CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS AND CONSTITUTING ELEMENT THEREOF例文帳に追加

化学的機械研磨プロセス及びその構成要素 - 特許庁

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PAD HAVING PROCESS-DEPENDENT GROOVE CONFIGURATION例文帳に追加

プロセスに依存した溝構造を有するケミカルメカニカル研磨パッド - 特許庁

POLISHING FACE TEMPERATURE REGULATION SYSTEM FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION PROCESS例文帳に追加

化学的機械的平面化プロセス用研磨面温度調整システム - 特許庁

MULTIPLE PROCESS POLISHING SOLUTION FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION例文帳に追加

ケミカルメカニカルプラナリゼーションのための多工程研磨溶液 - 特許庁

CHEMICAL-MECHANICAL ABRASIVE MATERIAL COMPOSITION USED FOR SEMICONDUCTOR PROCESS例文帳に追加

半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物 - 特許庁

METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACT PAD USING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS例文帳に追加

化学機械的研磨を利用した自己整列コンタクトパッドの形成方法 - 特許庁

PROCESS FOR REMOVING RESIDUAL SLURRY BY CHEMICAL MECHANICAL POLISHING例文帳に追加

残留スラリを化学機械的に研磨して除去するプロセス - 特許庁

To provide a chemical and mechanical polishing process of a wafer.例文帳に追加

ウェハの化学的機械的研磨のプロセスを提供すること - 特許庁

METHOD FOR INCREASING PROCESS WINDOW OF CHEMICAL/ MECHANICAL POLISHING例文帳に追加

化学的機械的研磨のプロセスウインドウを増加する方法 - 特許庁

To realize a chemical and mechanical polishing process in which aggromerate slurry is surely removed from a polishing pad, and chemical mechanical polishing is carried out at a regular polishing rate without cutting the surface of a polishing pad.例文帳に追加

研磨パッドの表面を削ることなく、凝集スラリーを確実に除去し、研磨レート均一な化学的機械研磨を行う。 - 特許庁

the process of obtaining something from a mixture or compound by chemical or physical or mechanical means発音を聞く 例文帳に追加

化学薬品あるいは物理的機械的な手段により混合物か合成物から何かを得る過程 - 日本語WordNet

CMP PAD CONDITIONER IN SEMICONDUCTOR PLANARIZATION CMP PROCESS (CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING)例文帳に追加

半導体平坦化ＣＭＰプロセス（化学機械的研磨）におけるＣＭＰパッドコンディショナー - 特許庁

SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING (CMP) PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SLURRY例文帳に追加

化学機械的研磨（ＣＭＰ）工程用スラリー及びこれを用いた半導体素子の製造方法 - 特許庁

MULTI-PROCESS METHOD FOR CARRYING OUT CHEMICAL MECHANICAL POLISH OF SILICON DIOXIDE AND SILICON NITRIDE例文帳に追加

二酸化ケイ素及び窒化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための多工程法 - 特許庁

METHOD FOR INCREASING METAL-REMOVAL RATE DURING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR, AND CMP METHOD例文帳に追加

半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ—トを増大させる方法及びＣＭＰ方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MOS TRANSISTOR USING DAMASCENE AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS例文帳に追加

ダマシン及び化学的機械的研磨工程を用いたＭＯＳトランジスタの形成方法 - 特許庁

PROCESSING METHOD OF SUBSTRATE, CLEANING METHOD AFTER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, PROCESS FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICE AND PROGRAM例文帳に追加

基板の処理方法、化学機械研磨後洗浄方法、電子デバイスの製造方法及びプログラム - 特許庁

In the secondary chemical mechanical polishing process, ceria slurry of the invention is used.例文帳に追加

２次化学的機械研磨工程では、本発明に係るセリアスラリーが使用される。 - 特許庁

The mirror polishing process is achieved in the form of chemical polishing, mechanical polishing, electrolytic polishing or bright electro-plating.例文帳に追加

前記鏡面加工は、化学研磨、機械研磨、光沢メッキ、または電解研磨によるものである。 - 特許庁

REAL-TIME CONTROL OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS USING SHAFT DISTORTION MEASUREMENT例文帳に追加

シャフトひずみ測定を使用する化学−機械研磨プロセスのリアルタイム制御 - 特許庁

To measure the layer thickness of a substrate in the process of chemical mechanical polishing.例文帳に追加

基板上の層の厚さを、ケミカルメカニカルポリシング中の処理状態のままで測定する。 - 特許庁

In such a way, the removal of the photoresist is also performed in a process for performing the chemical and mechanical polishing.例文帳に追加

このように、化学機械研磨を行う工程において、フォトレジストの除去も行う。 - 特許庁

To provide a method of forming a self-aligned contact pad using a Chemical Mechanical Polishing process.例文帳に追加

化学機械的研磨を利用した自己整列コンタクトパッド形成方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR OPTIMIZING CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF COPPER IN COPPER INTERCONNECTING PROCESS FOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

集積回路の銅相互結線プロセスにおいて銅の化学機械的研磨を最適化する方法 - 特許庁

To control the thickness of a film obtained after a mechanical/chemical polishing process at high accuracy and high throughput in a semiconductor device manufacturing method having the mechanical/chemical polishing process.例文帳に追加

機械的化学的研磨工程を有する半導体装置の製造方法において、前記研磨後の膜厚を高精度および高スループットに管理する。 - 特許庁

To efficiently design a dummy pattern to be formed on a wiring layer for eliminating the surface step of polished surfaces after a chemical mechanical polishing(CMP) process in a production process of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程でＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程後の研磨面の表面段差を解消するために配線層に形成するダミーパターンを効率よく設計する。 - 特許庁

To remove residues of polished top surface and rear surface by a polishing process from a semiconductor wafer composed of silicon after a process of chemical mechanical polishing.例文帳に追加

化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。 - 特許庁

Also, by not employing chemical mechanical planarization process during the fabrication of the bipolar structures, the complexity of process integration is reduced.例文帳に追加

また、バイポーラ構造の製作の間に、化学機械研磨プロセスを使用しないことにより、プロセス統合の複雑さが軽減される。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing pad that can control scratch generation on a polishing surface during a chemical polishing process and give a high-quality polishing surface, and chemical mechanical polishing method that gives a high-quality polishing surface using the chemical machinery polishing pad.例文帳に追加

化学機械研磨工程における被研磨面のスクラッチ発生を抑制でき、高品位の被研磨面を与えることができる化学機械研磨パッド、及びその化学機械研磨パッドを用いて行う高品位の被研磨面を与える化学機械研磨方法を提供すること。 - 特許庁

POLISHING TABLE OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING DEVICE, METHOD FOR MONITORING CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS USING THE SAME, METHOD FOR DETECTING TERMINATION USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

化学機械的研磨装備の研磨テーブル、これを用いて化学機械的研磨工程をモニターする方法、これを用いて終末点を検出する方法及びその製造方法 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing composition accelerating removal of silicon oxide and silicon nitride used in the final process of a 3-process CMP-STI (Chemical Mechanical Polishing-Shallow Trench Isolation) method.例文帳に追加

３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an aquatic dispersion element for chemical mechanical polishing, capable of quickly polishing without substantially damaging a surface to be polished, especially in a chemical mechanical polishing process of STI.例文帳に追加

特にＳＴＩの化学機械研磨工程において、被研磨面に実質的に研磨傷が発生せず且つ高速に研磨することのできる化学機械研磨用水系分散体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an acqueous dispersed body of chemical mechanical polishing for controlling erosion and speed during over-polishing in a chemical mechanical polishing process.例文帳に追加

化学機械研磨工程において、オーバーポリッシュ実施時のエロージョン及びその速度を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing pad, capable of suppressing occurrence of scratches on the surface of a polished object in a chemical mechanical polishing process and capable of giving the surface of a polished object having superior surface flatness.例文帳に追加

化学機械研磨工程における被研磨面のスクラッチ発生を抑制でき、かつ表面平坦性に優れた被研磨面を与えることができる化学機械研磨パッドを提供すること。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersing element for chemical mechanical polishing that suppresses erosion and its speed when overpolishing is carried out in a chemical mechanical polishing process.例文帳に追加

化学機械研磨工程において、オーバーポリッシュ実施時のエロージョン及びその速度を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。 - 特許庁

The abrasive pad for a chemical-mechanical polishing process is pre-processed by soaking in a hydrophilic processing fluid for a prescribed time before it is mounted onto the chemical-mechanical polishing device.例文帳に追加

化学機械研磨工程において使用される研磨パッドを化学機械研磨装置に装着する前に、親水性の処理液に所定時間浸漬して、前処理することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has a mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

The surface exposed by the chemical and mechanical polishing process is dipped into a preprocessing solution containing amine or ammonia.例文帳に追加

化学機械研磨工程で露出された表面を、アミンまたはアンモニアを含有する前処理液に晒す。 - 特許庁

PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION例文帳に追加

ポリシリコン・マスクと化学機械研摩（ＣＭＰ）平坦化を使用して２通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス - 特許庁

A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks.例文帳に追加

トラック加工に用いたレジストマスク４の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程（ｄ）を導入する。 - 特許庁

The polishing pad 1 for chemical and mechanical polishing of a semiconductor substrate surface has recessed groove 4 formed by the emboss process.例文帳に追加

半導体基板表面を化学機械研磨するための研磨パッド１は、エンボス加工により形成された凹条の溝４を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device includes a process for carrying out chemical mechanical polishing treatment by the slurry 1 for CMP.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、本発明に係るこのＣＭＰ用スラリー１を用いて化学的機械的研磨処理を行う工程を含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of producing an improved cerium oxide abrasive suitable for forming a slurry composition suitable for a CMP (chemical mechanical polishing) process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程に適したスラリー組成物を形成するのに適した向上した酸化セリウム研磨剤を製造する方法を提供する。 - 特許庁