ar-siとは 意味・読み方・使い方

The method for producing the aryl-substituted cyclic tetrasiloxane halide involves subjecting an aryl-substituted cyclic tetrasiloxane represented by the general formula: (Si(Ar)RO)_4 (wherein, Ar is an aryl group; and R is an alkyl group) to a de-aryl halogenation reaction.例文帳に追加

即ち、一般式 （Ｓｉ（Ａｒ）ＲＯ）_４ （式中、Ａｒはアリール基を表し、Ｒはアルキル基を表す。）で表されるアリール置換環状テトラシロキサンを脱アリールハロゲン化する。 - 特許庁

When vacuum deposition is performed, the frequency in the collision of the respective particles is increased by the presence of the Ar gas, thus Si and Co are sufficiently mixed, and an Si-Co alloy film 35 having satisfactory compositional uniformity can be formed on a base material sheet 31.例文帳に追加

真空蒸着を行うと、Ａｒガスの存在によって、各粒子の衝突回数が増大するので、Ｓｉ，Ｃｏが十分混合されて、基材シート３１上に、組成均一性の良好なＳｉ−Ｃｏ合金膜３５が形成される。 - 特許庁

That is, the frame length detector segments data of a detection object, calculates coefficients {ai} in the AR model and thereafter calculates a summed average AVsi (=si/N) (steps S2 to S5).例文帳に追加

すなわち、フレーム長検出器は、検出対象のデータを切り出して、ＡＲモデルにおける係数｛ａｉ｝を計算した後、加算平均ＡＶｓｉ（＝ｓｉ／Ｎ）を算出する（ステップＳ２〜Ｓ５）。 - 特許庁

An amorphous silicon oxide film composed mainly of a siloxane bond (-Si-O-Si-) is etched by performing plasma treatment using only an inert gas, such as argon (Ar) gas as a raw material by adding a fluorocarbon-based side chain, such as carbon trifluoride (CF3-) in the silicon oxide film.例文帳に追加

シロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−）を主とするアモルファス状態のシリコン酸化膜にフルオロカーボン系の側鎖たとえば三フッ化炭素（ＣＦ_3 −）を含め、不活性ガスたとえばアルゴン（Ａｒ）のみを原料としたプラズマ処理により、シリコン酸化膜をエッチングする。 - 特許庁

The Raman strength of β-FeSi_2 which is measured at room temperature by Ar ion laser of 514.5 nm wave length as a light source for excitation, is 30% or more than that of Si as a substrate of β-FeSi_2.例文帳に追加

励起用光源に波長５１４．５ｎｍのＡｒイオンレーザーを用いた室温において測定されるβ-FeSi_2のラマン強度が、前記β-FeSi_2の基板であるＳｉのラマン強度の３０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

Si etching is interrupted when about 1/3 of a desired depth is reached to form trenches 105a in a first stage, particles 123a lying in the bottoms of the trenches 105a and abnormal deposits 124a are removed using Ar with an applied bias power.例文帳に追加

所望の深さの１／３程度でＳｉエッチグの中断して第１段階のトレンチ１０５ａを形成し、バイアスパワーの印加のもとにＡｒによりトレンチ１０５ａ底部に乗っているパーティクル１２３ａ，付着した異状堆積物１２４ａを除去する。 - 特許庁

When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar^+ and He^+, which are rare gas element ions, for about two hours.例文帳に追加

エミッタ領域２ｅ及びコレクタ領域２ｃの形成に当たっては、二次イオン質量分析器（ＩＭＡ）により加速電圧を２０ｋＶ、イオン電流を１０μＡとして、希ガス元素のイオンであるＡｒ^+及びＨｅ^+を２時間程度、Ｓｉ基板１の２箇所にイオン照射する。 - 特許庁

Out of an SEM image SI displayed on a display screen SC, an image of an area AR including a specified position SP which a user specified by contacting a fingertip FG on the display screen SC, which is a sub image SU including a marker MK indicating the specified position SP, is displayed on a part of the display screen SC.例文帳に追加

表示画面ＳＣに表示されたＳＥＭ画像ＳＩのうち、ユーザが指先ＦＧを表示画面ＳＣに接触させて指定した指定位置ＳＰを含む領域ＡＲの画像であって、指定位置ＳＰを示すマーカーＭＫを含むサブ画像ＳＵを表示画面ＳＣの一部に表示する。 - 特許庁