n-drとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate SB, an n^- epitaxial layer EP, a p-type back gate region BG, an n^+ source region SR, an n-type drain region DR, a gate electrode GE, and an n-type high-density region HR.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板ＳＢと、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰと、ｐ型バックゲート領域ＢＧと、ｎ^+ソース領域ＳＲと、ｎ型ドレイン領域ＤＲと、ゲート電極ＧＥと、ｎ型高濃度領域ＨＲとを備えている。 - 特許庁

The n-type drain region DR is formed on the principal surface 12 opposite the n^+ source region SR with the p-type back gate region GB interposed.例文帳に追加

ｎ型ドレイン領域ＤＲは、ｐ型バックゲート領域ＢＧを挟んでｎ^+ソース領域ＳＲと対向するように主表面１２に形成されている。 - 特許庁

In a GGnMOS transistor PT, an n^+ drain region DR brought into a first n^- high pressure use impurity region HNDF has the whole of its lower end central part LC in contact with a p-type well region HPW.例文帳に追加

ＧＧｎＭＯＳトランジスタＰＴにおいて、第１のｎ^-高圧用不純物領域ＨＮＤＦに取り囲まれたｎ^+ドレイン領域ＤＲの下端中央部ＬＣの全体がｐ型ウエル領域ＨＰＷと接している。 - 特許庁

The n-type high-density region HR has higher n-type impurity density than the n^- epitaxial layer EP, is disposed between the p-type back gate region BG and n-type drain region DR, and has peak density at a deeper position from the principal surface 12 than a pn junction portion of the p-type back gate region BG and n^+ source region SR.例文帳に追加

ｎ型高濃度領域ＨＲは、ｎ^-エピタキシャル層ＥＰよりも高いｎ型不純物濃度を有し、ｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ型ドレイン領域ＤＲとの間に位置し、かつｐ型バックゲート領域ＢＧとｎ^+ソース領域ＳＲとのｐｎ接合部よりも主表面１２から深い位置にピーク濃度を有している。 - 特許庁

In a light receiving element forming island of a sensor chip 3, P regions 12, 14 of photodiodes DR, DCI are formed on a surface layer part of an N-type epitaxial layer 15b, and the P regions 12, 14 are in contact with electrodes 27, 28.例文帳に追加

センサチップ３の受光素子形成島において、ｎ型エピタキシャル層１５ｂの表層部に、フォトダイオードＤR ，ＤC1のｐ領域１２，１４が形成され、ｐ領域１２，１４は電極２７，２８と接している。 - 特許庁

A search line driver DR transfers search data SD, SD_N to respective CAM cells of a CAM memory array 10 via a search line pair SL, SL_N when a search line enable signal SLE supplied from a search control circuit 40 is activated.例文帳に追加

サーチ線ドライバＤＲは、サーチ制御回路４０から供給されたサーチ線イネーブル信号ＳＬＥが活性化したとき、ＣＡＭメモリアレイ１０の各ＣＡＭセルにサーチ線対ＳＬ，ＳＬ＿Ｎを介して検索データＳＤ，ＳＤ＿Ｎを転送する。 - 特許庁

Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; an N channel type drive transistor DR; an output switch SWa; a first capacitor section Cs; and a second capacitor section Cx.例文帳に追加

各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｎチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、出力スイッチＳＷａと、第１容量部Ｃｓと、第２容量部Ｃｘとを有している。 - 特許庁

Based on the belt winding lengths L_DR, and LD_N of the drive pulley and the driven pulley, the WD coefficients as pressing forces against the pulleys per belt unit length are obtained, ST coefficients as the effective tension of the belt per unit winding length are obtained, and based on the relational expression of the WD coefficients to the ST coefficients, the tensioner device 11 is controlled.例文帳に追加

ベルト単位長さ当たりのプーリへの押付力であるＷＤ係数を駆動プーリおよび従動プーリのベルト巻き掛け長さＬ_ＤＲ，Ｌ_ＤＮに基づいて求めるとともに、単位巻き付き長さ当たりのベルトの有効張力であるＳＴ係数を求め、ＷＤ係数とＳＴ係数との関係式に基づいてテンショナ装置１１を制御する。 - 特許庁