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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 百科事典 > F. A. Dryの意味・解説 

F. A. Dryとは

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ウィキペディア英語版での「F. A. Dry」の意味

F. A. Dry

出典:『Wikipedia』 (2011/07/02 19:46 UTC 版)

英語による解説
ウィキペディア英語版からの引用


「F. A. Dry」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 27



例文

Advantageously, the matrix has a glass transition temperature of at least 250°F dry, the resin has a pre-hardening mixed viscosity of 500-1500 cP at 75°F, and the composite material has, upon hardening, an interlaminar shear strength of at least 6.5 ksi dry at 75°F and at least 3.5 ksi dry at 250°F.例文帳に追加

有利なことには、マトリックスは、乾燥状態で少なくとも250°Fのガラス転移温度を有し、樹脂は、75°Fにおいて500〜1500cPの予硬化混合粘性を有し、複合材料は、硬化時に、75°Fにおいて乾燥状態で少なくとも6.5ksi、および250°Fにおいて乾燥状態で少なくとも3.5ksiの層間剪断強度を有する。 - 特許庁

The method for recording characteristically includes a first dry process to evaporate 50 to 85 wt.% of ink injected on the medium (F) to be recorded and a second dry process to be conducted at a lower side of the feeding direction of the medium (F) to be recorded than the first dry process.例文帳に追加

インクが噴射された被記録媒体(F)に対してインクを50〜85重量%蒸発させる第1乾燥工程と、該第1乾燥工程より被記録媒体の送り方向下流側で行う第2乾燥工程と、を行うことを特徴とする。 - 特許庁

A photomask substrate 11 has, on one principal face, a metal film as a light shielding layer 12 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) but can be etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) and by fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

フォトマスク基板11の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング((Cl+O)系ドライエッチング)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング(Cl系ドライエッチング)およびフッ素系ドライエッチング(F系ドライエッチング)でエッチングが可能な金属膜が遮光層12として備えられている。 - 特許庁

Further, the substrate has, on the above light shielding layer 12, a metal compound film as an antireflection layer 13 which can not be substantially etched by chlorine-based dry etching containing no oxygen (Cl-based dry etching) but can be etched by at least one of chlorine-based dry etching containing oxygen ((Cl+O)-based dry etching) and fluorine-based dry etching (F-based dry etching).例文帳に追加

そしてこの遮光層12の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)あるいはフッ素系ドライエッチング(F系)の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層13として備えられている。 - 特許庁

The second light-shieldable film 14 is a film that mainly comprises a silicon-containing compound and that can be etched by F-based dry etching.例文帳に追加

また、第2の遮光性膜14はF系ドライエッチングが可能な珪素含有化合物を主成分とする膜である。 - 特許庁

Waste f supplied to a pyrolysis drum 1 is indirectly heated to form dry distillation gas m and pyrolysis residue n.例文帳に追加

熱分解ドラム1に供給した廃棄物fを間接加熱して乾留ガスmと熱分解残渣nを生成する。 - 特許庁

例文

A conductive face emitting no gas is formed on the side face of the panel P and the frame F touching clean dry air.例文帳に追加

これらのパネル(P)とフレ−ム枠(F)のクリ−ンドライエアに接する側面を、導電性を有し、放出ガスを生じない面に形成する。 - 特許庁

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「F. A. Dry」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 27



例文

Further, the SiO_2 layer 22 is dry-etched using a gas containing a fluorocarbon-based gas having a high C/F ratio, so that the through via 31 penetrates the SiO_2 layer 22.例文帳に追加

さらに、高C/F比のフルオロカーボン系ガスを含むガスを使用したドライエッチングによりSiO_2層22をエッチングし、それによって貫通ビア31がSiO_2層22を貫通する。 - 特許庁

This gas for dry etching that is used, when performing the dry etching of a body to be etched with a resist film that is subjected to patterning as a mask containing a fluorine compound, where a C/F value (the ratio of the number of atoms between C and F elements in the fluorine compound) is larger than 0.5.例文帳に追加

パターニングされたレジスト膜をマスクとして被エッチング体をドライエッチングする際に用いられるドライエッチング用ガスであって、前記ドライエッチング用ガスはC/F値(フッ素化合物中のC元素とF元素との原子数の比)が0.5より大きいフッ素化合物を含むことを特徴とするドライエッチング用ガス。 - 特許庁

When a chuck device 1 having a plurality of claw parts 10 is used, and the claw parts 10 are brought into contact with the peripheral surface 89 of the dry honeycomb structure 8, the direction of press force F from the claw parts to the dry honeycomb structure 8 is made substantially parallel with the partition wall 81.例文帳に追加

複数の爪部10を有するチャック装置1を用い,複数の爪部10を乾燥ハニカム構造体8の外周面89に当接させる際に,爪部から乾燥ハニカム構造体8への押圧力Fの方向が隔壁81と実質的に平行となるように行う。 - 特許庁

In a part of a plate member 200, the material for a semiconductor package, which is to be formed with a cavity, a film-holding section 203 for holding a dry film F is formed.例文帳に追加

半導体パッケージの材料となる板部材200のキャビティが形成される位置にはドライフィルムFを保持するためのフィルム保持部203が形成される。 - 特許庁

To provide a powder paint for a waterline material prepared by using a bisphenol-F type solid epoxy resin and having a good dry paint film property and to provide a waterline material using the same.例文帳に追加

ビスフェノールF型固形エポキシ樹脂を使用した水道資材用粉体塗料に関し、良好な塗膜物性を持った粉体塗料及びその粉体塗料を使用して得られた水道資材を提供する。 - 特許庁

In an n-type SiCz layer etching step, the n-type SiC layer is etched through dry etching using a mixed gas comprising a gas containing F and a gas containing O.例文帳に追加

そして、n型SiCz層エッチング工程では、Fを含有するガスとOを含有するガスとを含む混合ガスを用いたドライエッチングによりn型SiC層がエッチングされる。 - 特許庁

A first copper thin film is formed on one surface of the organic resin film F with film forming means 11, 12 by the dry-type plating method, and a different metal thin film is formed on the surface of the first copper thin film with a film forming means 13.例文帳に追加

有機樹脂フィルムFのいずれか片方の面に乾式めっき法での成膜手段11、12により第1の銅薄膜を成膜し、この第1の銅薄膜の表面に成膜手段13により異種金属薄膜を成膜する。 - 特許庁

例文

An antioxidant film 3 and a pad oxide film 2 are removed by dry etching or the like in a step (d), and the pad oxide film 2 is made to retreat, and the exposed part of a silicon substrate 1 is removed through an isotropic etching method in steps (e) and (f).例文帳に追加

(d)にて酸化防止膜3、パット酸化膜2をドライエッチング等により除去し、(e)、(f)にてパット酸化膜2を後退させ等方性エッチング法を用いて露出したシリコン基板1を除去する。 - 特許庁

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