F. A. Dryとは 意味・読み方・使い方

Further, the SiO_2 layer 22 is dry-etched using a gas containing a fluorocarbon-based gas having a high C/F ratio, so that the through via 31 penetrates the SiO_2 layer 22.例文帳に追加

さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO_2層２２をエッチングし、それによって貫通ビア３１がSiO_2層２２を貫通する。 - 特許庁

This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.例文帳に追加

パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはＣ／Ｆ値（フッ素化合物中のＣ元素とＦ元素との原子数の比）が０．５より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁

When a chuck device 1 having a plurality of claw parts 10 is used, and the claw parts 10 are brought into contact with the peripheral surface 89 of the dry honeycomb structure 8, the direction of press force F from the claw parts to the dry honeycomb structure 8 is made substantially parallel with the partition wall 81.例文帳に追加

複数の爪部１０を有するチャック装置１を用い，複数の爪部１０を乾燥ハニカム構造体８の外周面８９に当接させる際に，爪部から乾燥ハニカム構造体８への押圧力Ｆの方向が隔壁８１と実質的に平行となるように行う。 - 特許庁

In a part of a plate member 200, the material for a semiconductor package, which is to be formed with a cavity, a film-holding section 203 for holding a dry film F is formed.例文帳に追加

半導体パッケージの材料となる板部材２００のキャビティが形成される位置にはドライフィルムＦを保持するためのフィルム保持部２０３が形成される。 - 特許庁

To provide a powder paint for a waterline material prepared by using a bisphenol-F type solid epoxy resin and having a good dry paint film property and to provide a waterline material using the same.例文帳に追加

ビスフェノールＦ型固形エポキシ樹脂を使用した水道資材用粉体塗料に関し、良好な塗膜物性を持った粉体塗料及びその粉体塗料を使用して得られた水道資材を提供する。 - 特許庁

In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.例文帳に追加

そして、ｎ型ＳｉＣｚ層エッチング工程では、Ｆを含有するガスとＯを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりｎ型ＳｉＣ層がエッチングされる。 - 特許庁

A first copper thin film is formed on one surface of the organic resin film F with film forming means 11, 12 by the dry-type plating method, and a different metal thin film is formed on the surface of the first copper thin film with a film forming means 13.例文帳に追加

有機樹脂フィルムＦのいずれか片方の面に乾式めっき法での成膜手段１１、１２により第１の銅薄膜を成膜し、この第１の銅薄膜の表面に成膜手段１３により異種金属薄膜を成膜する。 - 特許庁

An antioxidant film 3 and a pad oxide film 2 are removed by dry etching or the like in a step (d), and the pad oxide film 2 is made to retreat, and the exposed part of a silicon substrate 1 is removed through an isotropic etching method in steps (e) and (f).例文帳に追加

（ｄ）にて酸化防止膜３、パット酸化膜２をドライエッチング等により除去し、（ｅ）、（ｆ）にてパット酸化膜２を後退させ等方性エッチング法を用いて露出したシリコン基板１を除去する。 - 特許庁