K leftとは 意味・読み方・使い方

The right and left side plates 102 and 104 have a thermal conductivity of 10(W/m K) or greater.例文帳に追加

右側板１０２及び左側板１０４は、熱伝導率が１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上である。 - 特許庁

An upper electrode electrically connected with the magnetoresistive film is formed on the magnetoresistive film left in the area where the reproduction element is to be disposed (k).例文帳に追加

(k)再生素子を配置すべき領域に残っている磁気抵抗効果膜の上に、該磁気抵抗効果膜と電気的に接続される上部電極を形成する。 - 特許庁

A stamp St is positioned in contact with an upper left end of an area K to be corrected from above ((a)).例文帳に追加

スタンプＳｔを補正対象の領域Ｋの左上端の上側に接する位置に位置させる（（ａ））。 - 特許庁

In order to regulate the width in the right-to-left direction of the respective portions K, M, H, Y, three tethers 21a, 21b, 21c are sewn between right and left base cloths 20.例文帳に追加

各部分Ｋ，Ｍ，Ｈ，Ｙの左右幅寸法を規制するために、左右の基布２０間に３枚のテザー２１ａ，２１ｂ，２１ｃが縫着されている。 - 特許庁

Respective capacities of a plurality of external capacities 6(k) are selected to be greater as k increase (i.e., increases from right towards left on the sheet of FIG. 1).例文帳に追加

複数の外部容量６（ｋ）は、その容量がｋの増加とともに（即ち、図１の紙面右側から紙面左側に向かうほど）大きくなるように選定されている。 - 特許庁

A coded matrix G such as a Goppa code is repeated two times right and left, a k+1-dimensional message m is coded by using a matrix K adding one column of a random vector R to be C_1.例文帳に追加

ゴッパ符号等の符号化行列Ｇを左右に２回繰り返し、乱数ベクトルＲを１行追加した行列Ｋを用いて、ｋ＋１次元のメッセージｍを符号化し、Ｃ_１とする。 - 特許庁

In the dequantization step, the transform coefficient K is calculated, by using elements Bm in a mantissa portion matrix and an exponential portion Be which are functions of a quantization parameter QP, as follows: K[i][j]=[L[i][j]×Bm(QP)[i][j]]<<Be(QP) (wherein << represents a left shift operation).例文帳に追加

逆量子化ステップは、量子化パラメータＱＰの関数である仮数部行列要素Ｂｍと指数部Ｂｅを用いて、Ｋ［ｉ］［ｊ］＝［Ｌ［ｉ］［ｊ］×Ｂｍ（ＱＰ）［ｉ］［ｊ］］＜＜Ｂｅ（ＱＰ）（“＜＜”は左シフト演算）を実行する。 - 特許庁

If a low-dielectric-constant (low-k) film is damaged during plasma processing, one of the reaction products is water, which is left adsorbed on the low-dielectric-constant film (into pores), if the temperature is lower than 100-150°C.例文帳に追加

プラズマ処理の際、低誘電率(low-k)膜が損傷した場合、反応生成物の１つは水であり、温度が１００〜１５０℃より低ければ、低誘電率膜（孔内）に吸収されたままである。 - 特許庁