基板内に集積回路を形成する方法及び埋込回路例文帳に追加

METHOD FOR FORMING INTEGRATED CIRCUIT WITHIN SUBSTRATE, AND EMBEDDED CIRCUIT - 特許庁

埋め込まれたＤＲＡＭおよび論理装置を有する集積回路の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT HAVING EMBEDDED DRAM AND LOGICAL UNIT - 特許庁

磁性体から成る抗張体を埋設した積層帯の劣化診断方法例文帳に追加

METHOD OF DIAGNOSING DEGRADATION OF STACKED LAYER WITH EMBEDDED TENSION MEMBER CONSISTING OF MAGNETIC SUBSTANCE - 特許庁

簡単化プロセスで以て埋込みフラッシュ集積回路を製作する方法例文帳に追加

METHOD FOR FABRICATING EMBEDDED FLASH INTEGRATED CIRCUIT THROUGH SIMPLIFIED PROCESS - 特許庁

光ファイバ埋込繊維強化複合材積層板の製造方法及び光ファイバ埋込繊維強化複合材積層板例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL FIBER-EMBEDDED FIBER-REINFORCED COMPOSITE MATERIAL LAMINATED SHEET, AND OPTICAL FIBER-EMBEDDED FIBER-REINFORCED COMPOSITE MATERIAL LAMINATED SHEET - 特許庁

積層基板内部に埋め込み部品を形成する方法において、基板作製時に部品を内包することなく基板内部に各種部品を埋め込む。例文帳に追加

To bury various components in a multilayer substrate to form buried components in the substrate without involving the components when manufacturing the substrate in a method of forming the components in the substrate. - 特許庁

法定準備金という,有限会社や株式会社の損失埋め合わせ用の積立金例文帳に追加

the minimum amount of the deposits held by the bank or of the assets of a life insurance company required by law to be kept as reserves発音を聞く  - EDR日英対訳辞書

埋め込みシリコンゲルマニウム層をもつＣＭＯＳ集積回路素子及び基板とその製造方法例文帳に追加

CMOS INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT WITH BURIED SILICON GERMANIUM LAYER, SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

埋め込みチップ集積を容易にするチップ取り付け接着剤、並びに関連するシステム及び方法例文帳に追加

CHIP ATTACH ADHESIVE TO FACILITATE EMBEDDED CHIP BUILD UP, AND RELATED SYSTEM AND METHOD - 特許庁

積層構造に少なくとも部分的に埋設された微細ばね、および、その製造方法例文帳に追加

MICROSPRING AT LEAST PARTIALLY EMBEDDED IN LAMINATE STRUCTURE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

埋め込み型エネルギ蓄積装置に対する密閉された筐体の漏れを検出する方法例文帳に追加

DETECTION METHOD FOR LEAKAGE FROM SEALED CASES ATTACHED TO EMBEDDED ENERGY STORAGE SYSTEM - 特許庁

埋込接続を備えた微小集積構造、特に、ハードディスクドライブユニット用の集積マイクロアクチュエータを製造する方法例文帳に追加

METHOD TO MANUFACTURE FINE INTEGRATED STRUCTURE FURNISHED WITH BURIED CONNECTION, ESPECIALLY INTEGRATED MICRO ACTUATOR FOR HARD DISC DRIVE UNIT - 特許庁

埋立廃棄物層中に積極的に空気を供給して埋立廃棄物層内に好気的領域を形成し、かつ空気が固定的な経路を集中して流れることを防止する準好気性埋立処分場および埋立処分方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semi-aerobic reclaimed site in which an aerobic region is formed in a landfill waste layer by supplying air positively into the landfill waste layer and the convergent flow of air in a fixed pathway is prevented and a landfill method. - 特許庁

磁性体から成る抗張体を埋設した積層帯内の層間剥離の有無を診断し得る磁性体から成る抗張体を埋設した積層帯の劣化診断方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method of diagnosing degradation of a stacked layer with embedded a tension member consisting of a magnetic substance which can diagnose interlaminar peeling in the stacked layer with the embedded tension member consisting of the magnetic substance. - 特許庁

電極埋め込みシートとその製造方法、およびそれを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法例文帳に追加

ELECTRODE-EMBEDDED SHEET AND ITS PRODUCTION PROCESS, AND PROCESS FOR MANUFACTURING MULTILAYER CERAMIC CAPACITOR EMPLOYING IT - 特許庁

電極埋め込みセラミックグリーンシートとその製造方法およびそれを用いた積層セラミック電子部品の製造方法例文帳に追加

ELECTRODE-EMBEDDED CERAMIC GREEN SHEET, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC COMPONENT USING THE SAME - 特許庁

電極埋め込みセラミックグリーンシートおよびその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサの製造方法例文帳に追加

ELECTRODE-EMBEDDED CERAMIC GREEN SHEET, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING A LAMINATED CERAMICS CAPACITOR USING THE SAME - 特許庁

電子透かし埋込方法及び電子透かし検出方法及び電子透かし埋込装置、及び電子透かし検出装置、及び電子透かし埋込プログラムを格納した記憶媒体、及び電子透かし検出プログラムを格納した記憶媒体、及び電子透かしシステム及び集積回路例文帳に追加

METHOD FOR IMBEDDING AND DETECTING ELECTRONIC WATERMARK, DEVICE FOR IMBEDDING AND DETECTING ELECTRONIC WATERMARK, AND STORAGE MEDIUM WITH ELECTRONIC WATERMARK IMBEDDING AND DETECTION PROGRAM STORED THEREIN, AND ELECTRONIC WATERMARK SYSTEM AND INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁

本発明の目的は、埋め立て処理されていた積層板用プリプレグの再資源化方法を提供することにより、埋め立て処理量を減らし、環境にやさしいプリプレグ端材の粉砕方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide an environmentally soft method of pulverizing a prepreg end material by providing a recycling method of a prepreg for a laminated board which is conventionally reclaimed to reduce the reclamation quantity. - 特許庁

銅堆積の前の密着性およびトレンチ埋め込み特性を向上させるバリアメタル表面処理の方法例文帳に追加

METHOD OF BARRIER METAL SURFACE TREATMENT PRIOR TO CU DEPOSITION FOR IMPROVING WHICH ADHESION AND TRENCH FILLING CHARACTERISTICS - 特許庁

ＣＶＤ法により、第１の水素バリア層１２上の全面にスペーサ絶縁膜１３を容量素子１１を埋め込むように堆積する。例文帳に追加

A spacer insulating film 13 is deposited on the entire surface on a first hydrogen barrier layer 12 so as to embed the capacitive element 11 by a CVD method. - 特許庁

絶縁膜の埋め込み性が高く高集積化に適切に対応することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has high embedding property of an insulating film and can correspond to high integration appropriately, and its manufacturing method. - 特許庁

その後、この積層膜をＣｕ析出用の下地層として電解めっき法によってＣｕを形成し、配線用溝２をＣｕ膜６で埋め込む。例文帳に追加

With the laminated film as a base material layer for Cu deposition, a Cu is formed through electrolytic plating method, and the wiring channel 2 is embedded with a Cu film 6. - 特許庁

マイクロプロセッサコアとメモリコアを有する集積回路チップ内の埋込みアナログコアをテストする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for testing an embedded analog core in an integrated circuit chip having a microprocessor core and a memory core. - 特許庁

両基板間に高さの異なる電子部品を隙間無く埋め込むことのできる積層配線基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer wiring board in which electronic components differing in height can be embedded between both substrates without any gap, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

埋込み集積回路を減少した数のマスキング・レベルと改善エッチング・プロセスで以て製作する方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a method for fabricating an embedded integrated circuit, using decreased number of masking levels and an improved etching process. - 特許庁

各データパケットの完全性値を埋め込むデータ完全性スキームに従い、集積回路でデータパケットを伝送する方法および装置。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for transmitting data packets in an integrated circuit according to a data integrity scheme that embeds an integrity value in each data packet. - 特許庁

ＳＴＩ形成後における埋め込み酸化膜の体積膨張を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To restrain the cubical expansion of an embedded oxide film after STI has been formed. - 特許庁

高集積化、微細化されたホールやトレンチ等に銅メッキ層を埋め込んで配線を形成するメッキ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plating method to form wiring by embedding a copper plated layer to a highly integrated and ultraminiaturized hole and trench. - 特許庁

図１（ｂ）に示す工程では、スパッタ法により、基板上にドット体１０４を埋めるＳｉＯ_2膜を堆積する。例文帳に追加

In the process shown in Fig. 1 (b), an SiO_2 film wherein dot bodies 104 are buried is deposited on a substrate by a sputtering method. - 特許庁

デュアルダマシン法により形成された埋め込み配線を有する半導体集積回路装置の製造工程において、銅配線の接続部分での接続特性の信頼性の向上した埋め込み配線を形成する。例文帳に追加

To form a buried copper wiring layer having an improved reliability of a connection characteristic at the connected part of a copper wiring line in a process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having the buried wiring line formed by a dual damascene process. - 特許庁

下層配線とその接続孔内の埋め込み層との接触面積を一定にすることにより、埋め込み層と下層配線との接続抵抗のバラツキを小さくすることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To make the connection of a buried layer to a lower wiring uniform in resistance by a method wherein a contact area between the lower wiring layer and the buried layer inside a connection hole is kept constant. - 特許庁

デュアルダマシン法において、配線用の溝とビア用の孔とがオーバーラップする領域の面積が小さ過ぎると、上記溝および孔に銅を埋め込む際に埋設不良が起こってしまう。例文帳に追加

To solve the problem that in a dual damascene method, if an overlapping area between a trench for interconnection and a hole for a via is too small, embedding defects are caused when embedding the trench and the hole with copper. - 特許庁

積層基板の内部に埋め込み部品を形成する埋め込み部品製造方法において、積層基板に有底穴１を形成し、その有底穴１に導電性材料からなる電極２を形成した後に、部品形成材料を含む流動体を充填する。例文帳に追加

The method of forming a buried component in the multilayer substrate forms a bottom-closed hole 1 in the multilayer substrate, forms an electrode 2 made of a conductive material in the hole 1, and then fills it with a fluid containing a component forming material. - 特許庁

磁性体が埋設された積層構造体内に生じる層間剥離の有無及びその層間剥離の進展状態を診断し得る磁性体が埋設された積層構造体の劣化診断方法及び劣化診断装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for diagnosing the degradation of a laminated structure having an embedded magnetic object, capable of diagnosing the presence or absence of delamination and a progress state of the delamination occurring in the laminated structure having the embedded magnetic object. - 特許庁

半導体装置に識別コードをマーキングする装置及び方法であって、識別コードの凹凸部の高低差を埋めるように、識別コードの上から溝埋め材を塗布する、或いは前記識別コードを積層させて形成することを特徴とする、識別コードのマーキング装置及び方法。例文帳に追加

In a device and a method of marking an identification code on a semiconductor device, a groove filling material is applied over the identification code or the identification codes are laminated and formed in such a manner as to reduce height differences at the recessed/projected portion of the identification code. - 特許庁

積層金属配線の信頼性を保ちつつ層間絶縁膜の埋め込みが容易な集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which offers integrated circuit wiring easy in embedding an interlayer insulation film, while maintaining the reliability of multilayered metal wiring, and also to provide its manufacturing method. - 特許庁

次いで、電解メッキ法で金属層、例えば膜厚４５０ｎｍのＡｕ層３８をＴｉ／Ａｕ積層金属膜３６上に堆積させ、かつゲート開口３４を埋め込む。例文帳に追加

Then the metal film, for example 450 nm Au layer 38, is deposited on the Ti/Au laminate film 36 by means of electrolytic plating process, and a gate opening 34 is embedded. - 特許庁

その後、配線溝１１０中にＴａＮ膜１１１及びＣｕ膜１１２を堆積し、メッキ法によりＣｕ膜１１３を堆積し、配線溝１１０の内部を完全に埋め込む。例文帳に追加

Thereafter, a TaN film 111 and a Cu film 112 are deposited in the wiring trench 110, and a Cu film 113 is deposited by plating to be completely embedded in the wiring trench 110. - 特許庁

層状の複合物質を含み、磁性体から成る抗張体が埋設する積層帯の内部に生じる層間剥離の状況を診断することができる積層帯の診断方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diagnostic method for laminate belt, capable of diagnosing the state of interlayer peeling caused within a laminate belt containing a layered composite material and embedded with a tensile body composed of a magnetic body. - 特許庁

製鉄用原料を山積みしているヤード内に設置されたベルトコンベヤ５の埋没を、このベルトコンベヤ５の、山積みされた原料側に設置した擁壁４によって防止する方法である。例文帳に追加

In a method for preventing a belt conveyor in a yard from being buried, the belt conveyor 5 is installed in the yard in which raw material for steel making is piled up, preventing the belt conveyor 5 from being buried by a retaining wall 4 installed on the piled-up raw material side. - 特許庁

本発明に係る半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する製造方法は、下部電極を準備し、準備した下部電極を被覆するように、ＮおよびＣからなる群より選択される元素を含む半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を堆積する。例文帳に追加

In the method of manufacturing an EL element having a Si-insulating film with semiconductor nano-particles embedded, a lower electrode is prepared; and a Si-insulating film is deposited in which semiconductor nano-particles containing an element selected from a group consisting of N and C are embedded. - 特許庁

半導体基板のトレンチ分離構造のような高アスペクト比の凹部埋設方法において、流動性の層を凹部に堆積させて凹部のアスペクト比を低下させ、かつ凹部口の平坦部に前記流動性材料を存在させないようにし、続いて当該凹部に他の材料を埋設する。例文帳に追加

The method for burying the recess having a high aspect ratio such as a separated trench of a semiconductor substrate includes processes for depositing a fluid layer in the recess to decrease a high aspect ratio while preventing a fluid material from existing on a flat portion around a recess opening, and burying the recess with the other material. - 特許庁

ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。例文帳に追加

To prevent interfacial delamination between an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device where the buried wiring is formed in an interlayer dielectric containing the SiOF film by a damascene process. - 特許庁