d100とは 意味・読み方・使い方

To provide an inexpensive process to easily manufacture ultrafine powder silica having high specific surface area, ≤5 μm diameter corresponding to the size at 100% in the particle size distribution (D100) and no coarse particles.例文帳に追加

比表面積が高く、１００％相当径５μｍ以下で、粗大粒子のない超微粉シリカを容易に製造することができる安価プロセスを提供すること。 - 特許庁

A load history recording device LH100 includes strain gages R1, R2 pasted on a steel elastic damper D100 and a resistance measuring part 410 connected to the strain gages R1, R2.例文帳に追加

負荷履歴記録装置ＬＨ１００は、鋼製弾塑性ダンパーＤ１００に貼着された歪みゲージＲ１、Ｒ２と、これら歪みゲージＲ１、Ｒ２に接続された抵抗測定部４１０を有する。 - 特許庁

The objective metal oxide powder characteristically has the following properties: d50=2.0-8.0 μm, d100=≤20 μm, d100/d75≤2.80; specific surface area = 0.5-12.0 m2/g.例文帳に追加

ｄ５０＝２.０〜８.０μｍ、ｄ１００≦２０μｍ、ｄ１００／ｄ７５≦２.８０であり、比表面積０.５〜１２．０ｍ^2／ｇであることを特徴とする金属酸化物粉末。 - 特許庁

The tapering work is performed so as to satisfy expression (1): G0. 5Db>D100>D0>Gt, wherein Db denotes the diameter of the billet 10 before the tapering work, D0 and D100 denote the diameters in the distal end position and in a position of 100 mm inside from the distal end position after tapering work, respectively, and Gt and G0.例文帳に追加

ビレット10の、テーパ加工前の直径をＤｂ、テーパ加工後の先端位置および該先端位置から１００ｍｍ内側の位置における直径をそれぞれＤ０、Ｄ１００とし、前記穿孔圧延に用いる穿孔圧延機の、プラグ先端位置および該プラグ先端位置から０．５×Ｄｂだけ上流側の位置におけるロール間ギャップをそれぞれＧｔ、Ｇ０．５Ｄｂとして、式(1)が満足されるように、前記テーパ加工を行うことを特徴とするビレットの穿孔圧延方法。 - 特許庁

This epoxy resin varnish for the resin substrate is characterized by dispersing silica ultra fine particles having ≤2.0 μm mean particle diameter D50 and ≤5.0 μm 100% equivalent diameter D100, and not essentially forming a structured configuration, into the epoxy resin.例文帳に追加

平均粒子径Ｄ５０が２．０μｍ以下、１００％相当径Ｄ１００が５．０μｍ以下で、実質的にストラクチャー構造を形成していないシリカ超微粉をエポキシ樹脂中に分散させてなることを特徴とする樹脂基板用エポキシ樹脂ワニス。 - 特許庁

Respective programmable elements are constituted of depletion type transistors D100, D101 being same as memory cells of a mask ROM apparatus, the depletion type transistors are programmed in a first program state of a conduction state in an ion injection process for memory cells of the mask ROM apparatus or in a second program state of a non-conduction state.例文帳に追加

プログラム可能な素子の各々はマスクＲＯＭ装置のメモリセルと同一の空乏型トランジスタＤ１００，Ｄ１０１で構成され、空乏型トランジスタはマスクＲＯＭ装置のメモリセルに対するイオン注入工程で導通状態の第１プログラム状態又は非導通状態の第２プログラム状態にプログラムされる。 - 特許庁

A water-based slurry containing metal silicon powder is sprayed into a high temperature field while controlling the injection speed to at least ≥20 m/s, and while the reaction product which passed the high temperature field is oxidized with a gas containing oxygen, the product is introduced into a collecting system to collect fine powder having ≤5 μm diameter corresponding to D100.例文帳に追加

金属シリコン粉末を含む水系スラリーを、その突出速度を少なくとも２０ｍ／秒以上にして高温場に噴霧し、高温場を通過した反応物を酸素を含むガスで酸化しながら捕集系に導き、１００％相当径が５μｍ以下の微粉末を捕集することを特徴とする超微粉シリカの製造方法。 - 特許庁