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フッ化ヒ素の英語

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日英・英日専門用語辞書での「フッ化ヒ素」の英訳

フッ化ヒ素


「フッ化ヒ素」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

フッ水素からヒ素合物を除去する方法例文帳に追加

METHOD OF REMOVING ARSENIC COMPOUND FROM HYDROGEN FLUORIDE - 特許庁

ヒ素含有フッ水素の蒸留で得られる蒸留の残液からヒ素合物を除去する新規な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a new method of removing an arsenic compound from the residual liquid of distillation obtained by distillation of arsenic-containing hydrogen fluoride. - 特許庁

ヒ素合物(若しくはヒ素)、と、酸性ガス、フッ水素やパーフルオロ合物などのフッ合物などを含む排ガスを安価で確実に除去する方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for inexpensively and certainly removing an exhaust gas containing an arsenic compound (or arsenic), an acidic gas and a fluorine compound such as fluorohydrocarbon, a perfluoro compound or the like. - 特許庁

ヒ素合物を含有するフッ水素酸にフッ素ガス又はフッ素ガスと不活性なガスとの混合ガスを添加した後、一定時間滞留させた後、フッ水素酸を蒸留する事を特徴とする。例文帳に追加

The method and the apparatus are characterized by adding fluorine gas or a mixed gas of fluorine gas and an inert gas to hydrofluoric acid containing an arsenic compound, then by retaining at a constant time, and thereafter by distilling the hydrofluoric acid. - 特許庁

珪素とフッ水素との反応で生成した四フッ珪素ガス中に含有するリン、ヒ素を除去するため該四フッ珪素ガスを珪素と接触させるに際し、300〜800℃の範囲で、(V/Q)≧kの条件で珪素と該四フッ珪素ガスを接触させる。例文帳に追加

When silicon tetrafluoride gas is brought into contact with silicon to remove phosphorus and arsenic contained in the silicon tetrafluoride produced by the reaction of hydrogen fluoride with silicon, the contact of the silicon tetrafluoride gas with silicon is performed at 300-800°C under a condition of (V/Q)≥k. - 特許庁

(a)蒸留の残液を、残液の温度が40から60℃になるまでフッ水素の蒸発により濃縮し、そして(b)残分を水酸カルシウム、酸カルシウム又はそれらの混合物と反応させること、を含むヒ素含有フッ水素の蒸留において得られる蒸留の残液からヒ素合物を取除く。例文帳に追加

The arsenic compound is removed from the residual liquid of the distillation obtained by distillation of the arsenic-containing hydrogen fluoride including (a) thickening the residual liquid of the distillation by evaporation of the hydrogen fluoride until the temperature of the residual liquid attains 40 to 600 and (b) bringing the residue with calcium hydroxide, calcium oxide or their mixture. - 特許庁

例文

合物であるフッ素置換されていないか或はある程度フッ素置換されている有機合物に電気学的フッ素置換をヒ素含有量が約10ppm未満のフッ水素を用いて受けさせることで完全フッ素置換された有機合物を連続的に製造する新規な方法は、電極面積−時間収率の経時的低下を示すことなく長時間に渡って操作可能である。例文帳に追加

The novel method of continuously manufacturing the completely fluorine substituted organic compound by subjecting the organic compound, which is not substituted with fluorine, i.e., a parent compound or is substituted with the fluorine to some extent to electrochemical fluorine substitution by using hydrogen fluoride of about <10 ppm in arsenic content, is operative for a long period of time without exhibiting the degradation in the electrode area-time yield with lapse of time. - 特許庁

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「フッ化ヒ素」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

汚染土壌に含まれる水銀、ヒ素、鉛、セレン、クロム、カドミウム、ホウ素あるいはフッ素等、とくにヒ素および水銀を不溶処理することにより、環境への溶出を抑制して無害する場合、不溶率を十分にして未処理のまま残存して溶出する危険を防止し、かつ処理および設備面での経済性を向上する手段を提供すること。例文帳に追加

To provide a means of preventing the risk of leaching out of heavy metals in contaminated soil into the environment by insolubilizing mercury, arsenic, lead, selenium, chromium, cadmium, boron, fluorine, etc. especially arsenic and mercury, to increase the degree of insolubilization sufficiently so as to control leaching out of the heavy metals which remain untreated, thereby make them harmless and improve the economy associated with treatment and facilities. - 特許庁

フッ珪素中に含まれる不純物であるリン、ヒ素を除去するために、珪素(Si)、またはゲルマニウム(Ge)から選ばれる少なくとも一つの金属と300℃以上の温度で接触させ、さらには、四フッ珪素中に1vol%以上の水素を含有させる。例文帳に追加

Phosphorus and arsenic which are impurities contained in silicon tetrafluoride are removed by bringing the silicon tetrafluoride into contact with at least one of a metal selected from silicon (Si) or germanium (Ge) at300°C and further adding ≥1 vol.% water into the silicon tetrafluoride. - 特許庁

膜表面における不純物としてのフッ合物の発生を抑制しながら、簡易な方法で、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成することができる超伝導薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a simple method for producing a superconducting thin film including a superconducting body consisting of a rare earth element, fluorine, iron, arsenic and oxygen while preventing a fluorine compound from being produced as an impurity on a film surface. - 特許庁

基体上に、分子線エピタキシー法により、少なくとも希土類元素の固体原料及び希土類三フッ物の固体原料を用い、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成する工程を有する超伝導薄膜の製造方法である。例文帳に追加

The method for producing the superconducting thin film includes a step of forming, by using at least a solid raw material of a rare earth element and a solid raw material of rare earth trifluoride, the superconducting thin film including the superconducting body consisting of a rare earth element, fluorine, iron, arsenic and oxygen, on a substrate by a molecular beam epitaxy method. - 特許庁

六価クロム、ヒ素、セレン、フッ素、及びホウ素の少なくとも1種類を含む可能性のある石炭灰を一工程でも処理することができ、しかもこれら有害物質を溶出しがたい状態で固定することができる処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a treatment method enabling one-process treatment of coal ash possibly containing at least one of hexavalent chromium, arsenic, selenium, fluorine and boron and fixing of these harmful substances in a hardly leaching-out state. - 特許庁

ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして1×10^19/cm^3以上の濃度に添加され、裏面にCVD酸膜1が形成されたシリコン単結晶基板PWに対し、CVD酸膜1を残存させながら、シリコン単結晶基板PWの主表面上の酸膜をフッ酸処理でウェットエッチングする(ステップS5)。例文帳に追加

In a silicon single crystal substrate PW wherein boron, arsenic or phosphorus is added as a dopant at a concentration of10^19/cm^3 or more and a CVD oxide film 1 is formed on the back of the substrate PW, an oxide film thereof is wet-etched by hydrofluoric acid treatment while the CVD oxide film 1 is left as it is (step S5). - 特許庁

本発明の中性固材は、土壌中で炭酸と接触又は混合させることにより固するものであり、土壤中の有害物質、例えば、クロム、セレン、ヒ素等の重金属、硝酸態窒素や亜硝酸態窒素、フッ素、ホウ素、ダイオキシン類、トリクロロエチレンやテトラクロロエチレン等の揮発性有機合物類等を低減することができ、しかも有害物質低減能力が非常に大きい等の効果を奏する。例文帳に追加

The neutral solidifying material is used for solidification by contact or mix with carbonic acid in soil, and reduces harmful materials in soil, for example, heavy metals such as chromium, selenium and arsenic, nitrate nitrogen and nitrite nitrogen, and fluorine, boron and dioxins, and volatile organic compounds such as trichloroethylene and tetrachloroethylene, and further exhibits very excellent effects on reducing capacity of harmful materials. - 特許庁

例文

本発明の有害物質低減材は、水質や土壌中の有害物質、例えば、クロム、セレン、ヒ素等の重金属、硝酸態窒素や亜硝酸態窒素、フッ素、ホウ素、ダイオキシン類、ジクロロメタンやトリクロロエチレンやテトラクロロエチレン等の揮発性有機合物等多くの有害物質を低減することができ、しかもその能力が非常に大きい等の効果を奏する。例文帳に追加

The harmful substance-reducing material can reduce many harmful substances, for example, heavy metals such as chromium, selenium and arsenic, nitrate nitrogen, nitrite nitrogen, fluorine, boron, dioxins and volatile organic compounds such as dichloromethane, trichloroethylene and tetrachloroethylene, in water and soils, and exhibits effects such as a large reducing capacity. - 特許庁

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