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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 銀単結晶に関連した英語例文

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銀単結晶の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 16



例文

結晶組織は結晶化しており、その結晶粒の大きさは、導電率106[%]以下の4N材よりも粗大化し、且つ、4N材に比べて位体積あたりの結晶粒界密度が少い。例文帳に追加

The recrystallized structure is crystallized into a single crystal, wherein the size of the crystal grains is coarsened to a size larger than in a 4N silver material having an electrical conductivity of 106 (%) or less, and the grain boundary density per unit volume is lower than that of the 4N silver material. - 特許庁

シリコン結晶ウェーハの表面に酸化珪素膜を堆積させ、該酸化珪素膜上に水電極を接合してC−V特性を測定することを特徴とするシリコン結晶ウェーハの評価方法。例文帳に追加

The method for evaluating a silicon single crystal wafer includes: depositing a silicon oxide film on a surface of the silicon single crystal wafer; and measuring C-V characteristics by bonding a mercury electrode on the silicon oxide film. - 特許庁

エピタキシャル成長層3を転写用基板4に接着し、結晶基板1の裏面からレーザ光,水灯の輝線などの光を照射して、エピタキシャル成長層3と結晶基板1とを互いに分離する。例文帳に追加

The epitaxial growth layer 3 is adhered to a substrate 4 for transfer, and light such as laser light, emission lines of a mercury lamp, or the like is irradiated from the backside of the single crystal substrate 1 to separate the epitaxial growth layer 3 from the single crystal substrate 1. - 特許庁

厚さ2.5μmのMe−PTCの極薄結晶6が2枚の電極8a,8bでサンドイッチされている。例文帳に追加

A Me-PTC super-thin single crystal 6 which is 2.5 μm thick is sandwiched by two silver electrode 8a and 8b. - 特許庁

例文

段差を設けたガラス基板1上に非晶質シリコン薄膜を形成し、高圧水ランプ光を照射して段差をシードとするグラフォエピタキシャル成長を起こさせて多結晶または結晶シリコン薄膜4を形成し、これを用いて多結晶または結晶シリコンTFTQ_1 〜Q_n を形成する。例文帳に追加

A thin amorphous silicon film is formed on a glass substrate 1 having a level difference and irradiated with light from a high pressure mercury lamp to cause graphoepitaxial growth using the level difference as a seed thus forming a polycrystal or single crystal silicon thin film 4 which is then used for forming polycrystal or single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n. - 特許庁


例文

ハロゲン化の安定な平板状種結晶を形成させる第1の一の核形成工程、および第1の工程で得られる別個のバッチの種結晶を生長させて、同一のあるいは異なる乳剤を得る第2の工程からなる、写真用ハロゲン化平板状粒子乳剤の調製方法。例文帳に追加

The method for preparing a photographic silver halide tabular grain emulsion comprises a first individual nucleus forming step in which stable tabular seed crystals of silver halide are formed and a second step in which seed crystals of separate batches obtained in the first step are grown to obtain the same emulsion or different emulsions. - 特許庁

また、結晶基板1は、主成分がシリコンからなる結晶基板であって、孔径10〜200nm、螺旋径100〜600nmの螺旋状の孔が形成されており、その孔の底に、白金及びパラジウムのうちから選ばれる一種以上の金属の微粒子が存在することを特徴とする。例文帳に追加

In the single-crystal substrate 1, a main constituent is silicon, spiral holes each having a hole diameter of 10-200 nm and a spire diameter of 100-600 nm are formed, and a fine particle of one or more kinds of metals selected from among silver, platinum and palladium is present in the bottom of each hole. - 特許庁

薄膜光電変換装置1は、透明基板2と、この透明基板2上に形成された透明前面電極層3と、この透明電極層3上に形成された非結晶シリコン系光電変換ユニット4と、この非結晶シリコン系光電変換ユニット4上に形成された系裏面電極層5と、系裏面電極層5上に形成された裏面電極保護層6とを具備する。例文帳に追加

This device 1 is provided with a transparent substrate 2, a transparent front electrode layer 3 formed on the transparent substrate 2, a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4 formed on the electrode 3, a silver base rear electrode layer 5 formed on the a non-single-crystal silicon photoelectric transfer unit 4, and a rear electrode protective layer 6 formed on the silver base rear electrode layer 5. - 特許庁

この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、を溶解させる工程と、が溶解された電解液に、n型結晶シリコン基板1を接触させることにより、通電を行うことなく、n型結晶シリコン基板1の表面に凹凸形状1aを形成する工程とを備えている。例文帳に追加

The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application. - 特許庁

例文

N型の不純物をドーピングしたシリコン結晶ウエハの表裏面にニッケル/合金からなる金属電極2、2を形成してシリコン抵抗体1を得る。例文帳に追加

A silicon resistor 1 is obtained by forming metal electrodes 2 and 2, consisting of a nickel/silver alloy on the front and the back surfaces of a silicon single-crystal wafer to which an N-type impurity is doped in this chip resistor. - 特許庁

例文

結晶基板1は、主成分がシリコンからなり、<100>方向に孔3が形成されており、その孔の底に粒子及び/又はパラジウム粒子が存在し、孔径/粒子径の比が1以上2以下であることを特徴とする。例文帳に追加

In this single-crystal substrate 1, a main constituent of silicon, holes 3 are formed in the <100> direction, silver particles and/or palladium particles exist in the bottoms of the holes, and the ratios of the hole diameters to the particle diameters are 1 to 2. - 特許庁

このようにして得られる粒子は、[粒子径の標準偏差σ_D]/D_TEM×100で表されるCV値が15%以下の粒度分布を有し、D_TEM/D_Xで表される結晶化度は例えば2.0以下である。例文帳に追加

The silver particles obtained in the manner described above have a grain size distribution of15% in CV value expressed by the standard deviation [standard deviation δD of particle diameter]/D_TEMx100 and the degree of single crystallization expressed by D_TEM/D_X is, for example, ≤2.0. - 特許庁

電極先端部を一の結晶で構成し、放電時の輝点割れが起こらない放電ランプ装置用水フリーアークチューブを提供する。例文帳に追加

To provide a mercury-free arc tube for discharge lamp device in which the electrode tip part is constructed of a single crystal and breakage of luminescent spot at the time of discharge does not happen. - 特許庁

身分証明カードや行カード等の層あるいは多層型データ媒体であって、少なくとも一つのプラスチック層を備え、当該プラスチック層を熱で再結晶しないポリエステル、特には再結晶しないポリエチレンテレフタレート、で構成し、当該プラスチック層の体積中の少なくとも部分的な領域にアンチブロッキング剤を含めたことを特徴とするデータ媒体。例文帳に追加

The single layer or multilayer-type data carrier used for an identification card, a banking card, or the like is provided with at least one plastic layer which is constituted of a polyester not recrystallizable with heat, particularly non-recrystallizing polyethylene terephthalate, where an antiblocking agent is incorporated in at least partial area in the volume of the plastic layer. - 特許庁

直角二等辺三角形プリズム本体21の斜面21aに透光性ガラス基板22が配置されており、透光性ガラス基板22上に111方位の金または結晶からなる金属薄膜23−1,23−2,23−3が付されている。例文帳に追加

A light transmitting glass substrate 22 is arranged on the slope 21a of a right-angled isosceles triangle prism body 21 and metal membranes 23-1, 23-2 and 23-3 made of a single crystal of gold or silver of a 111 orientation are applied to the surface of the light-transmitting glass substrate 22. - 特許庁

例文

ガラス管の両端開口部がピンチシールされて、少なくとも主発光用金属ハロゲン化物を希ガスとともに封入し電極棒14を対設した密閉ガラス球12を備えた水フリーアークチューブ10で、電極棒14の密閉ガラス球12内に突出する領域の先端部を一の結晶C10で構成した。例文帳に追加

The mercury-free arc tube 10 has a closely sealed glass bulb 12 in which both end opening parts of a glass tube are pinch-sealed and at least metal halide for main luminescence is filled together with a noble gas, and electrode rods 14 are installed oppositely, and the tip part of the electrode rods 14 in the region projecting into the sealed glass bulb 12 is constructed of a single crystal C10. - 特許庁

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