銀単結晶の英語

薄膜光電変換装置１は、透明基板２と、この透明基板２上に形成された透明前面電極層３と、この透明電極層３上に形成された非単結晶シリコン系光電変換ユニット４と、この非単結晶シリコン系光電変換ユニット４上に形成された銀系裏面電極層５と、銀系裏面電極層５上に形成された裏面電極保護層６とを具備する。例文帳に追加

This device 1 is provided with a transparent substrate 2, a transparent front electrode layer 3 formed on the transparent substrate 2, a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4 formed on the electrode 3, a silver base rear electrode layer 5 formed on the a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4, and a rear electrode protective layer 6 formed on the silver base rear electrode layer 5. - 特許庁

この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、ｎ型単結晶シリコン基板１を接触させることにより、通電を行うことなく、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に凹凸形状１ａを形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application. - 特許庁

Ｎ型の不純物をドーピングしたシリコン単結晶ウエハの表裏面にニッケル／銀合金からなる金属電極２、２を形成してシリコン抵抗体１を得る。例文帳に追加

A silicon resistor 1 is obtained by forming metal electrodes 2 and 2, consisting of a nickel/silver alloy on the front and the back surfaces of a silicon single-crystal wafer to which an N-type impurity is doped in this chip resistor. - 特許庁

単結晶基板１は、主成分がシリコンからなり、＜１００＞方向に孔３が形成されており、その孔の底に銀粒子及び／又はパラジウム粒子が存在し、孔径／粒子径の比が１以上２以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In this single-crystal substrate 1, a main constituent of silicon, holes 3 are formed in the <100> direction, silver particles and/or palladium particles exist in the bottoms of the holes, and the ratios of the hole diameters to the particle diameters are 1 to 2. - 特許庁

このようにして得られる銀粒子は、［粒子径の標準偏差σ_D］／Ｄ_TEM×１００で表されるＣＶ値が１５％以下の粒度分布を有し、Ｄ_TEM／Ｄ_Xで表される単結晶化度は例えば２.０以下である。例文帳に追加

The silver particles obtained in the manner described above have a grain size distribution of ≤15% in CV value expressed by the standard deviation [standard deviation δD of particle diameter]/D_TEMx100 and the degree of single crystallization expressed by D_TEM/D_X is, for example, ≤2.0. - 特許庁

電極先端部を単一の結晶で構成し、放電時の輝点割れが起こらない放電ランプ装置用水銀フリーアークチューブを提供する。例文帳に追加

To provide a mercury-free arc tube for discharge lamp device in which the electrode tip part is constructed of a single crystal and breakage of luminescent spot at the time of discharge does not happen. - 特許庁

身分証明カードや銀行カード等の単層あるいは多層型データ媒体であって、少なくとも一つのプラスチック層を備え、当該プラスチック層を熱で再結晶しないポリエステル、特には再結晶しないポリエチレンテレフタレート、で構成し、当該プラスチック層の体積中の少なくとも部分的な領域にアンチブロッキング剤を含めたことを特徴とするデータ媒体。例文帳に追加

The single layer or multilayer-type data carrier used for an identification card, a banking card, or the like is provided with at least one plastic layer which is constituted of a polyester not recrystallizable with heat, particularly non-recrystallizing polyethylene terephthalate, where an antiblocking agent is incorporated in at least partial area in the volume of the plastic layer. - 特許庁

直角二等辺三角形プリズム本体２１の斜面２１ａに透光性ガラス基板２２が配置されており、透光性ガラス基板２２上に１１１方位の金または銀の単結晶からなる金属薄膜２３−１，２３−２，２３−３が付されている。例文帳に追加

A light transmitting glass substrate 22 is arranged on the slope 21a of a right-angled isosceles triangle prism body 21 and metal membranes 23-1, 23-2 and 23-3 made of a single crystal of gold or silver of a 111 orientation are applied to the surface of the light-transmitting glass substrate 22. - 特許庁