広がり抵抗の英語

半導体素子２の発熱は、実装部材４内の高熱抵抗部Ｈ・Ｒにより直進方向の熱伝達が抑制され、ヒートシンク３へ熱伝達する過程で所要の広がり角度で拡散される。例文帳に追加

Transferring heat generated from the semiconductor device 2 in the advance direction is suppressed by the high-heat resistance part H-R in the mounting member 4, and the heat is diffused with a prescribed divergent angle in the process of transferring the heat to a heat sink. - 特許庁

そして、固定された試料の測定面１０１を研磨して試料内部の半導体接合面を露出させ、研磨された研磨面に対して広がり抵抗測定装置の端針７０３を接触させて濃度評価する。例文帳に追加

In order to evaluate the dopant concentration, the measurement plane 101 of the fixed test piece is polished to expose a semiconductor joint plane inside the test piece, and then a probe 703 of a spreading resistance measurement apparatus is brought into contact with the polished surface of the test piece, and then the dopant concentration is measured. - 特許庁

毛髪に柔軟性を付与することができるとともに、毛髪に周囲の水分変化に対する抵抗力を付与し、毛髪の水分変化による広がりを抑制することができる毛髪保護剤を提供する。例文帳に追加

To provide a hair-protecting agent which can impart flexibility to hair, give a force resistant to the moisture change of an environment to the hair, and control the spreading of the hair due to the change in the water content of the hair. - 特許庁

２次元電子ガス効果を有する電流分散層（６）の横方向の抵抗が小さいので、電流の広がりが生じ、光取り出し効率が向上する。例文帳に追加

Since a resistance in a transverse direction of the current diffusion layer (6) having the two dimensional electron gas effect is small, there occurs current broadening, and consequently the light extraction efficiency improves. - 特許庁

広がり角低減、高出力、および低抵抗の全てを両立してレーザ光の横モード制御を行う面発光型半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a vertical cavity surface-emitting semiconductor laser which can control the transversal mode of a laser beam while realizing compatibility among a reduced spread angle, a high output, and a low resistance. - 特許庁

この構成では断面積の大きい素線８が間に介在するため、断面積の小さい素線７間の距離が広がり近接作用による抵抗の増大を抑止できる。例文帳に追加

This constitution can avoid an increase in resistance due to proximity action as the intervention of the element wires 8 of large cross section increases the distance between the element wires 7 of small cross section. - 特許庁

デュアル半導体装置において、整流動作時における空乏層の広がりを抑制してリーク電流の増加を防止し、以って両ベース領域間の間隔をより小さく設定可能として、全体の導通抵抗の低減化を図る。例文帳に追加

To reduce the whole conductor resistance by preventing the leakage current from increasing by suppressing the spread of a depletion layer upon rectification in a dual semiconductor device, and making the interval between both base regions smaller. - 特許庁

超格子構造のｐ型窒化物半導体層における積層方向のバンドオフセットによる高抵抗化を抑制し、また、二次元ホールガス層の影響による横方向への大きな電流広がりを抑制して、抵抗率の方向依存性を小さくし、動作特性の良好な信頼性の高い窒化物半導体発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor light-emitting device which has excellent operation characteristics and is highly reliable by making small the direction dependency of resistivity by suppressing an increase in resistance due to a band offset in a laminating direction of a p-type nitride semiconductor layer of a superlattice structure and also by suppressing large current spreading in a lateral direction due to an influence of a two-dimensional hole gas layer. - 特許庁