C-BPとは 意味・読み方・使い方

A c-BP film is formed as a buffer layer on the Si substrate, and a film of 3C-SiC or c-GaN is epitaxially grown on the buffer layer to manufacture a semiconductor.例文帳に追加

Ｓｉ基板にｃ−ＢＰの膜をバッファー層として成形し、そのバッファー層の上に３Ｃ−ＳｉＣ又はｃ−ＧａＮをエピタキシャル成長させて、半導体を製造する。 - 特許庁

Further, a 3C-SiC or GaN growing raw material gas is supplied to the surface of the c-BP layer to form the 3C-SiC or GaN layer.例文帳に追加

さらに、そのｃ−ＢＰ層の表面に３Ｃ−ＳｉＣ又はＧａＮ成長用原料ガスを流して、３Ｃ−ＳｉＣ層又はＧａＮ層を形成する。 - 特許庁

For example, actuation for retraction to a simulator piston is regulated by a C-ring CR to the position of the simulator piston SP to the piston member as the retraction limit when a brake operation member (BP) is not operated.例文帳に追加

例えばＣリングＣＲにより、ブレーキ操作部材（ＢＰ）の非操作時におけるシミュレータピストンＳＰのピストン部材に対する位置を後退限度として、シミュレータピストンの後退作動を規制する。 - 特許庁

In the diamond semiconductor, a single-crystal diamond film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 100 nm to 3 μm and a single-crystal c-BN layer 4 having a thickness of about 5-80 nm in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ１００ｎｍ〜３μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ５〜８０ｎｍ程度のｃ−ＢＮ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のダイヤモンド単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

In the GaN semiconductor, a single-crystal c-GaN film 5 having a thickness of about 1-10 μm is formed on a single-crystal Si substrate 1 through a single-crystal c-BP layer 3 having a thickness of about 50 nm to 1 μm and a single-crystal GaP layer 4 having a thickness of about 1-10 nm in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板１上に厚さ５０ｎｍ〜１μｍ程度のｃ−ＢＰ単結晶層３及び厚さ１〜１０ｎｍ程度のＧａＰ単結晶層４を順に介在して厚さ１〜１０μｍ程度のｃ−ＧａＮ単結晶膜５が形成されている。 - 特許庁

On an Si single-crystal substrate 2, a 3C-SiC single-crystal film 6 is formed with a c-BP single-crystal layer 4 and a 3C-SiC single-crystal layer 5 made of a carbonized Si single-crystal layer 5', which are formed on the Si single-crystal substrate 2 interposed in this order.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上にｃ−ＢＰ単結晶層４及びＳｉ単結晶層５′を炭化した３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層５をこの順で介在して３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜６が形成されている。 - 特許庁

When a high resistance boron phosphate (BP) layer is formed directly on a crystal substrate with the aid of gas phase growing means, the high resistance boron phosphate layer is formed by keeping temperature of the crystal substrate in a range of from 1000 °C or higher to 1200 °C or lower, and doping magnesium (Mg) is added into the boron phosphate layer exhibiting p-type conductivity in an undoped state.例文帳に追加

高抵抗のリン化硼素（ＢＰ）層を気相成長手段に依り、結晶基板上に直接形成する際に、結晶基板の温度を１０００℃以上１２００℃以下の範囲に保持して、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）の状態でｐ形の伝導性を呈するリン化硼素層に、マグネシウム（Ｍｇ）を添加して高抵抗のリン化硼素層を形成する。 - 特許庁

A 3C-SiC single crystal layer 3 having a thickness of 1 nm to 10 μm is formed on the Si single crystal substrate 2, and a C-BP single crystal layer 4 having a thickness of 1 nm to 10 μm and a compound semiconductor single crystal layer 5 having a thickness of 1 nm to 500 μm are formed in order on the 3C-SiC single crystal layer.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板２上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層３が形成され、この３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層上に厚さ１ｎｍ〜１０μｍのＣ−ＢＰ単結晶層４及び厚さ１ｎｍ〜５００μｍの化合物半導体単結晶層５がこの順で形成されている。 - 特許庁