STRUCTURE OF HIGH REVERSE BREAKDOWN-VOLTAGE IGBT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

高逆耐圧ＩＧＢＴの構造とその製造方法 - 特許庁

To improve both forward and reverse breakdown voltage characteristics in a high breakdown voltage semiconductor device.例文帳に追加

高耐圧半導体装置において、正逆双方における耐圧特性を向上させる。 - 特許庁

To improve the dielectric breakdown resistivity against reverse voltage.例文帳に追加

逆方向の正電圧に対する耐絶縁破壊性を向上させること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving reverse breakdown voltage.例文帳に追加

逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The reverse breakdown voltage of the diode 15 is set to a value not less than the voltage of the direct-current power supply 17.例文帳に追加

ダイオード１５の逆耐圧電圧は直流電源１７の電圧以上となされている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a stable high forward breakdown voltage and a reverse breakdown voltage of 100 V or higher.例文帳に追加

安定した高い順方向耐圧と、１００Ｖ以上の逆方向耐圧を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, in step S5, a recess (He) of the reverse breakdown voltage waveform VR is recovered, a normal reverse voltage waveform (VR) is obtained, and accurate reverse breakdown voltage can be measured under accurate measuring conditions.例文帳に追加

これによりＳ５ステップにおいて、逆方向耐電圧波形ＶＲの凹み（Ｈｅ）が回復し、正常な逆方向電圧波形（ＶＲ）となり、正確な測定条件下において、高精度な逆方向耐電圧の測定が可能となる。 - 特許庁

To provide a reverse overcurrent preventive circuit which can prevent a breakdown by a reverse overcurrent even if a voltage reaching to the reverse breakdown voltage of a P-N junction is applied between an output terminal and an input terminal, in a constant voltage power supply circuit.例文帳に追加

定電源電源回路において、ＰＮ接合の逆方向耐圧までの電圧が出力端子と入力端子間に印加されても、逆過電流による破壊を防止できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low forward voltage drop, a high reverse breakdown voltage and a low reverse leakage current.例文帳に追加

低い順電圧降下を有し且つ高い逆耐圧及び低い逆リーク電流を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the reverse bias breakdown voltage characteristics of a MOSFET stabilize.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの逆バイアス耐圧特性が安定する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element in which reverse electrostatic breakdown voltage can be enhanced.例文帳に追加

逆方向静電破壊耐圧を向上できる構造の半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enhances forward surge breakdown strength while maintaining a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

高い逆方向耐圧を維持しつつ順方向サージ破壊耐量を高くすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The protective diode has a reverse breakdown strength which is about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5.例文帳に追加

保護ダイオード１１は横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１の逆耐圧をもつ。 - 特許庁

To provide an SOI high breakdown semiconductor device satisfactory in voltage breakdown characteristics in an arbitrary reverse bias state.例文帳に追加

任意の逆バイアス状態の態様において耐圧特性の良好なＳＯＩ型高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

A breakdown voltage structure 20 provided between an active region 10 and an isolation region 30 is composed of a forward breakdown voltage structure region 40 and a reverse breakdown voltage structure region 50.例文帳に追加

活性領域１０と分離領域３０との間に設けられた耐圧構造部２０は、順方向耐圧構造領域４０と逆方向耐圧構造領域５０とからなる。 - 特許庁

To provide a reverse blocking semiconductor element having high breakdown voltage of both forward and backward directions, high reliability and high mass productivity, and a reverse blocking semiconductor device.例文帳に追加

順逆両方向の高耐圧と高信頼性と高い量産性を有する逆阻止半導体素子および逆阻止半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compression bonded semiconductor device which can especially improve the reverse-blocking breakdown voltage characteristics or reverse recovery characteristics of a thyristor.例文帳に追加

サイリスタの逆阻止耐圧特性や逆回復特性を格段に改善できる圧接型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a diode utilizing the reverse characteristics and exhibiting excellent high temperature characteristics and a high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

逆方向の特性を利用したダイオードであって、高温特性が優れ、逆方向の耐圧が高いものを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device that has ultra-low forward rising voltage and high reverse breakdown voltage characteristics in a simple configuration.例文帳に追加

簡単な構造で、極めて低い順方向立ち上がり電圧と、高い逆方向耐圧特性を有する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whereby a desired constant voltage can easily be obtained regardless of a small occupied area and secular variations in a reverse breakdown voltage can be prevented.例文帳に追加

占有面積を小さくしながら所望の定電圧を容易に得ることができ且つ逆方向耐圧の経時的な変動を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent (EL) element that can lower driving voltage, control occurrence of leakage, and maintain high reverse breakdown voltage.例文帳に追加

駆動電圧を低下させ、リークの発生を抑制し、かつ高い逆耐圧を維持することができる有機ＥＬ素子の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which is a reverse conducting IGBT and is capable of reducing an on-voltage without reducing a breakdown voltage.例文帳に追加

逆導通ＩＧＢＴであって、耐圧を低下させることなくオン電圧を低減することができる半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a bidirectional high breakdown voltage planar semiconductor device having a high avalanche resistance in which forward breakdown voltage is stabilized with higher reliability, a new reverse breakdown voltage structure is contrived, and occurrence of breakdown due to field concentration is prevented in the junction termination structure in both forward and reverse directions when a voltage is applied.例文帳に追加

順方向耐圧をよりいっそう高信頼性に安定させ、逆方向耐圧構造を新たに工夫し、順逆方向共に、電圧印加時に、接合終端構造内での電界集中によるブレークダウンが発生せず、共に高アバランシェ耐量を有する双方向高耐圧プレーナ型半導体装置の提供。 - 特許庁

To provide a diode without increasing the forward voltage or reverse current and lowering of the reverse breakdown voltage, which has few reverse recovery charges and exhibits a soft recovery characteristics.例文帳に追加

順電圧と逆電流の増大並びに逆耐圧の低下を招くことなく、逆回復電荷が少なくソフトリカバリー特性を示すダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a JBS having a short reverse recovery time, a low forward voltage drop, a small reverse leakage current, a low noise, and a high reverse breakdown voltage, at a low cost.例文帳に追加

逆回復時間がより短く順方向電圧降下がより低く逆方向リーク電流が少なく低ノイズで逆耐圧の高いＪＢＳを安価に具現化する。 - 特許庁

In a reverse blocking semiconductor element device, a groove is provided in a main wiring for soldering elements and facing an edge of the element to raise dielectric breakdown voltage and to ensure high breakdown voltage in the backward direction.例文帳に追加

また逆阻止半導体装置において、素子を半田付けする主配線には素子の端部に対向して溝を設けて端部と主配線間の絶縁破壊電圧を高くし、高い逆方向耐圧を確保する。 - 特許庁

Therefore, the breakdown voltage is greater than 11.5 V, which is the maximum reverse bias voltage, and therefore the efficiency of the solar cell and the operation life thereof are improved with the absence of the breakdown phenomenon.例文帳に追加

したがって、ブレークダウン電圧が最大逆バイアス電圧である１１．５Ｖより大きいので、ブレークダウン現象が発生しなくて太陽電池の効率と寿命が向上する。 - 特許庁

In the forward breakdown voltage structure region 40 and the reverse breakdown voltage structure region 50, a plurality of field limiting rings (FLR) 41 and 51 and a plurality of field plates (FP) 44 and 54 are provided.例文帳に追加

順方向耐圧構造領域４０および逆方向耐圧構造領域５０には、複数のフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ）４１，５１と、複数のフィールドプレート（ＦＰ）４４，５４が設けられている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode improved in reverse breakdown voltage through a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a method of oxidation for rounding to prevent degradation of oxide film breakdown voltage and a reverse narrow channel effect and planarization of a substrate.例文帳に追加

酸化膜耐圧の劣化や逆狭チャネル効果を抑えた丸め酸化と基板の平坦化の方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon carbide wafer, can significantly enhance the reverse breakdown voltage, when it is applied to a Schottky barrier diode (SBD).例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）に適用場合に、逆方向耐圧を大幅に向上させた炭化珪素ウェーハを提供する。 - 特許庁

To realize a high performance Schottky barrier diode improved to avoid parasitic capacitance increase and lowering reverse breakdown voltage drop.例文帳に追加

寄生容量の増加の防止と逆方向耐圧の低下の防止を図った高性能なショットキーバリアダイオードを実現する。 - 特許庁

To provide a schottky diode of a semiconductor device having a high reverse-breakdown voltage, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高い逆方向降伏電圧特性を持つ半導体素子のショットキーダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical semiconductor device which ensures stable reverse breakdown voltage and has improved utilization efficiency of the chip surface.例文帳に追加

安定した逆耐圧を確保し、かつチップ表面の利用効率を向上させた縦型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Schottky diode which allows a desired reverse breakdown voltage to be easily obtained.例文帳に追加

所望の逆耐圧を容易に設定できるショットキーダイオードの製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage diode structure which has high reverse recovery capability and a high allowable forward current.例文帳に追加

逆方向回復耐量が高く、高い許容順方向電流を有する高耐圧ダイオード構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light-emitting element having excellent crystallinity, high luminous efficiency, and little time degradation of reverse breakdown voltage characteristics.例文帳に追加

結晶性に優れ、発光効率が高く、逆耐圧特性の経時劣化が少ない窒化物半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having less leak current and high breakdown voltage in a reverse direction, and capable of switching at a high speed and low loss.例文帳に追加

リーク電流が少なく、逆方向の耐圧が大きく、高速で低損失のスイッチングが可能な電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The resulting device has both a low on-resistance when the device is forward biased and a high breakdown voltage when the device is reverse biased.例文帳に追加

得られたデバイスは、デバイスの順方向バイアス時のオン抵抗が低く、デバイスの逆方向バイアス時の降伏電圧が高い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having electrical characteristics such as high breakdown voltage, low reverse saturation current, and high on-current, especially a power diode including a non-linear element and a rectifier.例文帳に追加

高耐圧、低逆方向飽和電流、高いオン電流などの電気特性を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a PN junction diode having a high breakdown voltage (reverse-current is not likely to flow), and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

耐圧が高い（逆電流が生じにくい）ＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressing breakdown voltage dispersion in electric characteristics, with a high ESD resistance amount and a reduced reverse leakage current.例文帳に追加

電気特性の耐圧のバラツキを抑制し、ＥＳＤ耐量が高く、逆方向漏れ電流の少ない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI semiconductor device satisfactory in voltage breakdown characteristics in an arbitrary reverse bias state.例文帳に追加

任意の逆バイアス状態の態様において耐圧特性の良好なＳＯＩ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an optical integrated device in which an electric field absorption type optical modulator has a good reverse breakdown voltage characteristic and a high extinction ratio at a low reverse bias voltage.例文帳に追加

電界吸収型光変調器が、良好な逆耐圧特性を有し、低い逆バイアス電圧で高い消光比を示す光集積デバイスを提供する。 - 特許庁