起程点の英語

グリーンシートにフィルム表面突起由来のピンホール等の欠点を発生させず、かつ製造工程や加工工程で発生する傷や削れに起因するグリーンシートの欠点の発生を抑制することができる離型ポリエステルフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a mold releasing polyester film wherein defects such a pinhole and the like derived from a film surface projection are not generated in a green sheet, and generation of defects of the green sheet caused by flaws and a working process can be suppressed. - 特許庁

また、基板上に形成したアルミニウム合金に所定の間隔で陽極酸化の開始点を形成する工程と、該開始点を起点として陽極酸化により孔を形成する工程と、を有した孔を有した構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for manufacturing the structure having the pores comprises the steps of: forming initiation points for anodic oxidation at predetermined intervals on an aluminum alloy formed on a substrate; and forming the pores by the anodic oxidation starting from the initiation points. - 特許庁

この結果、爆発行程（膨張行程）において、燃焼室１３内の複数個所を起点として火炎が拡がるため、実質的な燃焼速度が上がり、ノッキングが発生する前に燃焼を完了することができる。例文帳に追加

As a result, in an explosion stroke (an expansion stroke), flames are propagated from a plurality of places as starting points into the combustion chamber 13 and thus, a substantial combustion speed is increased, resulting in combustion completed before knocking occurs. - 特許庁

その後の高融点金属膜形成工程,シリサイド形成工程により、多結晶シリコン制御ゲート７上に形成されたＣｏＳｉ_２は、ゲート酸化膜４に向う突起を有さず平坦な膜となる。例文帳に追加

Through subsequent high fusing point metal film formation and silicide formation steps, CoSi_2 formed on the polycrystalline silicon control gate 7 is made into a flat film without including any projection toward a gate oxide film 4. - 特許庁

そして、地図の縮尺から実距離Ｌｒを算出して起点側最寄の地上設備のキロ程に加算し、車両位置のキロ程を算出する。例文帳に追加

The real distance Lr is calculated from the scale size of the map, and added to the mileage of the ground installation closest to the starting point side to calculate the distance of the vehicle position. - 特許庁

そして、地図の縮尺から実距離Ｌｒを算出して起点側最寄の地上設備のキロ程に加算し、車両位置のキロ程を算出する。例文帳に追加

The actual distance Lr is calculated from the reduced scale of the map and added to the mileage of the nearest ground facility on the start point side, and the mileage of the vehicle position is calculated. - 特許庁

基板１０上に、第１工程において露出していた基板部分（領域Ｂ）を成長起点として窒化物半導体１４を成長させる（第３工程）。例文帳に追加

The nitride semiconductor 14 is made to start growing from the exposed region (region B) of the substrate which is provided in the first process and serves as a starting point (third process). - 特許庁

可動接点に対向する固定接点３１の一方の表面に複数の突起部３１ｂを設けるために大規模な生産設備を使用する必要がなく、製造工程の簡素化が可能なモータ通電用スイッチを提供する。例文帳に追加

To provide a switch for switching on a motor, requiring no large-scale production facility to provide a plurality of protrusions 31b on one surface of a stationary contact 31 facing a movable contact to enable simplification of a manufacturing process. - 特許庁