共有結合半径の英語

第２部分２３には、シリコンの共有結合半径よりも小さい共有結合半径のボロンと、シリコンの共有結合半径よりも大きい共有結合半径のガリウムが混在していることを特徴としている。例文帳に追加

In the second part 23, there mixedly exist boron of covalent radius smaller than that of silicon, and gallium of the covalent radius greater than that of silicon. - 特許庁

半導体中に半導体原子５１の共有結合半径より大きな共有結合半径を有する第１の不純物６１と、半導体原子５１の共有結合半径より小さな共有結合半径を有する第２の不純物６２とを、半導体中に互いに隣接するように配置する。例文帳に追加

First impurities 61 having covalent bond radii larger than the covalent bond radius of a semiconductor atom 51, and second impurities 62 having covalent bond radii smaller than the covalent bond radius of the semiconductor atom 51, are arranged in a semiconductor adjacent to each other. - 特許庁

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。例文帳に追加

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device. - 特許庁

記録層材料が、 Ｓｂと Ｔｅと、 共有結合半径が１．５〜１．７でかつＳｂ又はＴｅに対する解離エネルギーが７０〜９５ｋｃａｌｍｏｌ^-1の元素からなることを特徴とする。例文帳に追加

The material of a recording layer consists of Sb, Te and an element whose covalent bond radius is 1.5 to 1.7, and the dissociation energy for Sb or Te is 70 to 95 kcalmol-1. - 特許庁

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。例文帳に追加

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency. - 特許庁