p - mgとは 意味・読み方・使い方

Two of the complementary color data C[Ye], C[Mg], C[Cy] are multiplied by multiplier circuits 23a-23c, root, extraction circuits 24a-24c calculate roots of products P[r], P[g], P[b].例文帳に追加

補色データＣ[Ye]、Ｃ[Mg]、Ｃ[Cy]の内の２つを乗算回路２３ａ〜２３ｃで乗算し、その積Ｐ[r]、Ｐ[g]、Ｐ[b]の平方根を開平回路２４ａ〜２４ｃで算出する。 - 特許庁

Moreover, an Mg dope InGaN (p-type GaN layer) 86 is grown.例文帳に追加

さらに、ＭｇドープＩｎＧａＮ（ｐ型ＧａＮ層）８６を成長した。 - 特許庁

To prevent Mg in a p-type clad layer from diffusing into an active layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層のＭｇが活性層に拡散するのを抑制すること。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

Cu-Fe-P-Mg BASED COPPER ALLOY, ITS PRODUCTION METHOD, AND CONDUCTIVE COMPONENT例文帳に追加

Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ−Ｍｇ系銅合金および製造法並びに通電部品 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor-device copper-alloy bonding wire contains at least one kind of Mg and P in total of 10 to 700 mass ppm, and oxygen within a range from 6 to 30 mass ppm.例文帳に追加

半導体装置用銅合金ボンディングワイヤは、Mg及びPの少なくとも１種を総計で10〜700質量ppm、酸素を6〜30質量ppmの範囲で含有することを特徴とする。 - 特許庁

Further, the p-type contact layer 7 with the film thickness of about 200 nm made of an Mg doped p-type In_0.03Ga_0.97N is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁