P - Mgとは 意味・読み方・使い方

To prevent Mg in a p-type clad layer from diffusing into an active layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層のＭｇが活性層に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料 - 特許庁

Moreover, an Mg dope InGaN (p-type GaN layer) 86 is grown.例文帳に追加

さらに、ＭｇドープＩｎＧａＮ（ｐ型ＧａＮ層）８６を成長した。 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

This alloy casting has a composition containing 3.5 to 4.3% Cu, 5.0 to 7.5% Si, 0.10 to 0.25% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.0003% P, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

Cu：3.5〜4.3％,Si:5.0〜7.5％,Mg:0.10〜0.25％,Fe≦0.2％、Ｐ≦0.0003％を含有し、残部がAl及び不可避不純物とからなる事を特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

Two of the complementary color data C[Ye], C[Mg], C[Cy] are multiplied by multiplier circuits 23a-23c, root, extraction circuits 24a-24c calculate roots of products P[r], P[g], P[b].例文帳に追加

補色データＣ[Ye]、Ｃ[Mg]、Ｃ[Cy]の内の２つを乗算回路２３ａ〜２３ｃで乗算し、その積Ｐ[r]、Ｐ[g]、Ｐ[b]の平方根を開平回路２４ａ〜２４ｃで算出する。 - 特許庁

The electromagnetic steel sheet with an insulating coating film comprises Zr, P and one or more selected from Mg and Ca, and in which the molar ratio of P to Zr, P/Zr, is 0,4 to 4.0, and the molar ratio of the total of Mg and Ca to Zr, (Mg+Ca)/Zr, is 0.005 to 0.10.例文帳に追加

ＺｒおよびＰ、ならびにＭｇ、Ｃａのうちの一つ以上を含有し、ＰがＺｒに対しモル比でＰ／Ｚｒ＝０．４〜４．０であり、ＭｇとＣａの合計量がＺｒに対しモル比で（Ｍｇ＋Ｃａ）／Ｚｒ＝０．００５〜０．１０である絶縁被膜を有する電磁鋼板。 - 特許庁