Ga-Seとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF CU-IN-GA-SE-BASED QUATERNARY ALLOY例文帳に追加

Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

To form a light absorbing layer of a chalcopyrite-type solar cell as a homogeneous Cu(In, Ga)-Se layer.例文帳に追加

カルコパイライト型太陽電池の光吸収層を、均質なＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ層として形成する。 - 特許庁

The ratio of a group III element to group VI element is 2:3.例文帳に追加

また、In-Ga-Se化合物ターゲット21に含まれるIII族元素対VI族元素の比を２：３とする。 - 特許庁

To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁

A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加

成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁

The powder containing elements Cu, In, Ga and Se is characterized by containing a Cu-In-Ga-Se based compound and/or a Cu-In-Se based compound in an amount of ≥60 mass% in total.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末であって、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ系化合物および／またはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ系化合物を、合計で６０質量％以上含有することを特徴とする粉末である。 - 特許庁

Most of danjiri that advocate teuchi perform '"u chimasho" (let's clap) don, don, "mohitotsu se" (do another one) don, don, "iwo te sando" (celebrate three times) dodon ga don.'発音を聞く 例文帳に追加

手打ちを標榜している地車のほとんどは、「『打ーちましょ』ドンドン、『も一つせ』ドンドン、『祝ぉて三度』ドドンがドン、」とする。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

From a paste of the chalcogen compound powder, a thin film containing Cu, In, Ga and Se and having a low resistance can be obtained.例文帳に追加

カルコゲン化合物粉のペーストによりＣｕ・Ｉｎ・Ｇａ・Ｓｅを含み低抵抗の薄膜を得られる。 - 特許庁