用いて樹脂によるレプリカ法によりネガ型２３を作成することを特徴とする。例文帳に追加

In the manufacturing method, a negative die 23 is prepared by the replica method using resin by using an aspheric substrate 3 having a shape in which the ruggedness is inverted with respect to the aspheric optical element which is highly precisely polished and is to serve as the master die 1. - 特許庁