IK onとは 意味・読み方・使い方

Electromagnetic radiation curing ink IK is applied to a recording medium and irradiated with electromagnetic radiation thus curing the ink IK tightly on the recording medium.例文帳に追加

記録媒体に電磁輻射線により硬化するインクＩＫを付着させ、電磁輻射線を照射してインクＩＫを硬化密着させる記録装置に適用する。 - 特許庁

Consequently, ink IK does not reach the opening 62 provided with a water repellent film 63 even under a state shown on the figure where the recorder is turned sideways.例文帳に追加

したがって、装置が横転された図に示された状態になされてもインクＩＫが、撥水膜６３を備えた大気連通口６２に到達することはない。 - 特許庁

The image forming apparatus 100 has press rollers 106 and receiving rollers 103 in a pair on a suction holding device 102 for supporting a recording medium WK and between an ink head 107 for ejecting ultraviolet curable ink IK onto the recording medium WK and a UV light source 110 irradiating the ultraviolet curable ink IK with ultraviolet.例文帳に追加

画像形成装置１００は、記録メディアＷＫを支持する吸着保持装置１０２上に、記録メディアＷＫに対して紫外線硬化型インクＩＫを吐出するインクヘッド１０７と同紫外線硬化型インクＩＫに紫外線を照射するＵＶ光源１１０との間に、一対の押圧ローラ１０６と受けローラ１０３とを備えている。 - 特許庁

Then, inspection current Ik is supplied to each of the signal output wiring 13a1-13aj via the short pattern B in the state in which the IC 12 for the data line drive circuit is mounted on the flexible printed circuit board 25, and whether the inspection current Ik is caused to flow to the signal output wiring 13a1-13aj is judged by a galvanometer 26.例文帳に追加

そして、フレキシブルプリント回路基板２５上にデータ線駆動回路用ＩＣ１２を実装した状態で、ショートパターンＢを介して各信号出力配線１３a1〜１３ajに検査電流Ｉｋを供給し、検流計２６によって検査電流Ｉｋが信号出力配線１３a1〜１３ajに流れたか否かを判断するようにした。 - 特許庁

Parallel electron beams ESW passing the aperture of an electron gun arranged in a measurement device are made to radiate in the shape of shower on the surface of a semiconductor wafer, and substrate current Ik is generated with this radiation.例文帳に追加

測定装置に配置された電子銃のアパーチャを通過した平行電子線ＥＳＷは、シャワー状に半導体ウエハの表面に照射され、この照射に伴って基板電流Ｉｋが発生する。 - 特許庁

In the radiation region of the parallel electron beams ESW, a plurality of resist patterns REG1(1)-REG(4) which correspond to a plurality of gate electrodes in which variation of dimensions may be generated are contained, the variation of each dimension of the plurality of resist patterns is reflected on the substrate current Ik.例文帳に追加

平行電子線ＥＳＷの照射領域には、寸法のバラツキが発生し得る複数のゲート電極に対応する複数のレジストパターンＲＥＧ１（１）〜ＲＥＧ（４）が含まれ、この複数のレジストパターンの各寸法のバラツキが基板電流Ｉｋに反映される。 - 特許庁

Then. on the basis of the process which repeats convolution integration or the result, the value of a parameter σ is specified (S5) under the condition that light intensity level difference is measured which becomes small enough in two or more positions of optical image Ik corresponding to two or more parts in which a resist size W.例文帳に追加

このとき畳み込み積分を繰り返す過程または結果から、レジスト寸法Ｗが測定されている複数の箇所に対応した光学像Ｉｋの複数の位置で光強度レベル差が十分小さくなるパラメータσを特定する（Ｓ５）。 - 特許庁